1、 STM32小容量和中容量(flash 256k以内)的每个页为1k，大容量（256k及以上）、互联型

（什么容量都有）的为2k。

2、 其中Flash中有一个信息块，包括系统存储器（片内boot）、选项字节（控制读写保护、

用户选项字节、用户自定义信息）。

3、 STM32 上电是flash操作相关寄存器是锁定的，不允许flash相关寄存器操作（包括擦写、

编程、选项字节读写（读写保护配置（默认出厂为读写保护都无效）等）），如果需要以上操作需要先解锁Flash寄存器。 4、 Flash寄存器解锁：

1、 往FLASH_KEY里依次写KEY1 （0x45670123）、 KEY2 （ 0xCDEF89AB ）。 2、 可通过判断FLASH_CR的LOCK位（1为锁住），进行判断当前是否锁住； 3、 可往FLASH_CR的LOCK位写1来从新锁定flash寄存器。

5、 选项字节操作

a) 选项字节擦除

1、先执行Flash寄存器解锁（如果之前没解过锁）；

2、再执行OPT寄存器解锁：FLASH_OPTKEYR里依次写KEY1 （0x45670123）、 KEY2 （ 0xCDEF89AB ）；

3、再FLASH_CR寄存器的OPTWRE位写1允许编程或擦除选项字节； 4、再FLASH_CR寄存器的OPTER位写1后； 5、以及FLASH_CR的STRT位写1； 6、判断FLASH_SR的BUSY直到完成。

7、等完成需清除FLASH_CR寄存器的OPTER位； 8、系统复位重新加载后生效，到此擦除选项字节后flash读保护有效、写保护已经解除。 （flash读保护开启时，程序不能jtag调试，但可用jtag ram执行解锁程序来解锁）

b) flash关闭读保护

如果需要关闭读保护，需要先通过a)选项字节擦除过程（不需要先系统复位，即步骤8不需要执行），接着执行以下操作:( 此操作比较危险因为会擦除整个flash)。

8、FLASH_CR的OPTPG位写1；

9、0x1FFFF800位置的RDP写入半字0x00A5； 10、判断FLASH_SR的BUSY直到完成。

11、等完成需清除FLASH_CR寄存器的OPTPG位；

12、系统复位重新加载后生效，可通过FLASH_OBR[1]中RDPRT读出1表示读保护。

c) flash写保护关闭

1、 整片flash写保护关闭可以通过a)选项字节擦除过程来实现，擦除并系统复位后写

保护无效，读保护有效；

2、 部分flash写保护关闭，需要先通过a)选项字节擦除过程（不需要先系统复位，即

步骤8不需要执行），再重写入0到需保护的对应位，可参考flash关闭读保护

流程（通过写对应的选项字节来实现）。

3、 可通过读FLASH_WRPR来获取对应那些页具有写保护（1表示写保护失效）。

注：

1、对于大容量和互联型产品，从第0页至第61页，写保护是以每2页为单位实现的，剩下的存储器块(大容量产品的第62页至第255页，和互联型产品的第62页至第127页)则是同时提供保。

2、对于小容量和中容量的产品，写保护是以每4页为单位实现。

3、选项字节包含用户选项字节，擦除后，如果需要特殊用途还需将其修改回来(一般不需要管)，包括：

— 选择看门狗事件：硬件或软件 ─ 进入停机(STOP)模式时的复位事件 ─ 进入待机模式时的复位事件

6、 Flash页擦除：

1、 先执行Flash寄存器解锁（如果之前没解过锁）； 2、 然后往FLASH_CR的PER位写1； 3、 然后FLASH_AR里写入页首地址； 4、 FLASH_CR的STRT位写1后；

5、 判断FLASH_SR的BUSY直到完成； 6、 等完成一页擦除需清除PER位；

7、 如果需要下一页擦除，需要重新开始所有步骤才行。

7、 Flash半字编程：

1、 先执行Flash寄存器解锁（如果之前没解过锁）； 2、 然后往FLASH_CR的PG位写1； 3、 然后往目标Addr写入半字后； 4、 判断FLASH_SR的BUSY直到完成； 5、 再依次往下一半字地址写和判断状态； 6、 循环写操作；

7、 等全部写完需清除PG位。