剖面图：

1、初始氧化

为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。阱区掩蔽氧化介质层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。

2.阱区光刻。

是该款n阱硅栅CMOS集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻。若采用典型的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜，腐蚀。

3.n阱注入。

是该n阱硅栅COMS集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂。P阱注入工艺环节的工艺要求是形成n阱区。

4.剥离阱区氧化层。

5.热生长二氧化硅缓冲层：

消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化。

6.LPCVD制备Si3N4介质。

7.有源区光刻：即第二次光刻

8.局部氧化：

第三次氧化，生长场区氧化层。

9.剥离Si3N4层及SiO2缓冲层。