半导体基础 下载本文

总课时:第 课时 上课时间:2006年 月 日

教学内容: 第一章 半导体器件的基础知识……理论归纳 教学目的: 1、让学生掌握本章考点

2、指导好学生归纳本章的理论和知识结构

教学重点: 如何去归纳本章的理论知识,并掌握它 教学难点: 让学生学会学习、学会归纳 教学方法: 复习归纳法,讨论法 教学时间: 2课时 教学过程: 一、本章考点

1、了解二极管、三极管、场效应管的基本图形、文字符号。

2、理解二极管、三极管、场效应管的基本特性以及二极管、三极管的特性曲线和参数的意义。

3、能使用相关仪表判别二极管的极性和三极管的类型及管脚排列;能测绘二极管、三极管特性曲线。 二、知识结构

1、半导体的两种载流子、扩散和漂移的概念。 2、PN结外加不同极性电压时的导电性能。

3、半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数IF、IR、U(BR)的物理意义。

4、半导体三极管(NPN硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β、 ICEO、ICEO、ICM、PCM、U(BR)CEO的物理意义。

6、半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点。 7、MOS管主要参数。 三、重点知识归纳

1、 PN结的单向导电特性

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P变薄----++++NP变厚------------++++++++++++N空穴(多数)电子(少数)电子(多数)空穴(少数)内电场外电场-R内电场IR-R外电场+?AU+mAU

在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压。 1) PN结正向偏置

给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),如图所示。由于外加电源产生的外电场的方向与PN结产生的内电场方向相

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反,削弱了内电场,使PN结变薄,有利于两区多数载流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN结处于正向导通状态。 2) PN结反向偏置

给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏),如图所示。 由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为反向电流。应当指出,少数载流子是由于热激发产生的,因而PN结的反向电流受温度影响很大。 2、二极管的伏安特性

半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。

iV / mAB′锗B硅1510IR5OA′-5-U(BR)CC′-30AuV / V0.20.40.60.8DD′(?A)3、二极管的主要参数

① 最大整流电流IF② 最大反向工作电压 URM 4、三极管电流放大作用

外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。图为NPN管的偏置电路。 图所示为三极管内部载流子运动的示意图。 1)发射区向基区发射电子的过程 2)电子在基区的扩散和复合过程 3)电子被集电区收集的过程

cICBOICNNRcICIBbIBNP+UCC-RbN+UBB-IEe

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5、晶体三极管的特性曲线

iB / ?A10080uCE=0uCE≥1 ViC / mA饱和区1008025℃60402000.20.4放大区604020iB=0 ?A0.60.8uBE / V0246810uCE / V截止区(a)(b)6、温度对三极管的影响

1) 温度对uBE的影响

三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似,温度升高,曲线左移,如图(a)所示。在iB相同的条件下,输入特性随温度升高而左移,使uBE减小。温度每升高1℃,uBE就减小2~2.5mV。

2)温度对ICBO的影响

三极管输出特性曲线随温度升高将向上移动 。

3)温度对β的影响

温度升高,输出特性各条曲线之间的间隔增大。 7、晶体三极管的主要参数 1)电流放大系数β 2)极间反向截止电流

①发射极开路,集电极-基极反向截止电流ICBO 。

②基极开路,集电极-发射极反向截止电流ICEO 。ICEO是当三极管基极开路而集电结反偏和发射结正偏时的集电极电流。也叫穿透电流。

ICEO=(1+β)ICBO,他们均随温度的上升而增大。 3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM:当IC超过一定数值时β下降, β下降到正常值的2/3时所对应的IC值为ICM,当IC>ICM时,可导致三极管损坏。 ②集电极最大耗散功率PCM

集电极最大耗散功率是指三极管正常工作时最大允许消耗的功率。

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