允许的值。

：级班 ：号考 ：名姓《晶体二极管及二极管整流电路》试题

时间：60分钟 总分： 分 班级： 班 命题人：

一、判断题

1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。（错误） 2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （正确）

3. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。 （正确）

4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （错误） 5. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （错误）

6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。 （正确） 7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。 （正确） 8. 二极管具有单向导电性。 （正确） 9. 二极管是线性器件。 （错误）

10. 二极管和三极管都是非线性器件。 （正确）

11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。 （错误） 12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。 （错误）

13. 二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。 （正确）

14. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。 （错误） 15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。 （正确）

16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。 （正确） 17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。 （错误） 18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。 （正确）

19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。 （正确） 20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。 （错误） 21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。 （错误）

22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。 （正确）

23. 半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。 （正确）

24. 晶体二极管击穿后立即烧毁。 （错误）

25. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。 （正确）

26. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。 （正确）

27. 二极管的最高反向工作电压是指整流二极管两端的反向电压不能超过规定的电压所

如超过这个允许值，整流管就可能击穿。 （正确）

28. 整流二极管在最高反向工作电压下工作时，反向电流越大，说明整流二极管的单向导电性能越好。 （错误）

29. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。 （错误）

30. 发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。 （正确） 31. 稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。 （正确）

32. 稳压二极管稳压时它工作在正向导通状态。 （错误）

33. 稳压二极管在起稳定作用的范围内，其两端的反向电压值，称为稳定电压。 不同型号的稳压二极管，稳定电压是不同的。 （正确）

34. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在反向偏置状态，但其两端电压必须大于它的稳压值Uz，否则处于截止状态。 （正确）

35. 稳压管与其它普能二极管不同，其反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常。 （正确）

36. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。 （正确）

37. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。 （错误） 38. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。 （正确）

39. 同种工作条件，单相半波整流电路和单相全波整流电路，其二极管承受的反向电压大小一样。 （错误）

40. 同种工作条件，单相半波整流电路和单相桥式整流电路，其二极管承受的反向电压大小不同。 （错误）

41. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择 （错误）

42. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。 （正确）

43. 在滤波电路中，只有电容滤波电路和电感滤波电路。 （错误） 44. 电容滤波器，电容越小，则滤波效果越好。 （错误） 45. 电容滤波电路的特点是：纹波成分大大减少，输出的直流电比较平滑，电路简单。 （正确）

46. 滤波电路一般是由储能元件组成，主要利用储能特性把脉动直流电变为平滑的直流电。 （正确）

二、单选题

1. 本征半导体是（ B ）。

A. 掺杂半导体 B. 纯净半导体 C. P型半导体 D. N型半导体 2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A）元素构成的。 A. 三价； B. 四价； C. 五价； D. 六价。

3. N型半导体是在本征半导体中加入微量的（ C）元素构成的。 A. 三价； B. 四价； C. 五价； D. 六价。 4. P型半导体的多数载流子是（ B ）。

A. 电子 B. 空穴 C. 电荷 D. 电流 5. N型半导体的多数载流子是（ B ）。

A. 电流 B. 自由电子 C. 电荷 D. 空穴 6. 关于N型半导体的下列说法，错误的是（ C ）。

A. 自由电子是多数载流子 B. 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极 C. 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体 D. 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

7. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。 A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴 B. P型半导体中只有空穴导电

C. N型半导体中只有自由电子参与导电

D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电 8. 半导体的导电能力随温度升高而（ ），金属导体的电阻随温度升高而（ D）。 A. 降低/降低 B. 降低/升高 C. 升高/降低 D. 升高/升高 9. PN结呈现正向导通的条件是( B )。 A. P区电位低于N区电位 B. N区电位低于P区电位 C. P区电位等于N区电位 D. N区接地 10. 二极管的反向电流随着温度降低而( B )。 A. 升高 B. 减小 C. 不变 D. 不确定 11. 半导体PN结的主要特性是（ C ）。

A. 具有放大特性 B. 具有改变电压特性 C. 具有单向导电性 D. 具有增强内电场性 12. 晶体二极管的主要特性是（ C ）。 A. 放大特性 B. 恒温特性 C. 单向导电性 D. 恒流特性 13. 在半导体PN结两端施加（B）就可使其导通。 A. 正向电子流 B. 正向电压 C. 反向电压 D. 反向电子流 14. 硅二极管导通时，它两端的正向导通压降约为（ B ）。 A. 0.1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V 15. 硅二极管的死区电压约为（ D ）。 A. 0.1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V

16. 锗二极管导通时，它两端的正向导通压降约为（C）。 A. 0.1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V

17. 锗二极管的死区电压约为（A）。

A. 0.1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V 18. 二极管由（ A）个PN结组成。 A.1 B.2 C.3 D. 0 19. 晶体二极管的主要功能之一是( D )。 A. 电压放大 B. 线路电流放大 C. 功率放大 D. 整流

20. 晶体二极管的正极电位是-8V，负极电位是-2V，则该晶体二极管处于（ A ）。A. 反偏 B. 正偏 C. 零偏 D. 不可判断

21. 晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-16V，则该晶体二极管处于（B）。 A. 反偏 B. 正偏 C. 零偏 D. 不可判断 22. 稳压二极管具有（ B ）作用。 A. 开关 B. 稳压 C. 放大 D. 滤波 23. 二极管的反向电阻（ B ）。

A. 小 B. 大 C. 中等 D. 为零 24. 下列说法正确的是（ C ）。 A. N型半导体带负电 B. P型半导体带正电 C. PN结型半导体为电中性体

D. PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生 25. 半导体的电阻随温度升高而（B ），金属导体的电阻随温度升高而（ B ）。 A. 降低/降低 B. 降低/升高 C. 升高/降低 D. 升高/升高 26. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。 A. 增大 B. 不一定 C. 减小 D. 不变

27. 锗二极管的正向导通压降比硅二极管的正向导通压降（B ）。 A. 大 B. 小 C. 相等 D. 无法判断 28. 稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A. 导通状态 B. 截止状态 C. 反向击穿状态 D. 饱和状态 29. 整流电路的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 D. 将直流变为交流 30. 下列符号中表示稳压二极管的为（ B ）。

A. B. C. D.

31. 上题符号中表示发光二极管的为（C）。 32. 上题符号中表示光电二极管的为（D）。

33. 在桥式整流电容滤波电路中，若有一只二极管断路，则负载两端的直流电压将会（ A ）。 A. 下降 B. 升高 C. 变为0 D. 保持不变 34. 稳压二极管是利用二极管的（ C ）特征制造的特殊二极管。 A. 正向导通时电压变化小 B. 反向截止时电流小 C. 反向击穿时电压变化小而反向电流变化大 D. 单向导电 35. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（ A）。 A. 大 B. 小 C. 相等 D. 无法判断 36. 电路如图所示，则处于导通状态的二极管是(A )。 A. 只有D1 B. 只有D2 C. D1和D2 D. D1和D2均不导通

37. 在整流电路中，设整流电流平均值为

， 则流过每只二极管的电流平均值

的电路是（ B ）。 A. 单相桥式整流电路 B. 单相半波整流电路 C. 单相全波整流电路 D. 以上都不行

38. 如图所示，两只硅稳压二极管的稳压值分别为3V和6V，如果输入电压UI为8V，则输出电压U0为（ A ）。 A.3V B. 6V C. 9V D. 0.7V

39. 半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型，点接触型二极管能承受的正向电流较（ B ），面接触型二极管能承受的正向电流较（ B ）。 A. 小/小 B. 小/大 C. 大/小 D. 大/大

40. 当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时，该晶体二极管相当于（ D ）。 A. 小阻值电阻 B. 一根导线 C. 内部短路 D. 阻值很大的电阻

41. 两个硅稳压管，Uz1 =6V，Uz2=9V, 下面（ D ）不是两者串联时可能得到的稳压值。

A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D.3V