图（6） 单吸引子
图（7） 双吸引子
图（8） 阵发混沌
3. 改变R值计算菲根鲍姆常数
表二 不同R下分岔点处C2取值
?1（uF） 0.0006 0.0016 ?2（uF） 0.0029 0.0041 ?3（uF） 0.0035 0.0047 ?'??2??1 ?3??23.83 4.17
R1电阻状态下比R2电阻状态下，系统更接近于混沌状态，而?1'
满足?'越接近?，系统进入混沌状态就越快。
很明显，?'远小于?，原因有以下几点：①由于实验仪器精度问题，实验中只能测到?3的值，不能让n趋近于∞；②电容只能精确到uF小数点后五位，致使?'产生误差；③混沌电路对外界微小变化十分敏感，而实验不能保证外界变化不会影响到电路，从而在测量数据时，混沌电路状态已经发生改变，致使误差产生。 4. 混沌同步
混沌同步、准同步、去同步见附图（9）——（11）。
图（9） 准同步
图（10） 同步
图（11） 去同步
由图像知同步图像为一条直线，准同步图像接近一条直线，而去同步图像为非规则图型。 六．【结论与建议】
本实验通过对有源非线性电阻伏安特性曲线的测量，得出其伏安特性曲线性质，并通过调节蔡氏电路得到费根鲍姆常数近似值3.83、4.17，并得到混沌运动的各种状态。最后通过对两个蔡氏电路的混沌同步，初步了解了同步、准同步和去同步。
建议：在测量费根鲍姆常数时一定要尽量快，否则得到的数据将会与理论值相差很大。 【参考文献】
《近代物理实验补充讲义》 熊俊 主编 北京师范大学出版社