A．2M×16bit B．4×8bit C．2M×4bit D．4×16bit 二、填空

1. 存储器的作用是以二进制形式存放程序和数据。

2．对存储器可进行的基本操作有两个:读出操作和写入操作。

3．如果任何存储单元的内容都能被随机访问，且访问时间和存储单元的物理位置无关，这种存储器称为随机存储器。

4．内存是计算机主机的一个组成部分，它用来存放正在使用的或经常使用的程序和数据。 5．在断电后信息即消失的存储器称为非永久记忆（或易失性）的存储器。半导体读写存储器RAM属于非永久性存储器。

6．由高速缓冲存储器、主存和外存组成一个完整的存储系统是一种常见的三级存储系统结

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构。

7．外存（或辅存）中的信息不能被CPU直接访问。

8．外存用于存储备用的、不经常使用且断电后能长期保存的信息。

9．MOS型半导体随机存储器可分为静态存储器和动态存储器两种，后者在使用过程中每2ms内要刷新一次。

10．只读存储器ROM的特点是通过一定方式将信息写入以后，信息就固定在ROM中，即使电源切断之后，信息也不会丢失。

11．只读存储器主要用来存放一些不需要修改的信息，如微程序、子程序、某些系统软件、用户软件和数据表格等。

12．按照制造工艺的不同，可将ROM分为三类：掩膜式只读存储器MROM、可编程只读存储器PROM、可擦除可编程只读存储器EPROM。 13．MROM中的内容由芯片制造厂家在芯片生产

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过程中按要求做好。

14．PROM中的内容一旦写入，就无法改变了，属于一次可编程存储器。

15.主存与辅存的区别主要是CPU可以直接访问主存不能直接访问辅存，主存中的信息掉电后不能保存，辅存中的信息掉电后不会丢失。 16．双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此Cache就是由双极型半导体构成。 17．计算机内存储器可以采用RAM和ROM(即内存和ROMBIOS。注意内存储器不是指内存)。 18．常用的刷新控制方式有：集中刷新控制方式、分散刷新控制方式和异步刷新控制方式三种。

19．一个16K×32位的存储器,地址线和数据线的总和是46 。

20．一个512KB的存储器,地址线和数据线的总和是27。

21．一个16K×16位的存储器,地址线和数据

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线的总和是30 。

22．某计算机字长是16位它的存储容量是64KB,按字编址,该机的寻址范围是32K 。 23．某计算机字长是64位它的存储容量是1MB,按字编址, 该机的寻址范围是128K 。 24．某计算机字长是32位它的存储容量是64KB,按字编址, 该机的寻址范围是 16K 。 25．某一RAM芯片其容量为512×8位,除电源和接地端外该芯片引线的最少数目是 18（或19读写分开）。

26．某RAM存储器容量为32K×16位则地址线为15根,数据线为16根。

27．某RAM存储器容量为128K×16位则地址线为17根,数据线为16根。

28. 存储器与其他部件之间主要通过数据线，地址线和读、写控制线进行连接。

29．内存容量为256KB时，若首地址为00000H，那么末地址为3FFFFH。

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30．16位机中，若存储器的容量为1MB，则访存时所需地址线应有 20根。

31．存储器芯片并联的目的是为了增加存储器的字长。

32．存储器串联的目的是为了增加存储器的单元数。

33．存储器串联时，需要将地址码分成两个部分，一部分送芯片地址线，一部分经译码后送存储芯片的片选位。

34．要组成容量为4M×8位的存储器，需要8 片4M×1位的芯片，或需4片1M×8位的存储芯片。

35．构成32MB的存储器，需要1M×1位的芯片256片

36．Cache是指介于CPU与主存间速度快容量较小的高速缓冲存储器。

37．在图4-28多级存储系统中，上一层次的存储器比下一层次存储器速度快、容量小， 每

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