J2461型晶体管特性图示仪 下载本文

从图46-3三极管测试原理方框图中可以看出,集电极分压电阻中流过的电流也和被测电流一起,反映在电流取样电阻中,此电流数值为集电极电压除以分压电阻值。分压电阻数值较大,约为580千欧,流过的电流较小,对电流为毫安级以上正向特性测试,可以忽略。但对负向特性测试,由于反向电流数值较小,就必须考虑此数值,否则就会带来较大的测试误差。如图46-11。中A点电流读数为80微安,取样电阻流过的电流10伏/580千欧=17微安,因而该点反向电流为80-17=63微安。

二极管2CZ82A的测试

2CZ82A硅半导体整流二极管,原来型号为2CP10,用于电源部分的整流。其正向伏安特性测试时,图示仪面板控制器按表46-5放置,将被测二极管正极插入晶体管插座C插孔,负极插入E插孔,慢慢地顺时针转动扫描电压调节旋钮,加大扫描电压,示波管荧光屏上就可显示出2CZ82A正向伏安特性曲线如图46-12所示。从图可以看到,当正向电压小于0.6伏时,正向电流很小。当正向电压大于0.6伏时,正向电流迅速增大。当电流达到额定正向整流100毫安时,对应的正向电压降VF应当小于手册规定的数值1.5伏。

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表46-5

控制旋钮名称及代号 扫描信号极性K1 电压调节W3 集电极电压K5 集电极电流K1 功耗限制电阻K4 A管、关、B管K7

硅二极管的反向电流很小,例如2CZ82A反向漏电流小于5微安,因而用J2461型图示仪测硅二极管的反向伏安特性,一般是测不出来的。

图示仪稳压二极管2CW74的测试

放置位置 + 反时针旋到底 0.2伏/格 20mA /格 5Ω A管

稳压二极管利用齐纳效应实现稳压,使用时反向接入电路。2CM74硅稳压管原型号为2CW3,测试时J2461型图示仪面板控制旋钮按表46-6放置。将稳压管负极插入晶体管插座C插孔,正极插入E插孔,慢慢地顺时针转动扫描电压调节旋钮,加大扫描电压,在示波管荧光屏上即显示出稳压管的稳压特性曲线如图46-13。稳定电压控手册规定在5毫安时读取,如图中A点电压U2=10伏。曲线在A点的斜率为该稳压管的动态电阻R2=ΔU2/ΔI2,但读取ΔU2、ΔI2是很困难的。一般曲线越直,表示动态电阻越小,稳压性能越好。

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表46-6

控制旋钮名称及代号 扫描信号极性K1 电压调节W3 集电极电压K5 集电极电流K2 功耗限制电阻K4 A管、关、B管K7 图示仪晶体三极管的测试

放置位置 + 反时针旋到底 2V/格 2mA /格 500Ω A管 三极管反向截止电流ICBO、IEBO、ICEQ及反向击穿电压BUCEO、BUCBO、BUEBO等参数的测试和二极管测试方法相同,测试时只使用J2461型晶体管特性图示仪扫描电压部分,阶梯波信号部分不用。三极管插入欲测两极,另一极不插入。具体测试步骤可以参看前面二极管测试方法,这里不再叙述。下面主要说明三极管共发射极输出特性曲线的测试方法。这是三极管最重要的特性曲线。从输出特性曲线的形状,可以判断出晶体管质量的好坏,比较晶体管的性能,读取它的电流放大系数。因而这是晶体三极管测试中最主要的项目。

图示仪PNP型三极管3A×51共发射极输出特性测试

3A×51为国家统一型号PNP锗合金低频小功效管,原来型号为3A×17、3A×31等。测试时J2461型图示仪面板各控制旋钮按表46-7放置,在晶体管插座中插入被测管。渐渐加大扫描电压,可在示波管荧光屏上显示出输出特性曲线簇如图46-14(a)。电流放大系数按手册规定在Uc=1伏,Ic=50毫安时读取,即图中A点,集电极电流Ic=48毫安,处于第五级阶梯,基极电流为Ib=5×0.1毫安=0.5毫安,可求出电流放大系数为hfe=I/Ib=48/0.5=96(倍)。以上测出的是直流平均电流放大系数。在不同的UC、IC值,电流放大系数有些差别。如果要知道某一特定工作点附近hfc值,则可以在输出特性曲线这点附近测试,例如欲测图46-14(a)中B点IC=5毫安、UC=

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-3伏附近的电流放大系数,可将基极阶梯电流开关减小到“10μA/级”,集电极电流开关减小到“1mA/格”,这时示波管荧光屏上显示出如图46-14(b)所示的曲线,B点是欲测特定工作点,它在第五、七阶梯间,可得出这两阶梯集电极电流差值ΔIc=0.95毫安,基极电流差值ΔIb=0.01毫安,于是电流放大系数hfe=ΔIc/ΔIb=0.95/0.01=95(倍)。

如果要比较两只晶体管特性,供挑选配对,可以在A、B管座内分别插入被测管,转动测试转换开关,示波器荧光屏上即可分别显示出两管的输出特性曲线,以供分析比较。

表46-7

面板控制旋钮名称及代号 扫描信号极性K1 电压调节W3 功耗限止电阻K4 基极阶梯信号极性K3 基极阶梯信号电流K6 集电极电压K5 集电极电流K2 A管、关、B管K7

NPN型三极管3DG100共发射极输出特性测试

放置位置 - 反时针旋到底 100Ω - 0.1mA /格 1V/格 10mA/格 A管 DG100为国家统一型号硅平面高频小功率三极管,原来型号为3DG6。测试时J2461型图示仪面板各控制器按表46-8放置,在晶体管插座中插入被测管。渐渐加大扫描电压,可在示波管荧光屏上显示出输出特性曲线簇如图46-15。电流放大系数控手册规定在Uc=3伏、IC=10毫安时读取。如图中A点。集电极电流IC=10毫安,处于第五、六级阶梯间,基极电流为Ib=5.5×20微安=110微安,可求出电流放大系数为hfe=Ic/Ib=10/0.11=91(倍)。

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