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电磁学练习题

1. 如图所示，半径为R的均匀带电球面，总电荷为Q，设无穷远处的电势为零，则球内距离球心为r的P点处的电场强度的大小和电势为：

QQ (A) E=0，U?． 4??0rQO r (B) E=0，U?． P 4??0RR QQ U?(C) E?，． 24??0r4??0r(D) E?QQU?，．

4??0r24??0R2. 已知某电场的电场线分布情况如图所示．现观察到一负电荷从M点移到N点．有人根据这个图作出下列几点结论，其中哪点是正确的？ (A) 电场强度EM＞EN． (B) 电势UM＞UN． -qN (C) 电势能WM＜WN． (D) 电场力的功A＞0． M

3. 无限长直导线在P处弯成半径为R的圆，当通以电流I时，则在圆心O点的磁感强度大小等于 I R ?0I?0IO (A) ． (B) ． 2?R?RP ?I1 (C) 0． (D) 0(1?)．

2R? (E)

?0I1(1?)． 4R?4. 如图所示，半径为R的均匀带电球面，总电荷为Q，设无穷远处的电势为零，

则球内距离球心为r的P点处的电场强度的大小和电势为：

QQ (A) E=0，U?． 4??0rQO r (B) E=0，U?． P 4??0RR QQ U?(C) E?，． 24??0r4??0r(D) E?QQU?，．

4??0r24??0R5. 已知某电场的电场线分布情况如图所示．现观察到一负电荷从M点移到N点．有人根据这个图作出下列几点结论，其中哪点是正确的？ (A) 电场强度EM＞EN． (B) 电势UM＞UN． -qNM1

6.无限长直导线在P处弯成半径为R的圆，当通以电流I时，则在圆心O点的磁感强度大小等于 I R ?0I?0IO (A) ． (B) ． 2?R?RP ?0I1 (C) 0． (D) (1?)．

2R? (E)

?0I1(1?)． 4R?2V,0.5 Ω0.5 Ω

7．右图电路中，XY长为100cm,电阻为3Ω的均匀导线，当电流计指零时，XZ的长为

(A) 100cm (B)75cm (C)50cm (D)33cm 8. 如图所示，a和b是从A点以相同速度V射入垂直

1.5V,1 Ω AbV 于纸面向里的匀强磁场B中的两个带等量电荷的粒子的半圆形径迹，且Ra=2Rb，则可知两粒子：

(A) 均带正电，ma：mb=2：1 ; (B) 均带负电，ma：mb=2：1 ; (C) 均带正电，ma：mb=1：2 ; (D) 均带负电，ma：mb=1：2 ;

9．如图示，一n型半导体沿X 轴正方向通有电流，实验测

得薄片两侧电势差UA?UB?0，则，所加磁场方向为 (A) 沿Z轴正方向 (B) 沿Z轴负方向

?I10. 如图所示，一矩形金属线框，以速度v从无场空

间进入一均匀磁场中，然后又从磁场中出来，到无 (A)场空间中．不计线圈的自感，下面哪一条图线正确O地表示了线圈中的感应电流对时间的函数关系？

I(从线圈刚进入磁场时刻开始计时，I以顺时针方向

(C)O为正)

? v?BI (B) tOIO(D) t t t

11. 一“无限大”均匀带电平面A，其附近放一与它平行的有一定厚度的“无限大”平面导体板B，如图所示．已知A上的电荷面密度为+? ，则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为： +????? (A) ? 1 = -??， ? 2 = +??． 11

(B) ? 1 =???， ? 2 =??． 2211 (C) ? 1 =???， ? 1 =???． 22 (D) ? 1 = -??， ? 2 = 0．

AB12．磁介质有三种，用相对磁导率μr表征它们各自的特性

时，

(A) 顺磁质μr >0，抗磁质μr <0，铁磁质μr >>1． (B) 顺磁质μr >1，抗磁质μr =1，铁磁质μr >>1． (C) 顺磁质μr >1，抗磁质μr <1，铁磁质μr >>1．

(D) 顺磁质μr <0，抗磁质μr <1，铁磁质μr >0．

13. 在空气平行板电容器中，平行地插上一块各向同性均匀电介质板，如图所

??示．当电容器充电后，若忽略边缘效应，则电介质中的场强E与空气中的场强E0相比较，应有

E (A) E > E0，两者方向相同． (B) E = E0，两者方向相同． 0 E (C) E < E0，两者方向相同． (D) E < E0，两者方向相反．

14、质子(p)和?粒子以同样的速率在同一匀强磁场中做匀速圆周运动，轨道半

径分别为Rp和R?，周期分别为Tp和T?，则下列选项正确的是（） A. Rp:R?=1:2, Tp:T?=1:2 B. Rp:R?=1:1, Tp:T?=1:1 C. Rp:R?=1:1, Tp:T?=1:2 D. Rp:R?=1:2, Tp:T?=1:1

15.无限大均匀带电介质平板A，电荷面密度为?1，将介质板移近一导体B，B表面上靠近P点处的电荷面密度为?2，P点是非常靠近导体B表面的一点，如图所示，则P点地场强是（）

?2?1?2?1??A． B. 2?02?02?02?0P

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