第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件

一、填空题

1、一个10位地址码、8位输出的ROM，其存储容量为 或 。 2、将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM。该ROM有 根地址线，有 根数据读出线。

二、综合题

1、试写出图6-1所示阵列图的逻辑函数表达式和真值表，并说明其功能。

A1B1W0W1W2W3F0F1F2F3图6-1 例6-1逻辑图

2、试用256×4位的RAM扩展成1024×8位存储器。 3、下列RAM各有多少条地址线？

⑴ 512×2位 ⑵ 1K×8位 ⑶ 2K×1位 ⑷ 16K×1位 ⑸ 256×4位 ⑹ 64K×1位

4、写出由ROM所实现的逻辑函数的表达式。 (8分)

A B C

1 1 1 Y1 Y2

5、四片16×4RAM和逻辑门构成的电路如图6-7所示。试回答：

AB7AB6AB5AB4AB3AB2AB1AB0&&&A0 A1 A2A 3 16×4CSRAM0(I / O)×4 2 A3 A0 A1A4CS16×RAM1(I / O)×4A2A 3 A0 A1 16×4CSRAM2(I / O)×4A0 A1 A2A 3 16×4CSRAM3(I / O)×4地址线DB7数据线DB0图6-7 多片RAM级联逻辑图

⑴单片RAM的存储容量，扩展后的RAM总容量是多少？

⑵图6-7所示电路的扩展属位扩展，字扩展，还是位、字都有的扩展？ ⑶当地址码为00010110时，RAM0~RAM3，哪几片被选中？

6.用ROM设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数。画出存储矩阵的点阵图。

Y1?A?B?C?D?A?B?C?D?A?B?C?D?A?B?C?D Y2?A?B?C?D?A?B?C?D?A?B?C?D?A?B?C?D Y3?A?B?D?B?C?D Y4?B?D?B?D

7、画出实现下面双输出逻辑函数的PLD表示。

f1(A,B,C)?A B C?ABC?ABCf2(A,B,C,D)?A B C D?ABCD?A BCD?ABC D

三、简答题

1、可编程逻辑器件是如何进行分类的？

2、GAL16V8的OLMC中4个数据选择器各有多少功能？

3、ROM和RAM有什么相同和不同之处？ROM写入信息有几种方式？ 4、为什么用ROM可以实现逻辑函数式？

第八章 习题答案

一、填空题

1、28K 2、11 16 二、综合题

1、解：根据与阵列的输出为AB的最小项和阵列图中有实心点·为1，无·为0，可以写出

13

F0?W3?AB

F1?W1?W2?W3?AB?AB?AB?A?B F2?AB?AB?A?B

表6-1 真值表

A B 0 0 0 1 F0 F1 F2 F3 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 从上述逻辑表达式可以看出，图6-1所示阵列图实现了输

入变量A、B的四种逻辑运算：与、或、异或和与非。列出真1 1 1 1 0 0 值表如表6-1所示。

2、解：当一片RAM不能满足存储容量需要时，需要将若干片RAM组合起来，构成满足存储容量要求的存储器。RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。

如果一片RAM的字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。字数满足要求，就是地址线满足要求。只要将若干片RAM并接起来，所有芯片的位线加起来作为扩展后的位线，便可以实现位扩展。

实现位扩展的原则是：

①多个单片RAM的I/O端并行输出，作为RAM的输出端—数据线或称位线。如两片四位RAM的I/O端并行输出，得八位RAM；

F3?W0?W1?W2?AB?AB?AB?A?B?AB

②多个单片RAM的CS端接到一起，作为RAM的片选端（多片RAM同时被选中）； ③多个单片RAM的地址端对应接到一起，作为RAM的地址输入端。