（3） 稳压管在UI和RL变化至何值时功耗最大？其值是否已超过允许值？（U1的变化范围不超过±20%，

RL可任意变化。）

（4） 按照图中的参数，分析该电路在IL大于何值时将失去稳压能力？

解：(1) IR?20?99V?21.6mA，IL??9mA，IZ=12.6mA。 5101kΩ(2) ΔUO?20Ω//1000Ω?(?4V)??0.15V

510Ω?(20Ω//1000Ω)24?9?9?265mW?PZ，超过允许值。 510UImax-UZ?IZmin?28.4mA时，失去稳压能力。 R(3) 当U变化+20%和RL→∞时稳压管的功耗最大。

PZ(max)?(4) 当IL?ILmax ?

九、有两只稳压二极管DZ1、DZ2，其稳定电压分别为VZ1=6V、VZ2 =10V，两管正向导通电压降均为0.7V。如果将它们以不同方式串联后接入电路，可能得到几种不同的电压值？试画出相应的电路图。

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十、二极管电路如图所示，设二极管均为理想二极管，vs=10sinωt（V）。 （1）画出负载RL两端电压vo的波形。 （2）若D3开路，试重画vo的波形。 （3）若D3被短路，会出现什么现象？

（3）若D3被短路，则在输入电压的正半周将使电源短路，烧坏电源。

第四章 三极管及其放大电路

§4.1

一、问答题：

1. 能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT？

答：不能，因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外，还需满足三个内部条件。 2. BJT 的e极、c极能否交换使用？

答：不能，因为e极、c极所对应区域的掺杂浓度和横截面积均不相同。 二、填空题：

1. 三极管实现放大的三个内部条件是（发射区掺杂浓度最高）、（基区最窄）、（集电区横截面积最大）。 2. 三极管具有放大作用的外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 3. 三极管工作在饱和区时，发射结（正偏）,集电结（正偏）； 工作在截止区时，发射结（反偏）,集电结（反偏）。

4. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（ 100 ）。

5. 工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是（多子的扩散流），流过集电结的电流主要是（漂移电流）。（扩散电流/漂移电流）

6. 反向饱和电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

7．测得某放大电路中三极管的三个电极A、B、C对地点的电位分别为-11、-6、-6.7，则A电极为（ 集电 ） 极，B电极为（ 发射 ）极，Ｃ电极为（ 基极 ）极。

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三、

1．从下图所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型以及它在电路中所处的工作状态。 （1） 是锗管还是硅管？

（2） 是NPN型还是PNP型？

（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）

提示：注意在放大区，硅管UBE?UB?UE?0.7V，锗管UBE?0.3V，且

UCE?UC?UE>0.7V；而处于饱和区时，UCE?0.7V。

解： (a) NPN硅管，工作在饱和状态；

(b) PNP锗管，工作在放大状态； (c) PNP锗管，管子的b-e结已开路； (d) NPN硅管，工作在放大状态； (e) PNP锗管，工作在截止状态； (f) PNP锗管，工作在放大状态； (g) NPN硅管，工作在放大状态； (h) PNP硅管，工作在临界饱和状态。

2．测得放大电路中的两只晶体管的各电极直流电位如图3.2所示。试在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

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3．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。试分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。

四、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析UBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压UO的值。

解：（1）当UBB＝0时，T处于截止状态，UO＝12V。 （2）当UBB＝1V时，因为

IB?UBB?UBE?60?ARbUCC?UCES?240?A?Rc

IBS? IB?IBS T 工作在放大状态。

IC?? IB?3mAUO?UCC?ICRc?9V

（3）当UBB＝3V时，因为

IB?UBB?UBE?460?ARb

IB?IBS T 工作在饱和状态。 UO?UCES?0V

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