2、尝试对AFM的针尖进行修饰，测得颗粒-基底力曲线以获取表面粘附力，模拟针尖与材料表面的划痕，解析材料去除率在CMP中的机理，建立了颗粒从基底表面去除的理论基础，进而为化学机械抛光清洗工艺设计提供重要参考。 三、以镀铜硅片作为抛光对象，在常规抛光工艺条件下，考察磨料粒径对抛光特性的基本一些规律。利用AFM、FESEM和三维轮廓等手段对抛光表面形貌分析。 四、多孔微球的抛光性能研究 1、设计对比实验，在相同的抛光条件下考察多孔复合磨料与纯SiO2磨料对镀铜硅片在抛光性能上的差异；不同结构的磨料对材料去除率和工件质量的影响规律，其中工件质量包括微观表面粗糙度、表面划痕的深度和长度、表面缺陷的种类。 2、研究不同粒径、孔结构以及壳厚的复合微球对硅片抛光表面质量和去除率的影响规律。抛光后用原子力显微镜对硅片表面进行扫描观测，观察硅片抛光前后表面形貌和粗糙度的变化，并作出相应的评价和分析。 四、阶段性工作计划与预期研究成果 周 次 1-2 3 工 作 内 容 查阅国内外文献资料，完成调研工作。 阅读与翻译外文资料 检 查 方 式 做文献报告。 提交不少于2.5万字的外文翻译 4 撰写开题报告，确定实验方案 开题报告 5-15 论文实验工作、数据分析与处理 定期检查实验结果 16-18 撰写毕业论文，答辩 答辩 参考文献 [1] 雷红，张朝辉．化学机械抛光技术的研究进展[J]．上海大学学报：自然科学版，2003, 9（6）：494-502． [2]雷红，雒建斌，马俊杰．化学机械抛光(CMP) 技术的发展、应用及存在的问题[J] ．润滑与密封， 2002, 12(4):73-76. [3] 胡建东，李永绣，周雪珍.铜在含碘酸钾的CeO2浆料中CMP的抛光速率及影响因素的研究[J].有色金属(冶炼部分)，2007,4：53-55. [4]F. Caruso, H. Lichtenfel, M. Mohwald,etal.Electrostatic self-assembly of silica nanoparticle-polyelectrolyte multilayerson polystyrene latex particles[J]. Journal of the American Chemical Society, 1998,120(33):8523-8524. [5]F. Caruso, R. A. Caruso, H. M. Hwald.Nanoengineering of inorganic and hybrid hollow spheres by colloidal templating[J].Science,1998,282(5391):1111-1114. [6]段明，胡星琪．核-壳乳液聚合及其在涂料中的应用[J]．西南石油学院学报，2002, 24(4): 24(4): 59-62. [7] 陈志刚，陈杨，隆仁伟．包覆型CeO2/SiO2和CeO2/聚苯乙烯复合磨料的制备及其化 学机械抛光性能[J]．硅酸盐学报，2009, 37(11):22-25 [8] S. Armini, C. M. Whelan, M. Moinpour, et al. Composite polymer core-silica shell abrasives: the effect of polishing time and slurry solid content on oxide CMP [J]. Electrochemical and Solid-State Letters, 2007,10(9): 243-247. [9]S. Armini, C. M. Whelan, M. Moinpour, et al. Composite polymer core- silica shell abrasives: the effect of the shape of the silica particles on oxide CMP[J].Journal of the Electrochemical Society, 2008, 155(6): 401-406. [10]L. Hu,H. Lei,R. L. Chen, et al. Preparation of porous Fe2O3/SiO2 nanocomposite abrasives and their chemical mechanical polishing behaviors on hard disk substrates[J]. Thin solid films, 2012, 520: 6174-6178 六、指导教师审阅意见 签名 年月日