高频和低频情况的区别在于接近强反型时，低频情况空间电荷层电容迅速增加并趋近于无穷大，而高频情况空间电荷称电容则会保持在最小值上。前者是由于半导体表面处于强反型时，由于反型层中的电子浓度与表面势呈指数关系，导致空间电荷层电容随表面势变化呈指数规律，即，Cs∝exp(qVs/2k0T)。而C/C0=1/(1+C0/Cs)，所以C-V特性曲线在VG>VT后迅速增加，最终趋近于1。

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高频时，由于没有少子产生与复合的时间，应此反型电子对电容没有贡献，只能通过空间电荷层的宽度变化来承担表面势的变化，所以Cs仍与空间电荷层宽度Xd成反比。弱反型时，Xd随表面势而增加。当VG>VT后，开始进入强反型，Xd很快趋于饱和，所以曲线保持在最小值上。

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8.4 MOS结构中的固定电荷

在MOS结构的SiO2层中靠近Si表面大约20nm的范围内，存在一层不随偏压而移动的正电荷，一般认为其实质是过剩硅离子。 霍尔效应

将通有x方向电流的晶体置于z方向的磁场中，则在洛仑磁力作用下在y方向会产生附加电场，这种现象被称为霍尔效应。

霍尔角

在磁场作用下，半导体中的电流可能与电场不在同一方向上，两者间的夹角称为霍尔角。 以p型半导体为例，简要说明霍耳效应的形成机理。

若半导体沿x方向通电流，z方向加磁场，则在y方向将产生横向电场，该现象称为霍耳效应

产生的横向电场称为霍耳电场Ey，它与x方向电流密度Jx和z方向磁感应强度Bz成正比，比例系数成为霍耳系数。是由于运动电荷受落仑兹力作用的结果。

稳定条件下，横向电流为零，则fE?fB?0

Jx?Bz 由此可得： Ey?vxBz?pq显然，对于p型半导体：RH?

1 pq