表 10 运行模式下的最大电流消耗，数据处理代码从内部闪存中运行
最大值(1) 符号
参数 条件 f
HCLK
T单位
A= 85°C TA= 105°C
72MHz 50 50.3 48MHz
36.1 36.2 外部时钟(2)，使 36MHz 28.6 28.7 能所有外设
24MHz 19.9 20.1 16MHz 14.7 14.9
I运行模式下 8MHz
8.6 8.9 DD
的供应电流
72MHz 32.8 32.9 mA
48MHz
24.4 24.5 外部时钟(2)，关 36MHz 19.8 19.9 闭所有外设
24MHz 13.9 14.2 16MHz 10.7 11 8MHz
6.8
7.1
1. 由综合评估得出，不在生产中测试。
2. 外部时钟为 8MHz，当 fHCLK>8MHz 时启用 PLL。
表 11 运行模式下的最大电流消耗，数据处理代码从内部 RAM 中运行
符号 参数 条件 f 最大值(1)
HCLK
TC T单位 A= 85°A= 105°C
72MHz 48 50 48MHz
31.5 32 外部时钟(2)，使 36MHz 24 25.5 能所有外设
24MHz 17.5 18 16MHz 12.5 13
I 8MHz
7.5 8
DD
运行模式下的供应电流
72MHz 29 29.5 mA
48MHz
20.5 21 外部时钟(2)，关 36MHz 16 16.5 闭所有外设
24MHz 11.5 12 16MHz 8.5 9 8MHz
5.5
6
1. 由综合评估得出，在生产中以 VDDmax 和 fHCLKmax 为条件测试。
28
2. 外部时钟为 8MHz，当 fHCLK>8MHz 时启用 PLL。
符号
表12睡眠模式下的最大电流消耗，代码运行在Flash或RAM中
最大值(1)
参数 条件 fHCLK
TA= 85°C TA= 105°C
72MHz 48MHz
外部时钟(2)， 使能所有外设
36MHz 24MHz 16MHz 8MHz
72MHz 48MHz
外部时钟(2)， 关闭所有外设
36MHz 24MHz 16MHz 8MHz
30 20 15.5 11.5 8.5 5.5 7.5 6 5 4.5 4 3
32 20.5 16 12 9 6 8 6.5 5.5 5 4.5 4
单位
IDD
睡眠模式下 的供应电流
mA
1. 由综合评估得出，在生产中以 VDDmax 和以 fHCLKmax 使能外设为条件测试。 2. 外部时钟为 8MHz，当 fHCLK>8MHz 时启用 PLL。
表 13 停机和待机模式下的典型和最大电流消耗
典型值
符号
参数
条件
VDD/VBAT = 2.4V
VDD/VBAT
TA=
TA= 105°C
最大值
单位
85°C
= 3.3V
调压器处于运行模式，低速和高速 内部RC振荡器和高速振荡器处于
停机模式下 关闭状态(没有独立看门狗) 的供应电流 调压器处于低功耗模式，低速和高
速内部 RC 振荡器和高速振荡器处 于关闭状态(没有独立看门狗)
IDD
低速内部RC振荡器和独立看门狗 处于开启状态
22.7 23.4 200 370
9.1 2.4 2.3
10.3 180 340
2.06 - -
μA
低速内部 RC 振荡器处于开启状
待机模式下
态,独立看门狗处于关闭状态
的供应电流
低速内部RC振荡器和独立看门狗
处于关闭状态，低速振荡器和 RTC 处于关闭状态
2.81 - -
1.5 3.17 4 5
IDD_VB 备份区域的 低速振荡器和 RTC 处于开启状态
供应电流 AT
1.1 1.4 1.9(2) 2.2
29
1. 典型值是在 TA=25°C 下测试得到。 2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
典型的电流消耗
MCU 处于下述条件下：
? 所有的 I/O 引脚都处于输入模式，并连接到一个静态电平上——VDD 或 VSS(无负载)。 ? 所有的外设都处于关闭状态，除非特别说明。
? 闪存存储器的访问时间调整到 fHCLK 的频率(0~24MHz 时为 0 个等待周期，24~48MHz 时为 1 个等
待周期，超过 48MHz 时为 2 个等待周期)。 ? 环境温度和 VDD 供电电压条件列于表 6。
? 指令预取功能开启(提示：这个参数必须在设置时钟和总线分频之前设置)。当开启外设时：
fPCLK1= fHCLK/4，fPCLK2 = fHCLK/2，fADCCLK = fPCLK2/4。
表 14 运行模式下的典型电流消耗，数据处理代码从内部 Flash 中运行
典型值(1) 单位 参数 条件 fHCLK
使能所有外设(2) 关闭所有外设 运 行 模 式
外部时
48MHz
IDD
下 的 供 应
钟(3)
电流
24MHz 8MHz
1. 典型值是在 TA=25°C、VDD=3.3V 时测试得到。
2. 每个模拟部分的 ADC 要增加额外的 0.8mA 电流消耗。在应用环境中，这部分电流只有在开启 ADC(设置 ADC_CR2 寄存
器的 ADON 位)时才会增加。
3. 外部时钟为 8MHz，当 fHCLK>8MHz 时启用 PLL。
符号
72MHz 32.46 21.96
21.7 14.73
mA
12.13 5.5
8.57 4.31
表 15 运行模式下的典型电流消耗，数据处理代码从内部 RAM 中运行
符号 参数 运 行 模 式
条件 fHCLK 72MHz
24.84 17.17
典型值(1)
关闭所有外设
14.21 10.05
使能所有外设(2)
单位
外部时
48MHz
IDD
下 的 供 应 电流
钟(3)
24MHz 8MHz
1. 典型值是在 TA=25°C、VDD=3.3V 时测试得到。
2. 每个模拟部分的 ADC 要增加额外的 0.8mA 电流消耗。在应用环境中，这部分电流只有在开启 ADC(设置 ADC_CR2 寄存
器的 ADON 位)时才会增加。
3. 外部时钟为 8MHz，当 fHCLK>8MHz 时启用 PLL。
mA
9.38 4.07
5.86 2.92
表 16 睡眠模式下的典型电流消耗，数据处理代码从内部 Flash 或 RAM 中运行
典型值(1) 单位 符号 参数 条件 fHCLK
使能所有外设(2) 关闭所有外设
30
IDD
外部时 睡 眠 模 式 下
钟(3) 的供应电流
72MHz 17.57 17.61 mA
1. 典型值是在 TA=25°C、VDD=3.3V 时测试得到。
2. 每个模拟部分的 ADC 要增加额外的 0.8mA 电流消耗。在应用环境中，这部分电流只有在开启 ADC(设置 ADC_CR2 寄存 器的 ADON 位)时才会增加。
3. 外部时钟为 8MHz，当 fHCLK>8MHz 时启用 PLL。
内置外设电流消耗
内置外设的电流消耗列于表 17，MCU 的工作条件如下：
? 所有的 I/O 引脚都处于输入模式，并连接到一个静态电平上——VDD 或 VSS(无负载)。 ? 所有的外设都处于关闭状态，除非特别说明。 ? 给出的数值是通过测量电流消耗计算得出
? ?
关闭所有外设的时钟 只开启一个外设的时钟
表 17 内置外设的电流消耗(1)
? 环境温度和 VDD 供电电压条件列于表 4。
25°C 时的典型功
耗
0.47 0.47 0.47 0.47 0.47 1.81 1.78 1.6 0.43 0.85
mA 单位
内置外设
TIM2 TIM3 TIM4 SPI2
APB1
USART2
USART3 I2C1 I2C2 USB CAN
25°C 时的典型功耗
1.2 1.2 0.9 0.2 0.35 0.35 0.39 0.39 0.65 0.72
单位 内置外设
GPIOA GPIOB GPIOC GPIOD GPIOE ADC1(2) ADC2 TIM1 SPI1 USART1
mA APB2
1. fHCLK=72MHz，fAPB1 = fHCLK/2，fAPB2 = fHCLK，每个外设的预分频系数为默认值。
2. ADC 的特殊条件：fHCLK=56MHz，fAPB1 = fHCLK/2，fAPB2 = fHCLK，fADCCLK = fAPB2/4，ADC_CR2 寄存器的 ADON=1。
5.3.6 外部时钟源特性
来自外部振荡源产生的高速外部用户时钟
下表中给出的特性参数是使用一个高速的外部时钟源测得，环境温度和供电电压符合表 6 的条件。
表 18 高速外部用户时钟特性
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
31