电 子 科 技 大 学

实 验 报 告

（实验）课程名称 微电子器件

实验三：晶体管特征频率的测量分析

学生姓名：

学 号：201203*******

指导教师：刘继芝

实验地点： 211楼605

实验时间：2015、6、18

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一、实验室名称： 微电子器件实验室 二、实验项目名称：晶体管特征频率的测量分析 三、实验学时：3 四、实验原理：

晶体管放大系数与频率的关系如下：

???0exp??jm??b??0 ?? 1221?j????1??ff??? 直接在利用晶体管放大系数

?为1的条件测量晶体管特征频率fT较为困难，而利用下式，根据图中

f??f?f?的线性关系则可在较低频率测量特征频率fT，这就是“増益—带宽”积的测量方法。

fT??f??0f?，

五、实验目的：

掌握晶体管fT的“増益—带宽”积的测试原理，并熟练地运用fT测试仪测试双极晶体管的特征频率。

六、实验内容：

1、 在规定Vce, Ie 偏置下测晶体管特征频率fT。 2、 Vce置定值，测量fT—Ie关系。 3、 Ie置定值，测量fT—Ie关系。

4、 发射结并数pF电容，观察特征频率fT变化

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七、实验器材（设备、元器件）：

QT16高频小功率晶体管fT测试仪、高频小功率双极晶体管

八、实验步骤：

a.熟悉晶体管特征频率测试仪的测量范围，信号源工作频率，然后开机预热。 b. 从器件手册上查出所选器件的范围。 c.确定信号源工作频率，校准仪器 d.按实验方法所述进行测量。

九、实验数据及结果分析：

a、特征频率分别与Ie、Vce的关系如下图：

ft-c400特征频率(MHz)30020010005电容(pF)10b、特征频率与并联电容的关系如下：

十、实验结论：

通过测试，可以知道：高频小功率NPN晶体管的特征频率与工作状态密切相关，在一定的偏置下可以达到最大值，这对电路设计具有指导意义。另一方面，结电容对晶体管的特征频率影响极大，小的发射结电容可以获得高的特征频率。

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十一、总结及心得体会：

晶体管特征频率fT定义为共射极输出交流短路电流放大系数?随频率下降到1时的工作频率，是晶体管的重要参数。本实验使我掌握了“増益—带宽”积的方法，理解了晶体管特征频率fT的性质。

十二、对本实验过程及方法、手段的改进建议：

本次实验因为仪器原因没有进行晶体管频率特性的测量，希望及时修正仪器。

报告评分：

指导教师签字：

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