实验讲义功能材料专业. 下载本文

综上所述,在恒流供电条件下,PN结的VF对T的依赖关系取决于线性项V1,即正向压降几乎随温度升高而线性下降,这就是PN结测量温度的理论依据。必须指出,上述结论仅适用于杂质全部电离,本征激发可以忽略的温度区间(对于通常的硅二极管来说,温度范围约?50?C~?150?C)。如果温度低于或高于上述范围时,由于杂质电离

VF~T关系将产生新的非线性,因子减小或本征载流子迅速增加,这一现象说明VF~T的特性还随PN结的材料而异,对于宽带材料(如GaAs, Eg?1.43eV)的PN结,其高温端的线性区域宽;而材料杂质电离能小(如InSb)的PN结,则低温端的线性范围宽。对于给定的PN结,即使在杂质导电和非本征激发温度范围内,其线性度亦随温度的高

dVd2V1低而有所不同,这是非线性项Vn1引起的,由Vn1对T的二阶导数2?可知,n1

TdTdT的变化与Vn1成反比,所以VF~T的线性度在高温端优于低温端,这是PN结温度传感器的普遍规律。此外,由(4)式可知,减小IF ,可以改善线性度,但并不能从根本上解决问题,目前行之有效的方法大致有两种:

1. 利用对管的两个be结(将三极管的基极与集电极短路与发射极组成一个PN结),分别在不同电流IF1, IF2下工作,由此获得两者之差?IF1?IF2?与温度成线性函数关系,即:

VF1?VF2?IK?T?1nF1 qIF2 由于晶体管的参数有一定的离散性,实际值与理论值仍然存在差距,但对于单个PN

结相比其线性度与精度均有所提高,这种电路结构与恒流、放大等电路集成一体,便构成电路温度传感器。

2.采用电流函数发生器来消除非线性误差。由(3)式可知,非线性误差来自Tr项,利用函数发生器,IF比例于绝对温度的r次方,则VF~T的线性理论误差为??0。实验结果与理论值比较一致,其精度可达0.01?C。 三、实验内容和方法 1.实验系统检查与连接:

(1)根据图1了解待测PN结管和测温传感器及加热部件的结构,可取下隔离圆筒的筒套(左手扶筒盖,右手扶筒套逆时针旋转)。

图1中:①—加热电源插口, ②—接线盒, ③—加热管(铜管内部), ④—温度传感器(AD590), ⑤—加热铜块, ⑥—PN结管(1815三极管) ⑦—信号输入接口。 (2)用七芯插头导线、二芯插头导线各1根分别连接测试仪器的“加热电源”、“信号输入”与测试架接线盒上的两插座。 “加热电流”开关置“0”位置,在连接导线时,应先对准插头与插座的凹凸定位标记,即可插入。带有螺母的插头待插入后

与插座拧紧,导线拆除时,直插式的应拉插头的可动外套,带有螺母的插头应旋松,决不可鲁莽左右转动或硬拉,否则可能拉断引线影响实验。

2.转动“加热电流”开关,从“0”至“0.1”A,预热几分钟后,此时测试仪上将显示出室温为TR, :再与标准温度计上的指示值相比 图1

较,若不准确,用小一字螺丝刀调节“温度校准”电位器,使测试仪上显示的温度与标准温度计相同。记录下起始温度TR ,然后切断加热电流。 3.VF?0? 或VF?TR?的测量和调零:

将“测量选择”开关拨到IF,由“IF调节”使IF?50μA ,将“测量选择”开关拨到

VF,记下VF?TR?值,再将“测量选择”开关置于?V,由“?V调节”使?V?0。

本实验的起始温度如需从0 ?C开始,则需将隔离圆筒置于冰水混合物中,待显示温度至0 ?C 时,再开始进行测量。 4.测定?V?T曲线:

开启加热电流(指示灯亮),逐步提高加热电流进行变温实验,并记录对应的?V 和

T,至于?V、T的数据测量,采用每改变10mV立即读取一组?V、T值,这样可以减小测量误差。应该注意:在整个实验过程中要注意升温速率要慢,且温度不宜过高,最好控制在120?C以内。

5.求被测PN结正向压降随温度变化的灵敏度S?mV/?C? 以T为横坐标,?V为纵坐标,作?V?T曲线,其斜率就是S。

6.估算被测PN结材料的禁带宽度。根据(6)式,略去非线性项,可得:

Vg?0??VF1??VF1?T1?VF1?S?T1

?T实际计算时将斜率S、温度T1 (注意单位为K)及此时的VF1值代入上式即可求得Vg?0?,禁带宽度Eg?0??q?Vg?0?。将实验所得的Eg?0?与公认值Eg?0??1.21eV比较,求其误差。 7.数据记录:

实验起始温度:TR? ?C ;工作电流:IF? mA; 起始温度为TR时压降:VF?TR?? mV; 控温电流: A ; 8.改变加热电流重复上述步骤进行测量,并比较两组测量结果。 9.改变工作电流IF?100μA重复上述(1~7)步骤进行测量,并比较两组测量结果。 四、选做内容

根据实验原理及结论将该PN结制成温度传感器,使其灵敏度最大,试确定其工作

电流及其测量范围,并标定其刻度。 五、预习思考题

1.测VF?0?或VF?TR?的目的何在?为什么实验要求测?V?T曲线而不是VF?T曲线。

2.测?V?T为何按?V的变化读取T,而不是按自变量T读取?V。

3.在测量PN结正向压降和温度的变化关系时,温度高时?V?T线性好,还是温度低好?

4.测量时,为什么温度必须控制在T??50?C~?150?C范围内?

【附录一】

1.(2)式的证明参阅黄昆,谢德著的半导体物理。

2.r的数值取决于少数载流子迁移率对温度的关系,通常取r?3.4 。 实验数据及处理(供参考)

PN结温度特性测试实验数据示范参考表 测试条件If?50μA T (?C) 32.0 35.4 40.4 45.0 49.6 54.2 58.9 63.4 68.0 72.5 77.2 81.7 86.2 90.7 95.2 99.7 104.2 108.9 113.3 117.7 测试条件If?100μA T (?C) 40.7 45.8 49.3 53.7 58.2 62.7 67.3 71.9 76.6 81.2 85.9 90.6 95.3 100.1 104.9 109.6 114.5 119.3 ?V (mV) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 T (K) 305.2 308.6 313.6 318.2 322.8 327.4 332.1 336.6 341.2 345.7 350.4 354.9 359.4 363.9 368.4 372.9 377.4 382.1 386.5 390.9 ?V (mV) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 T (K) 313.9 319 322.5 326.9 331.4 335.9 340.5 345.1 349.8 354.4 359.1 363.8 368.5 373.3 378.1 382.8 387.7 392.5 根据表格中的数据,用Excel作图,并写出线性方程和相关系数。请参看下图。 说明:以下图形是用Excel作图后,再用图板修改的。

第五章 传感器设计实验仪

一、实验仪组成

传感器实验仪:主要由机壳、机头(传感器安装台)、显示面板、调理电路面板(传感器输出单元、传感器转换放大处理电路单元)等组成。

1、 机壳:

机壳内部装有直流稳压电源、振荡信号板等。

2、机头(传感器安装平台):

机头图

由悬臂双平行梁和振动台组成。

⑴、双平行梁(应变梁):

在双平行梁的上、下梁片表面粘贴了应变片;封装了PN结、NTC RT热敏电阻、热电偶、加热器;在梁的自由端安装了压电传感器、激振器(磁钢、激振线圈)和测微头。

测微头:调节测微头产生力或位移,做静态实验。 激振器:激励双平行梁振动,做动态实验。 ⑵、振动台:

在振动台周围安装了光电转速传感器、电涡流传感器、光纤传感器、差动变压器、压阻式压力传感器、电容式传感器、磁电式传感器、霍尔式传感器;在振动台的下方安装了激振器(磁钢、激

振线圈);在振动台的上方安装了测微头。

测微头:调节测微头产生力或位移,做静态实验。 激振器:激励振动台梁振动,做动态实验。

3、显示面板:

由主电源单元、电机控制单元、直流稳压电源单元、F/V表(电压表)单元、PC口单元、电流表(频率/转速表)单元、音频振荡器单元、低频振荡器单元、±15V电源单元等组成。

4、调理电路面板:

由传感器输出单元、副电源、电桥、差动放大器、电容变换器、电压放大器、移相器、相敏检波器、电荷放大器、低通滤波器、涡流变换器等组成。

5、数据采集卡及处理软件:详见三、V9.0数据采集卡及处理软件。

*备注:实验仪的具体配置根据型号不同有差异,以具体型号的实物为准。

二、主要技术参数、性能及说明

(一)、传感器(机头)部分:

1、电阻应变片:电阻值350Ω左右;应变系数为2。

2、热电偶:直流电阻10Ω左右(由两个串接而成);分度号为T;冷端为环境温度。 3、热敏电阻:NTC半导体热敏电阻;25℃时为10KΩ左右。

4、PN结温度传感器:利用1N4148良好的温度线性电压特性;灵敏度为-2.1mV/℃。 5、压电加速度传感器:由压电陶瓷片和铜质量块构成;电荷灵敏度为20pc/g。 6、光电转速传感器:透射式光电耦合器(光电断续器);TTL电平输出。 8、电涡流传感器:直流电阻1Ω~2Ω;位移量程≥1mm。

9、光纤传感器:由半圆双D分布的多模光纤和光电变换座构成;位移量程≥1mm。

10、差动变压器:一个初级线圈、二个次级线圈(自感式)和铁芯构成;三个线圈直流电阻分别为5~10Ω;音频3KHz~5KHz、电压峰峰值为Vp-p=2V激励;位移量程≥±4mm。

11、压阻式压力传感器: Vs—Vs 端直流电阻为4.7KΩ左右、 Vo—Vo端直流电阻为7KΩ左右;4V直流电源供电;量程为20kPa 。

12、电容式传感器:由两组定片和一组动片构成差动变面积电容;量程≥±2mm 。 13、磁电式传感器:由线圈和动铁构成;直流电阻30Ω~40Ω;灵敏度为500mV/(m/s)。 14、霍尔式传感器:霍尔片置于环形磁钢产生的梯度磁场中构成位移传感器;传感器激励端口直流电阻800Ω~1.5KΩ,输出端口直流电阻400Ω~600Ω;位移量程≥1mm。

15、气敏传感器:酒精敏感型,TP-3集体半导体气敏传感器;测量范围50~500ppm。 16、湿敏传感器:电阻型,阻值变化几MΩ~几KΩ;测量范围30%RH~90%RH。 17、激振线圈:振动激振器,直流电阻30Ω~40Ω。

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