IE?(UB?UBE)/Re?(7.5?0.7)V/2.9k??2.35mA rbe?300??(1?100)?26mV/2.35mA?1.417k?Au??(Rc1//RL)/rbe?100?(2.1k?//1k?)/1.417k??48.04?

（3）Ri?Re//[rbe/(1??)]?2.9k?//[1.417k?/(1?100)]?14? Ro?Rc1?2.1k?

2．34四个FET的输出特性如图题2．34所示(其中漏极电流的参考方向与实际方向一致)，试问它们是哪种类型的FET?若是耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和电流IDSS的大小；若是增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。

2.34解答：

（a）耗尽型NMOS管，UGS(off)= –4 V, IDSS=2 mA

（b）结型P沟道，UGS(off)=4 V, IDSS=4 mA （c）增强型PMOS管，UGS(th)= –2 V （d）增强型NMOS管，UGS(th)=2 V

2．35 四个FET的转移特性如图题2．35所示，试判别它们分别属于哪种类型的FET，对于耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和电流IDSS的大小；对于增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。

2.35解答：

（a）结型N沟道，UGS(off)= –4 V, IDSS=4 mA

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（b）耗尽型NMOS管，UGS(off)= –4 V, IDSS=2 mA （c）增强型PMOS管，UGS(th)= –2 V

（d）耗尽型PMOS管，UGS(off)=2 V, IDSS=2 mA

2．36 已知图题2．36所示电路中FET的IDSS =5 mA，已知gm=1．34 mS，试求： (1)电压放大倍数；

(2)输人电阻和输出电阻。

2.36解答：

'?Rd//RL?3k?//1?103k??2.99k? （1）RL'??1.34mS?2.99k???4 Au??gmRL?

（2）Ri?Rg3?(Rg1//Rg2)?510k??(91k?//10k?)?519k? Ro?Rd?3k?

2．37 已知图题2．37所示电路中FET的gm=5 mS，当US=20 mV时，试求输出电压uo

的大小。

2.37解答：

'?R2//Rd//RL?10?103k?//20k?//10k??6.66k?RL ?'Au??gmRL??5mS?6.66k???33.3由于Ri?Rs，故Aus?AuRi/(Ri?Rs)?Au 所以

Uo?33.3?20mV=666mV

???2．38求图题2．38所示电路中的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。已

知gm=1 ms，IDO =2 mA，UGS(th)=2 V。

2.38解答：

UGS?VDDRg2/(Rg1?Rg2)?15V?3k?/(12k??3k?)?3VID?IDO(UGS/UGS(th)?1)2?2mA(3V/2V?1)2?0.5mAUDS?VDD?IDRd?15V?0.5mA?10k?=10VAu??gmRd??1mS?10k???10Ri?Rg3?(Rg1//Rg2)?10M??(12k?//3k?)?10M?Ro?Rd?10k?

?

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2．39 图题2．39所示为光电三极管直接驱动24 V、5 mA的微型继电器KA的电路，试说明其工作原理及二极管D的作用(该光电管的光电流大于10 mA，最高工作电压30 V)。

2.39解答： 有光照时，光电三极管导通，继电器KA的线圈有电流通过，则继电器的触点（图中未画出）动作；无光照时，光电三极管截止，继电器KA的线圈无电流通过，则继电器的触点恢复原来状态，从而实现继电器对相关设备的控制。图中二极管称续流二极管，由于继电器KA的线圈是电感元件，当光电三极管由导通到截止的瞬间，继电器线圈两端将产生较高的自感应电压，极性为下正上负，从而使二极管导通，钳位于0.7 V，对三极管起保护作用。

2．40 图题2．40所示为光电耦合器组成的无触点常开式开关电路，试说明其工作原理。 2.40解答： 当输入为低电平时，三极管T截止，光电耦合器中的发光器件无电流通过不发光，则光电耦合器中的受光器件无输出，相当于触点断开；当输入为高电平时，三极管T饱和导通，光电耦合器的发光器件有电流通过而发光，则光电耦合器的受光器件有输出，相当于触点闭合；因此，光电耦合器构成无触点的动合式开关电路。

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