12. 在掺杂浓度ND=1016cm-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（Et=Ei）。

13. 室温下，p型半导体中的电子寿命为=350us，电子的迁移率un=3600cm-2/(Vs。试求电子的扩散长度。

14. 设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3,up=400cm2/(Vs。试计算空穴扩散电流密度。

15. 在电阻率为1cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度Nt=1015cm-3,由边界稳定注入的电子浓度（n）0=1010cm-3,试求边界 处电子扩散电流。

16. 一块电阻率为3cm的n型硅样品，空穴寿命p=5us,在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（p）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？

17. 光照1cm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为1017cm-3s-1。设样品的寿命为10us ，表面符合速度为100cm/s。试计算：

（1）单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。

（2）单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。

18. 一块掺杂施主浓度为21016cm-3的硅片，在920oC下掺金到饱和浓度，然后经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心1010cm-2。

①计算体寿命，扩散长度和表面复合速度。

②如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电子-空穴对的产生率是1017cm-3s-1，试求表面的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少？