电源及晶丰明源IC培训教程

一、输入电压、功率因数。

1、通常输入电压分为单电压输入及全电压输入。 ①单电压是指85-132V与 176-265V。

85-135V电源或灯具会销往 美国、日本、台湾、加拿大、 朝鲜、巴拿马、古巴、黎巴嫩、墨西哥; 等地方。 其它国家输入电压都是在176-265V。 ②全电压是指85-265V。 2、功率因数 （PFC)

①功率因数分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。 高功率因数指 PFC≧0.9 低功率因数指PFC在0.5左右， 功率因素值越大，代表其电力利用率越高。

②功率因数可通过功率计测出。

二、晶丰明源IC解析。

1、晶丰明源IC 主要分为、隔离电源IC、非隔离电源IC、 非隔离线性恒流IC、调光IC、低压DC—DC 。

①隔离电源IC又分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。

晶丰 BP33X 些列为高功率因数隔离IC， BP31X BP90X 些列为低功率因数隔离IC。

芯片型号 BP9020A BP9021A BP9022A BP3122 BP3123 BP3132A BP3133A BP3135 BP3115 BP3125 BP3116 BP3126 BP3135D BP3136D BP3137D BP3105 BP3106 BP3315 BP3316D BP3309 BP3319 BP3319M 输入电压 176~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 100~264VAC PF 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 ≧0.9 ≧0.9 ≧0.9 ≧0.9 ≧0.9 功率 3W 3W 5W 5W 5W 5W 5-7W 5-7W 7-9W 8-12W 12-18W 18-24W 8-12W 12-18W 驱动电源特点 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；原边反馈；低成本。 内置功率MOSFET；双绕组变压器；原边反馈；过认证。 内置功率MOSFET；双绕组变压器；原边反馈；过认证。 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 原边反馈、恒流一致性好、低成本。 原边反馈、恒流一致性好、低成本。 原边反馈APFC；内置高压功率MOSFET； 温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证 原边反馈APFC；内置高压功率MOSFET； 温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证 原边反馈APFC；启动时间小于200mS；过认证 原边反馈APFC；温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证 原边反馈APFC；温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证 24-50W 24-50W 5-7W 8-12W 12-36W 12-60W 12-60W p ②非隔离电源IC也分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。

晶丰 BP23X 些列为高功率因数非隔离IC， BP28X BP98X 低功率因数IC.

芯片型号 BP2831A BP9831A BP2832A BP9832A BP2833A BP9833A BP2833D BP9833D BP2836D BP2325A BP2327A BP2326A 输入电压 176~264VAC 176~264VAC 176~264VAC 176~264VAC 176~264VAC 100~264VAC 100~264VAC 176~264VAC PF 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 ≧0.9 功率 15W I≦110MA 20W I≦160MA 25W I≦160MA 30W I≦230MA 45W I≦280MA 13W I≦170MA 15W I≦200MA 24W I≦300MA 驱动电源特点 内置功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁；单绕组电感；自带OVP保护；仅10个外围元件；符合ERP指令；成本可以和阻容相当 内置功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁；单绕组电感； 自带OVP保护；仅10个外围元件 内置功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁；单绕组电感； 自带OVP保护；仅10个外围元件 内置高压功率MOSFET；单绕组电感；内置OVP保护。 内置高压功率MOSFET；单绕组电感；内置OVP保护。 APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；通过EMI测试 APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；通过EMI测试 APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；通过EMI测试。 APFC技术；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高； ≧0.9 BP2328D BP2329A ≧0.9 100~264VAC ≧0.9 50W I≦500MA