《 模拟电子技术 》综合复习资料

第一章 常用半导体器件 一、选择

[ A ] A. B. C. D.

NPN型硅管 PNP型硅管

NPN型锗管 2V 6V PNP型锗管 1.3V

1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是

2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ] A.饱和 B.放大

C.截止

D.已损坏

3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大

小将是 [ C ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定

4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

5、二极管的主要特性是 [ C ] A.放大特性 B.恒温特性

C.单向导电特性 D.恒流特性 6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、 下列选项中，不属三极管的参数是 [ B ] A.电流放大系数β B.最大整流电流IF

C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM 8、 温度升高时，三极管的β值将 [ A ]

A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、 在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]

A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]

A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P型半导体中，多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质

四、

在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。

由此可知：

1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。 2、此晶体管的电流放大系数?约为 40 。 3、此晶体管的类型是 PNP 型（PNP或NPN）。

T ① l1 l2 ②

五、

测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示

③ l3 1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极； （a）NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B (b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B 2估算(b)图晶体管的? 和 ? 值。 (a) ?=40 ?=40/41 (b) ?=60 ?=60/61

六、

判断各下图中二极管导通状态，并标出Uo的值。各二极管导通电压UD?0.7V。

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左图：D1 D3 D2导通D4截止 Uo=2.1V 右图： D2导通D1截止 Uo=-6V

七、

电路如下图所示，若UI=10V，R=100?，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是

Izmin=5mA, Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。

解：满足两个条件： 1、稳压的条件：RL〉150?

2、电流条件满足：RL〉171? 且RL<600? 综合：RL〉171? 且RL<600?

八、

稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R=500?。试求： （1） （2）

解：（1）Ui?20V当Ui?20V当Ui?20V,RL?1K?时，U0?? ,RL?100?时，U0??

,RL?1K?稳压管稳压，

U0?5V