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CVD

晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \\- W

答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G

答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D 何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \\8 g3 P. G

答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \\ t9 x5 L4 K% _2 f 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U\ 答：介电质(Dielectric). w- j\ w 薄膜区机台主要的功能为何 答：沉积介电质层及金属层 何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)

答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD分那几种?

答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ? 答：良好的导体仅次于铜

介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [ 答：做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)

答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b

何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?\ 答：金属层间介电质层。1 X8 g' q a0 h3 k4 r\ 何谓USG?

答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! A M+ U( w/ Q 何谓FSG?

答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG?& ~- I3 f8 i( Y! M) q, U

答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)6 f/ g4 U& D/ }5 W 何谓TEOS?

答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅 TEOS在常温时是以何种形态存在? 答：液体\

二氧化硅其K值为3.9表示何义( Y! @1 J! X+ P; b* _$ g

答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍6 H9 v' O5 U U\ 氟在CVD的工艺上，有何应用

答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体4 Z& Z5 a* E6 m+ F 简述Endpoint detector之作用原理.6 [2 d$ j\ 答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被 detector 侦测到

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强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.# {1 t4 t! D! H, Q6 { 机台使用的管件材料主要有那些?

答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种. 机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何? 答：告知所有的人勿操作机台，避免危险 机台维修至少两人配合，有何目的?7 n4 e* o% i- d 答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生

更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作? 答：用氦气测漏机来做测漏. {0 R1 R\

维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套

答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作9 |/ _' d. T& r6 N# F0 A7 V 何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?- {3 Y# I- u; c 答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.

真空Pump的作用？8 A8 x8 P: c\ 答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力 何谓内部连锁(Interlock)

答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.

机台设定许多interlock有何作用?

答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.: ~) C; d# H% k7 e! G) R Wafer Scrubber的功能为何?

答：移除芯片表面的污染粒子6 D/ ^# ~6 s9 S h. Z! X: Y) d, \\

+ L( G+ m6 G8 l, D+ E

ETCH

何谓蚀刻(Etch)?+ `( Z( a5 H' |# m

答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。 蚀刻种类:

答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻 蚀刻对象依薄膜种类可分为: 答：poly,oxide, metal

半导体中一般金属导线材质为何?

答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)9 \\/ y% ~. R9 T0 l

何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)? n- \\9 }- a2 _1 `) Y2 e& `2 n/ V 答：Oxide etch and nitride etch

半导体中一般介电质材质为何?$ T\ 答：氧化硅/氮化硅* V: K2 j9 G$ B. O0 k A2 l 何谓湿式蚀刻

答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除* z* ^) J8 Y B8 E$ \\. T L 何谓电浆 Plasma?& e$ j3 t6 |! U4 a

答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.3 Q J6 H1 j6 ?9 J0 w) u

-可编辑修改-

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何谓干式蚀刻?

答：利用plasma将不要的薄膜去除

何谓Under-etching(蚀刻不足)?0 e* k7 Z1 s3 L: g 答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 }& H, n# m# Z3 o% a;

{# Q

何谓Over-etching(过蚀刻 )$ i, F& C( f$ W

答：蚀刻过多造成底层被破坏) j1 V& K6 L* N! h: x- ^ n 何谓Etch rate(蚀刻速率)

答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度7 Q; T! _ x/ ]/ ^& j, M 何谓Seasoning(陈化处理)' b5 P% p8 B2 w8 i) w3 ~

答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy） 晶圆进行数次的蚀刻循环。: r. g6 g) `+ f9 Q* \\+ n Asher的主要用途:1 y2 z2 z e) d/ e 答：光阻去除3 R8 V9 p/ f) A\

Wet bench dryer 功用为何?( O! C) z2 o; i4 w2 P# B 答：将晶圆表面的水份去除) W/ R4 w: J4 @ 列举目前Wet bench dry方法: M& I- R! e; k2 ], y

答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 何谓 Spin Dryer2 ]( o+ [0 o* Z

答：利用离心力将晶圆表面的水份去除 何谓 Maragoni Dryer2 ~: r$ i\

答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除7 Y\ 何谓 IPA Vapor Dryer

答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 测Particle时,使用何种测量仪器?; `& B+ @& k4 |+ N 答：Tencor Surfscan

测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?0 A+ S( f. z, X 答：膜厚计,测量膜厚差值

何谓 AEI' X% L% G' W$ G# M\

答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查 AEI目检Wafer须检查哪些项目:

答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确& x\K( U; u$ U

金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理? 答：清机防止金属污染问题

金属蚀刻机台Asher的功用为何?

答：去光阻及防止腐蚀- w2 N$ i\

金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗? 答：因为金属线会溶于硫酸中! }, |4 B. f+ Q* C( N \机台是什幺用途? 答：烘烤

Hot Plate 烘烤温度为何? 答：90~120 度C' G( L u( a y# ~

何种气体为Poly ETCH主要使用气体?& J# v& e/ l6 O3 ^! b7 j2 P

-可编辑修改-