13.(了解) AT89C51单片机的ROM空间中，这6个地址（0、03H、0BH、13H、1BH、23H）有什么特殊的意义和用途？用户应怎样合理安排？
答：他们都是特殊的地址单元，其中0000H是单片机复位后，系统开始取指、执行指令的地址，即单片机复位后PC值为0000H；而03H、0BH、13H、1BH、23H是单片机5个中断服务子程序的入口地址。相邻中断入口地址间隔8个单元。当程序使用中断时，在入口地址处安放一条跳转指令，而相应的中断服务子程序从转移地址开始安放，若中断服务子程序小于等于8个单元可直接存在入口地址开始的8个单元内。若没有用到中断功能，这些单元就可以作为一般的程序存储器用。
14. 位地址3EH和字节地址3EH有何区别？位地址3EH具体在片内RAM中什么位？
答：字节地址3EH是内RAM低128字节中的一个字节存储单元。
而位地址是针对可位寻址区域而言的，位寻址区占用了字节地址的20H~2FH共16个字节，字节地址20H中的20H.0~20H.7位地址是00H~08H，因此位地址3EH是字节地址27H中的第7位。
15．程序计数器寄存器PC的作用？复位后PC中值各为何？
答： 程序计数器PC时一个16位的计数器，其内容为将要执行的指令的首地址，寻址范围达64KB，PC具有自动加1功能，以实现程序的顺序执行。PC不可寻址，无法对它进行读写。
复位后，PC=0000H，使单片机从0000H单元开始执行。 16. 画图说明AT89C51单片机的存储空间结构。 答：
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ROM，程序存储器（只读）RAM，数据存储器（读/写）FFFFH外部FFFFH外部ROM 60KB1000HFFFH内部FFH外部ROM内部ROMEA=1000HEA=080H7FH内部数据RAM00H专用寄存器区0000HPSEN
RDWR
程序存储器ROM结构 内RAM存储器结构 补充：8051单片机内部的存储器结构
存储器是计算机的重要硬件之一，单片机存储器结构有两种类型： 一种是程序存储器和数据存储器统一编址，属于普林斯顿结构。
另一种是程序存储器和数据存储器分开编址的哈佛结构。 MCS-51 采用的是哈佛结构。
19、8051单片机的内部RAM的结构
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内部256B共分为：RAM（低128B）和特殊功能寄存器SFP区（高128B）（
参考教材P15--）
MCS-51 内部有 128 个字节的数据存储器 RAM ，它们可以作为数据缓冲器、堆栈、工作寄存器和软件标志等使用。内部 RAM 地址为 00H ～ 7FH ，不同的地址区域内，规定的功能不完全相同。低128 字节地址空间的 RAM 中不同的地址区域功能分配为：
① 工作寄存器区 （00H-1FH）
单片机的内部工作寄存器以 RAM 形式组成，即工作寄存器包含在内部数据存储器中。地址为 00H ～ 1FH 单元，内部 RAM 的低 32 字节分成 4 个工作寄存器区，每一个区有 8 个工作寄存器，编号为 R0 ～ R7 。 ② 位寻址空间 （20H-2FH）
CPU 不仅对内部 RAM的 20H ～ 2FH 这 16 个单元有字节寻址功能，而且具有位寻址功能（可以单独读写某一位）。给这 128 位赋以了位地址为 00H ～ 7FH ， CPU 能直接寻址这些位。
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③ 堆栈和数据缓冲区 （30H-7FH ）
原则上MCS-51单片机的堆栈可以设在内部RAM的任意区域内，但是一般设在30H～7FH的范围内。栈顶的位置由堆栈指针 SP 指出。
④ 特殊功能寄存器 SFR区（高128B，即 80H ～ FFH）
在高128B区中，在 80H～FFH 的地址空间内离散地分布着18个特殊功能寄存器（SFR），并允许像访问内部RAM一样方便地访问特殊功能寄存器。
例如：四个口P0~~P3、 ACC、TMOD、TCON、SCON、SP、TH0、TL0等。（参考教材P17）
（补充：8052 有 21 个特殊功能寄存器。）
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输入/输出（I/O）口及其简单应用
1. AT89C51四个I/O口使用时有哪些分工和特点？试作比较，并填写下表。 I/O口 相同的不同的基本第二SFR字位地址 结构 结构 功能 功能 节地范围 址 P0 都有锁多路选输入数据80H 存器、输择开关 输出 线 入缓冲器和输出驱动器 /低8位地址线 80~87H 强，8个LS TTL 输入，8个引脚最大吸收电流26mA P1 输入 输出 P2 多路选输入高8位A0H 择开关 输出 地址线 P3 选择输输入第二B0H 出功能 输出 功能
2. AT89C51的4个I/O口作为输入口时，为什么要先写“1”？
答：AT89C51读操作时，为读入正确的引脚信号，必须先保证场效应管截止。因为场效应管导通，引脚电平为0，显然，从引脚输入的任何外部信号都被场效应管强迫短
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驱动能力 90H 90~97H 4个LS TTL输A0~A7H 入，8个引脚最大吸收B0~B7H 流15mA