一、单选题（共20分）

1．下列说法正确的是（ ）。

A、某处电位为零，电位不一定为零 B、场强为零处，电位不一定为零 C、场强相等的区域，电位也处处相等 D、场强大处，电位一定高 [答案] B

2．镜像法的理论依据是（ ）。

A、静电比拟 B、唯一性原理 C、斯托克斯定理 D、高斯散度定理 [答案] B

3．矢量磁位的旋度是（ ）。

A、磁感应强度 B、电位移矢量 C、磁场强度 D、电场强度 [答案]A

4．要在导电媒质中维持一个恒定电场，由任一闭合面流出的传导电流应为（ ）。 A、大于零 B、零 C、 小于零 D、不确定 [答案]B

5．在线性媒质中，静电场能量的数值（ ）。

A、只与最后状态有关 B、只与电场的建立过程有关 C、与最后状态及建立过程均有关 D、与最后状态及建立过程均无关 [答案]A

6．下面关于场与源的关系的叙述中错误的是（ ）。

A、感应电场是由变化的磁场产生 B、静电场是由静止电荷产生的 C、恒定磁场是由恒定电流产生的 D、恒定电场是由静止电荷产生的 [答案]D

7．交流电路的场理论基础是（ ）。 A、电准态场方程 B、静电场方程 C、磁准静态方程 D、恒定磁场方程 [答案]C

8． 随着激励源频率的增高，相位的推迟作用将( )

A、不变 B、增大 C、减小 D、不一定 [答案]A

9．在理想介质中，波阻抗为（ ）

A、实数 B、虚数 C、复数 D、零 [答案]A

10．电偶极子的H面方向图为

A、 “8” 字形 B、 圆形 C、心形 D、纺锥形 [答案]B

二．（（20分） 如图所示平板电容器，内含两层介质，介质的介电常数和电导率分别为?1，?1和为?2，?2，极板面积为S，介质的厚度均为d。在电容器上施加电压U0，忽略极板的边缘效应。试求： （1）两层介质中的电场；

（2）介质分界面上的自由电荷面密度；

（3）电容器的电阻。

解：(1) 设介质1中的电场为E1，介质1中的电场为E2，因为平板电容器忽略边缘效应，因此，利用电流密度连续性条件得 利用题目给定条件，得 解得

(2) 介质分界面的自由电荷面密度为

（3） 电容器的电阻为R?R1?R2?

1d1dd?1??2??() ?1S?2SS?1?2

三．同轴线的内导体是半径为a的圆柱，外导体是半径为b的薄圆柱面，鞭厚度可以忽略不计。内、外导体间充有磁导率分别为?1和?2和两种磁介质，设同轴线中通过的电流为I，试求：同轴线中单位长度所存储的磁场能量。单位长度的自感。

解：同轴线的内外导体之间的磁场沿方向，在两种磁介质的分解面上，磁场只有法向分量，根据边界条件可以知道，两种磁介质中的磁感应强度相同，但磁场强度同。根据安培环路定理，

?? ?H?dl?I

l当时，有

所以 当由于

时有

以及

，所以得到

同轴线中的单位长度存储的能量为

1由Wm?LI2，得到单位长度的自感为

2

四、（15分）在时变电磁场中，已知矢量位函数A=exAmsin(?t-kz)，其中Am和k均为常数。试求电场强度E、磁场强度H和坡印廷矢量S。 解：（1）根据

以及

，可得磁场强度

（2）应用麦克斯韦第一方程，得 上式对时间t积分，得