五、
(1) 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
答：应选用β＝100，ICEO＝10μA的管子，可使管子在构成放大电路时温度稳定性高。 (2) 当温度升高时，三极管的β（增大），反向饱和电流ICBO( 增大 ) , UBE( 减小 )，最终导致集电极电流 IC（增大）。
(3) 三极管的安全工作区受哪些极限参数的限制？使用时，如果超过某项极限参数，试分别说明将会发生什么结果。
答：三极管的安全工作区受PCM、ICM、U(BR)CEO三个极限参数的限制。
PCM过大，集电结发热，结温上升，当结温超过最高工作温度（硅管150℃，锗管70℃）时，BJT性能下降，甚至会烧坏。
ICM过大，BJT不一定会烧坏，但β值将过小，放大能力太差。
U(BR)CEO过大，使ICEO明显增大，导致集电结出现雪崩击穿。
§4.2
一、（1）放大电路组成原则有哪些？利用这些原则分析（2）题
（2）试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
答：（1）放大电路组成原则：设置合适的静态工作点（即保证发射结正偏，集电结反偏）； 保证交流信号畅通无阻。 （2）a. 不能，ui被VBB短路； b. 能；
c. 不能，ui不能直接驮载在静态电压之上，其间需加隔直流电容器；
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d. 不能，发射极回路无电阻会使回路电流过大而烧坏BJT。另外实用电路中交、直流电源不能串
联使用，它们的电源负极需共地；
e. 不能，电容C2将ui短路；
f. 不能，无集电极电阻Rc会使输出信号被VCC短路。 二、（1）在电子电路中，放大的实质是什么？放大的对象是什么？负载上获得的电压或功率来自何处？ （2）为什么要设置Q点？
（3）由于放大电路中存在着电抗元件，其交、直流通路不相同，请回答如何画直流通路？如何画交流通路？ 答：（1）放大的实质是对放大器件（即能量控制部件）的控制作用。
放大的对象是交流小信号。
负载上获得的电压或功率来自直流电源。
（2）设置Q点的目的是保证输入交流小信号不失真地放大。 （3）直流通路：将电路中耦合和旁路电容的作用去掉，即断路。
交流通路：对一定频率范围内的交流信号而言，耦合和旁路电容可视为短路；
对交流信号，电路中内阻很小的直流电压源可视为短路；内阻很大的直流电流源可视
为开路。
三、画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
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§4.3
一、在下图所示电路中，已知晶体管的?＝80，r be＝1kΩ，Ui＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“?”，否则打“×”。
4???4??5.71（×） （×） （2）??200Au0.720?10?3???80?5??400（×） （4）A???80?2.5??200（√） （3）Auu11??? （1）Au200.7)k??1k?（×） （6）Ri?()k??35k?（×） 200.02 （7）Ri?3k?（×） （8）Ri?1k?（√）
（5）Ri?(（9）Ro?5k?（√） (10) Ro?2.5k?（×）
?≈20mV (×) （12）U?≈60mV (√) （11）Uss
二、电路如图所示，已知晶体管?＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为
多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降VCES＝0.5V。
（1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路
解：（1）IB?VCC?VBEVBE??0.022mA VC?VCC??IBRc?6.4V
Rb2Rb1 （2）VBE?0 , BJT截止， VC?12V
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（3）
IB?VCC?VBEV?VCES?0.22mA IBS? CC?0.045mA Rb2?RcIB?IBS，BJT饱和，VC?VCES?0.5V （4）BJT截止， VC?12V （5） VC?12V
三、放大电路的直流负载线和交流负载线的概念有何不同？什么情况下两条负载线重合？ 答：直流负载线：由直流通路确定，其斜率等于-1/Rc的一条直线。
交流负载线：由交流通路确定，其斜率等于 ?1/RL?的一条直线。由于RL??Rc，故交流负载线的斜率大于直流负载线的斜率。
当负载RL断路时，交流负载线与直流负载线重合。
四、共发射极放大电路及三极管的伏安特性如图所示。
（1） 用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适？
（2） 在UCC和三极管参数不变的情况下，为了把三极管的集射极电压UCEQ提高到5V左右，可以改变哪
些电路参数？如何改变？
（3） 在UCC和三极管参数不变的情况下，为了使ICQ=2mA，UCEQ=2V，应改变哪些电路参数，改变到什
么数值？
解：(1) IB?10?0.7?18.2μA，可知静态工作位置在Q点，不合适； 510 20