《半导体物理学》(科目代码843)考试大纲

特别提醒：本考试大纲仅适合2010年微电子学与固体电子学专业的《半导体物理》考试科目。

1． 考研建议参考书目

刘恩科等著《半导体物理学》，国防工业出版社; 或西安交通大学出版社 ISBN 7-5605-1010-8/TN.54。

2． 基本要求

（1） 掌握半导体中的电子状态和能带；本征半导体中的导电机构和空穴；半导体中电子

的运动和有效质量；硅和锗的能带结构和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的能带结构。

（2） 掌握半导体中杂质和缺陷能级；重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和Ⅲ－Ⅴ族化合

物中的杂质能级。

（3） 掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论；并掌握本征半导

体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。

（4） 掌握半导体的导电性理论；载流子的散射；迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的

关系；强电场下的热载流子效应和耿氏效应。

（5） 掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命；准费米能级；复合理论。并掌握载流子的

扩散运动；漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。

（6） 掌握p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应

的基础知识。

（7） 掌握金属与半导体的接触及其能带图；金属半导体接触整流理论基础知识。

（8） 掌握半导体表面和表面电场效应；MIS结构的电容－电压特性，硅－二氧化硅系统

的性质。

（9） 掌握异质结及其能带图，异质结的电流输运机构基础知识。