15?318?32、突变PN结的ND?1.5?10cm,NA?1.5?10cm计算该PN结的内建电势Vbi之

值。

Vbi?KTlnNqND13?0.026?ln(10)?0.778 2niA15?33、有一个P沟道MOSFET的衬底掺杂浓度为ND?1.5?10cm，另一个N沟道MOSFET

18?3的衬底掺杂浓度为NA?1.5?10cm。试分别求这两个MOSFET的衬底费米势，并将

这两个衬底费米势之和与上题的Vbi相比较。 N沟道MOSFET ?Fp?KTqlnNAni?0.479V；P沟道MOSFET ?Fn??KTqlnNDni?0.299V

?Fp??Fn?0.479?0.299?0.18?Vbi

15?318?34、某突变PN结的ND?1.5?10cm,NA?1.5?10cm，试问Jdp是Jdn的多少倍？

JdpqDpni2?qDnni2?qV???exp???1?...Jdn?WBND?kTWENA????JdpNADnDp??qV???exp?kT??1? 因为Ln?Lp所以J?N?1000 ????dnD5、已知某PN结的反向饱和电流为Io =10 -12A，试分别求当外加0.5V正向电压和（-0.5V）反向电压时的PN结扩散电流。

?0.5V:IF?I[exp(qV)?1]?2.25?10?0.5VKT:IF?I0[exp(qV)?1]?10?12AKT0?4A

6、已知某PN结的反向饱和电流为Io =10 -11A，若以当正向电流达到10 -2 A作为正向导通的开始，试求正向导通电压VF之值。若此PN结存在寄生串联电阻rcs= 4Ω，则在同样的测试条件下VF 将变为多少？

5?17、某硅单边突变结的雪崩击穿临界电场EC?3.5?10Vcm，开始发生雪崩击穿时的耗

尽区宽度xdB?8.57μm，求该PN结的雪崩击穿电压VB。若对该PN结外加V?0.25VB的

9

反向电压，则其耗尽区宽度为多少？

8、如果设单边突变结的雪崩击穿临界电场EC与杂质浓度无关，则为了使雪崩击穿电压VB提高1倍，发生雪崩击穿时的耗尽区宽度xdB应为原来的多少倍？低掺杂区的杂质浓度应为原来的多少倍？

9、某突变PN结的Vbi = 0.7V，当外加-4.3V的反向电压时测得其势垒电容为8pF，则当外加-19.3V的反向电压时其势垒电容应为多少？

10、某突变结的内建电势Vbi = 0.7V，当外加电压V = 0.3V时的势垒电容与扩散电容分别是2pF和2?10?4pF，试求当外加电压V = 0.6V时的势垒电容与扩散电容分别是多少？

2?111、某均匀基区NPN晶体管的WB?1μm,DB?20cms，试求此管的基区渡越时间?b。

当此管的基区少子电流密度JnE = 102Acm-2时，其基区少子电荷面密度QB为多少？

?12、某均匀基区晶体管的WB?2μm,LB?10μm，试求此管的基区输运系数?之值。若

?将此管的基区掺杂改为如式（3-28）的指数分布，场因子??6，则其?变为多少？

17?12?1?713、某均匀基区NPN晶体管的WB?2μm,NB?10cm,DB?18cms,?B?5?10s，

试求该管的基区输运系数?之值。又当在该管的发射结上加0.6V的正向电压，集电结短路时，该管的JnE和JnC各为多少？

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?14、某均匀基区晶体管的注入效率??0.98，若将其发射结改为异质结，使基区的禁带宽度EGB比发射区的禁带宽度EGE小0.08eV，则其注入效率?变为多少？若要使其?仍为0.98，则其有源基区方块电阻R口B1可以减小到原来的多少？

15、某双极型晶体管的R口B1?1000?,R口E?5?，基区渡越时间?b=10–9 s ,当IB = 0.1mA时, IC = 10mA，求该管的基区少子寿命?B。

?16、某晶体管的基区输运系数??0.99，注入效率??0.97，试求此管的?与?。当此

管的有源基区方块电阻R口B1乘以3，其余参数均不变时，其?与?变为多少？

17、某双极型晶体管当IB1 = 0.05mA时测得IC1 = 4mA，当IB2 = 0.06mA时测得IC2 = 5mA，试分别求此管当IC = 4mA时的直流电流放大系数β与小信号电流放大系数β

18、某缓变基区NPN晶体管的BVCBO = 120V，??81，试求此管的BVCEO。

19、某高频晶体管的f??5MHz，当信号频率为f?40MHz时测得其???10，则当

O

。

f?80MHz时??为多少？该管的特征频率fT为多少？该管的?0为多少？

20、某高频晶体管的?0?50，当信号频率f为30MHz时测得???5，求此管的特征频率fT，以及当信号频率f分别为15MHz和60MHz时的??之值。

?1021、某高频晶体管的基区宽度WB?1μm，基区渡越时间?b?2.7?10s，fT?550MHz。

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当该管的基区宽度减为0.5μm，其余参数都不变时，fT变为多少？

22、某高频晶体管的f??20MHz，当信号频率为f?100MHz时测得其最大功率增益为

Kpmax?24，则当f?200MHz时Kpmax为多少？该管的最高振荡频率fM为多少？

23、在NA = 1015cm-3的P型硅衬底上制作Al栅N沟道MOSFET，栅氧化层厚度为50nm，栅氧化层中正电荷数目的面密度为1011cm-2，求该MOSFET的阈电压VT之值。

24、某处于饱和区的N沟道MOSFET当VGS = 3V时测得IDsat = 1mA ，当VGS = 4V时测得IDsat = 4mA，求该管的VT 与β之值。

25、某N沟道MOSFET的VT = 1V,β= 4×10-3AV-2，求当VGS = 6V，VDS分别为2V、4V、6V、8V和10V时的漏极电流之值。

26、某N沟道MOSFET的VT = 1.5V,β= 6×10-3AV-2，求当VDS = 6V，VGS分别为1.5V、3.5V、5.5V、7.5V和9.5V时的漏极电流之值。

27、某N沟道MOSFET的VT = 1.5V,β= 6×10-3AV-2，求当VGS分别为2V、4V、6V、8V和10V时的通导电阻Ron之值。

28、某N沟道MOSFET的VT = 1V,β= 4×10-3AV-2，求当VGS = 6V，VDS分别为2V、4V、6V、8V和10V时的跨导gm之值。

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29、某N沟道MOSFET的VT = 1V,β= 6×10-3AV-2，求当VDS = 4V，VGS分别为2V、4V、6V、8V和10V时漏源电导gds之值。

30、某N沟道MOSFET的沟道长度L?2μm，阈电压VT = 1.5V，电子迁移率为320cm2/V.s，试求当外加栅电压VGS = 5V时的饱和区跨导的截止角频率?gm。

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