模拟电子技术基础简明教程[第三版]杨素行课后答案解析 下载本文

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20k?20k?200k?10V(e)(c)10VIB?0IC?0UCE?VCC?10V三极管工作在截止区,见图P1-14(g)中E点(与D点重合)。IB?0.0465mAIC?2.325mAUCE?VCC?10V三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中F点。CABF图P1-14(g)D、E 学习指导参考资料

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习题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。试识别它们的管脚,分别标上e、b、c,并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型,硅管还是锗管。13(+3V)2(+9V)(+3.2V)(a)13(-11V)2(-6V)(-6.7V)(a)解:本题的前提是两个三极管均工作在放大区。(a)1——发射极e,3——基级b,2——集电极c,三极管类型是NPN锗管。(b)2——发射极e,3——基级b,1——集电极c,三极管类型是PNP硅管。习题1-16已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线,并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值,以及当uDS=15V,uGS=4V时的跨导gm。uDS=15V由图可得,开启电压UGS(th)=2V,IDO=2.5mA,gm??iD4?1.2??2.8mS?uGS4.5?3.5 学习指导参考资料

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习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P型沟道或N型沟道,增强型或耗尽型)。如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS;如为增强型,标出其开启电压UGS(th)。(a)绝缘栅型N沟道增强型;(b)结型P沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P沟道增强型。习题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电压UGS(th)= +3V,IDO=4mA,请示意画出其转移特性曲线。习题1-18图习题1-19图习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流IDSS= -2.5mA,夹断电压UGS(off)=4V,请示意画出其转移特性曲线。

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习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。答:(a)无放大作用(发射结反偏);(b)不能正常放大(发射结无直流偏置);(c)无放大作用(集电结无直流偏置);(d)无放大作用(发射结无直流偏置);(e)有放大作用(是射极跟随器);(f)无放大作用(输出交流接地);(g)无放大作用(输入交流接地);(h)不能正常放大(栅极无直流偏置);(i)无放大作用(电源极性接反);习题2-2试画出图P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设各电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。答:(a)Rb+VCCRc+Re1Re2(a)直流通路+Re1Ui-RbUoRc-(a)交流通路 学习指导参考资料