时间分析结果报告文件
从报告文件中可以看到Trigger的时间在2.0338e-7s，而Target时间为2.0509e-7s，其间的差即下降时间falltime为1.6926e-9s。
实验二：反相器直流分析
实验目的：
反相器为一种最基本的逻辑电路，依照所使用的逻辑电路类型的不同而具有不同的形式，如果要分析所绘制的电路图是否具备原先预估的功能，则需要进一步使用电路分析软件来进行验证，在Tanner Pro中，这种电路分析软件即为T-Spice。 实验操作流程：编辑S-Edit?输出SPICE文件?进入T-Spice?加载包含文件?分析设定?显示设定?执行模拟?显示结果。
实验步骤与结果分析： （1）打开S-Edit程序 （2）环境设定
（3）另存新文件：选择File?Save As命令，打开“另存为”对话框 （4）复制inv模块：将inv模块从Ex2文件复制到Ex4文件的方法
（5）打开inv模块：由于上一步骤复制模块的操作只是在Ex4文件中增加了inv模块（还有inv引用到的模块Vdd，Gnd，MOSFET_N与MOSFET_P模块），而Ex4依旧在Module0模块的编辑环境下，所以要打开并编辑inv模块，必须先选择Module?Open命令，打开Open Module对话框，之后打开Ex4文件中的inv模块。 （6）加入工作电源。
加入工作电源 （7）加入输入信号
加入输入信号
（8）更改模块名称：将原本的模块名称inv改成inv_dc。 （9）编辑Source_v_dc对象
编辑对象后的结果如图所示，其中的工作电压源为5.0V的直流电压源，输入信号为1.0V的直流电压源。
编辑结果
（10）输出成SPICE文件：要将设计好的S-Edit电路图借助T-Spice软件分析与模拟此电路的性质。结果如图所示。
输出成SPICE文件
（11）加载包含文件：由于不同的流程有不同的特性，在模拟之前，必须有引入MOS组件的模型文件，此模型文件内有包括电容电阻系数等数据，以供Spice模拟之用。
包含文件设定结果
（12）分析设定：由于本章是反相器的直流分析，模拟反相器的转换曲线，在这里模拟输入电压vin从0V变动到5V时（以0.02V线性增加），输出电压对应于输入电压变动的情况。
vin电源Sweep设定结果
（13）输出设定：在此要观察的是输出节点OUT电压v（OUT）对vin电压做图的模拟结果。
输出设定结果
（14）进行模拟，并打开W-Editor窗口来观看模拟波形图。
模拟状态窗口
（15）观看结果：可在T-Spice环境下打开模拟结果报告文件inv_dc.out。
模拟结果报告文件
也可以在W-Edit下观看模拟结果inv_dc.out，即反相器的转换曲线，如图所示。
在W-Edit中观看模拟结果
实验三：使用L-Edit画PMOS布局图
实验目的：
L-Edit是一个画布局图的工具，即以各种不同颜色或图样的图层组合光罩的图样，本范例介绍各种绘制集成电路用的光罩所需要的基本图层，组合出PMOS布局图，并以详细的步骤引导读者学习L-Edit的基本功能。
操作流程：进入L-Edit?建立新文件?环境设定?编辑组件?绘制多种图层形状?设计规则检查?修改对象?设计规则检查。
实验步骤与结果分析： （1）打开L-Edit程序。
（2）另存新文件：选择File?Save As命令，打开“另存为”对话框，在“保存在” 下拉列表框选择存储目录，在“文件名”文本框中输入新文件的名称，例如，Ex10。 （3）取代设定：选择File?Replace Setup命令，将出现一个对话框，单击From file下拉列表框右侧的Browser按钮，并选择C:\\ Tanner\\Ledit82\\Samples\\SPR\\example1\\lights.tdb文件，如图11.2所示，单击OK按钮，就可将lights.tdb文件的设定选择性应用在目前编辑的文件中，包括格点设定、图层设定等。
（4）编辑组件：L-Edit编辑方式是以组件（Cell）为单位而不是以文件（File）为单位的，每个文件可有多个Cell，而每个Cell可表示一种电路布局图或说明，每次打开新文件时也自动打开一个Cell并将之命名为Cell0，其中，编辑画面中的十字为坐标原点。
（5）设计环境设定：绘制布局图，必须要有确实的大小，因此绘图前先要确认或设定坐标与实际长度的关系。选择Set?Design命令，打开Setup Design对话框，在其中的Technology选项卡中出现使用技术的名称、单位与设定，本范例中的技术单位Technology units为以Lambda为单位，而Lambda单位与内部单位Internal Unit的关系可在Technology Setup选项组中进行设定，如图11.4所示，我们设定一个Lambda为1000个Internal Unit，也设定一个Lambda等于一个Micron。
在Grid选项卡中可进行使用格点显示设定、鼠标停格设定与坐标单位设定，如图11.5所示，本范例在Grid display选项组中设定一个显示的格点（Displayed Grid）等于1个坐标单位（Locator Unit），在Suppress grid less than文本框中设定当格点距离小于8个像素（Pixels）时不显示；在Cursor type选项处设定鼠标光标显示为Smooth类型，在Mouse snap grid文本框中设定鼠标锁定的格点为0.5个坐标单位（Locator Unit）；在One Locator Unit文本框中设定一个坐标单位为1000个内部单位（Internal Units）。 设定结果为一个格点距离等于一个坐标单位也等于一个Micron。
（6）选取图层：在画面左边有一个Layers面板，其中有一个下拉列表，可选取要绘制的图层，例如，Poly，则Layers面板会选取代表Poly图层的红色。在L-Edit中的Poly图层代表制作集成电路中多晶硅（Poly Silicon）所需要的光罩图样。本范例绘制PMOS布局图会用到的图层包括（N Well图层）、（Active图层）、（N Select图层）、（P Select图层）、（Poly图层）、（Metal 1图层）、（Metal 2图层）、（Active Contact图层）、（Via图层），其各自的绘制结果分别如下。
（7）绘制N Well图层：L-Edit编辑环境是预设在P型基板上，故读者不需要定义出P型基板范围，而在P型基板制作PMOS的第一步，流程上要先做出N Well区，即需要设计光罩以限定N Well的区域。绘制N Well布局图必须先了解是使用哪种流程的设计规则，本范例是使用MOSIS/ORBIT 2.0U的设计规则。观看N Well绘制要遵守的设计规则可选择Tools?DRC命令，打开Design Rule Check对话框，单击其中的Setup按钮会出现Setup Design Rules对话框（或单击按钮），再从其中的Rules list列表框选择1.1 Well Minimum Width选项，可知N Well的最小宽度有10个Lambda的要求.。
绘制N Well的结果
（8）截面观察：利用L-Edit的观察截面功能。