题4附图
解: 已知ET1=E (T1,0)-E (T0,0),ET2=E (T2,0)-E (T 0,0)。整个回路中:
E=ET1-ET2=[E(T 1,0)-E(T 0,0)]-[ E(T 2,0)- E(T 0,0)]= E(T 1,0)
- E(T 2,0)
查表得:
E(T 1,0)= E400=16.40mV, E(T 2,0)=E300=12.21mV
所以
E=16.40-12.21=4.19mV
从而查知T =102℃。
3、如下图所示镍铬-镍硅热电偶,A’、B’为补偿导线,Cu为铜导线,已知接线盒
1的温度t1=40.0℃,冰水温度t2=0.0℃,接线盒2的温度t3=20.0℃。 1)当U3=39.310mV时,计算被测点温度t。
A?tAB?Cut1接线盒1B?t2冰瓶U3Cut3接线盒2采用补偿导线的镍铬-镍硅热电偶测温示意图
2)如果A’、B’换成铜导线,此时U3=37.699mV,再求t.
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三、判断题
1.日常气象用温标为热力学温标。(×) 2.热力学温标就是国际温标。(×)
3.金属热电阻的电阻丝采用双绕法的目的是消除其电感效应。(√) 4.铜热电阻可用作标准热电阻。(×) 5.铜热电阻测温上限可达1000℃。(×)
6.金属热电阻测温是一般用电桥作为测量电路,并有三线制和四线制两种接法。(√) 7. 可用同一种均质导体作为热电偶的两个热电极。(×) 8.若热电偶两接点温度相等,则回路总热电势必为零。(√) 9.工业上使用最广泛的热电偶是K型热电偶。(√)
10.不同型号、不同材质的热电偶可以选用相同型号的补偿导线。(×)
11.可以利用不平衡电桥所产生的电动势补偿因冷端温度变化引起的热电势变化值。(√)
12.热电偶分度表中的热电势值,都是在冷端温度为25℃时给出的。(×) 13.补偿导线和热电偶两接点处温度必须相同。(√)
14.石英晶体的固有振荡频率随温度而变化,并且二者间存在良好的线性关系,其线性度可以做到比铂热电阻高10倍。(√)
15. 膜热电阻是基于纯金属材料电阻率?随温度升高而增加的原理制成的新型热敏(√)
16. 所有电阻应变片都是利用与材料应变有关的泊松系数来作压力→电阻转换的。(×)
17. 压电式传感器具有良好的高频响应性能。(√)
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元件。
18. 压电式传感器既可用于动态测量也可用于静态测量。(×)
19. 电荷放大器灵敏度与电缆长度无关,而电压放大器灵敏度与电缆长度有关。(√)
20. 变极距型电容传感器通常用于测量很大的线位移。(×)
21. 变极距型电容传感器灵敏,且输出是本质线性的,因而测量范围大。 (×) 22. 霍尔元件灵敏度越大越好。 (√)
23. 若霍尔元件的磁场和电流同时改变方向,霍尔电势的极性将保持不变。 (√) 24. 与简单式(只有一对极板)的变极距型电容传感器相比,差动式结构的灵敏度提高一倍,而线性误差大为减少。(√)
25. 凡是能够测量压力或压差的仪表,只要量程合适,皆可测量液位。(√) 26. 电容式物位计核心部分一般是变极距型电容传感器。 (×) 27. 电容式物位计仅限于测量液体的液位。 (× )
28. 测量固体粉粒的堆积高度可选用电容式物位计。 (√) 29. 超声波频率越低,衰减就越快。(×)
30. 超声波传感器中,无论是发射换能器还是接收换能器都是利用压电效应工作的。(×)
31. 最常用的超声波传感器探头是压电式换能器。(√) 32. 声源尺寸越小,其扩散角也越小。(×) 33. 直探头可以发射和接受纵波。(√)
34. 测量绝缘体的厚度可以使用电涡流式测厚仪。(×) 35. 高频涡流具有趋肤效应。 (√)
36. 高频反射式涡流传感器的线圈装置仅仅是“实际传感器的一半”,而另一半是被测体。(√)
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37. 在电涡流式传感器的设计和使用中不必考虑被测物的性质和结构。(×) 38. 变间隙式自感位移计的灵敏度是常数。(×)
39. 差动变压器一次侧励磁电源的频率最高可在达0.1MHz。(×)
40. 线圈骨架长度为75mm的差动变压器,当可动铁芯的正向行程达15mm时仍能保证测量结果准确无误。(×) 第十章 光电传感器 第十一章数字传感器 一、填空题
1、 位移量可分为 角位移 和 线位移 两种。相应地,速度亦可分为角速度和线速度。
2、光栅传感器的光栅包括_主_光栅和指示光栅,当两光栅相对平移为一个栅距W时,莫尔条纹将垂直位移一个莫尔条纹节距。
3、光栅按其原理和用途不同,可分为 物理光栅 和 计量 光栅。
4、计量光栅中 长 用于测量长度, 圆 用于测量角度。
5、光栅传感器是由 光源 、 光栅副 和 光敏元件 所组成的。
6、在光栅传感器中,采用电子细分技术的目的是: 提高测量精度 7、4位二进制码0101所对应的循环码是_0111_。
8、直射式光电式转速计通过调制盘可将被测转速的变化转换成 光通量的变化,再通过_光电_元件将光通量的变化转换成电量的变化,从而测知转速。
9、光电管、光敏电阻和光电池分别是依据_外_光电效应、_内_光电效应和光生伏特效应制成的。
10、光敏电阻的亮电阻和暗电阻相差悬殊,同一光敏电阻元件的暗电阻通常是亮电阻的102_~_107倍。
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