《模拟电子技术基础》A卷及答案[1] 下载本文

13、在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足( )才能起振。 A AV = 1 B AV = 3 C AV < 3 D AV >3 14、迟滞比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,其输出状态将发生( )次跃变。 A 1 B 2 C 3 D 0

15.当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用( )滤波器。 A 低通 B 高通 C 带阻 D 带通

16.串联型稳压电源正常工作的条件是 :其调整管必须工作于放大状态,即必须满足( )。

A VI = VO + VCES B VI < VO + VCES C VI ≠ VO + VCES D VI > VO + VCES

二、填空题

1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,T1接成 共基 组态,

T2接成 共集 组态,R1和R2的作用是 为T1管提供基极偏置 。

6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是T(j?)??1,相应的振幅条件是T(j?)?1,相位条件是?T??????。

9.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 10.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为 10

V,桥式整流后(不滤波)

的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V,二极管所承受的最大反向电压为 14 V。

11.差分放大电路,若两个输入信号uI1,uI2,则输出电压,uO = 0 V;若

uI1 =100?V,u I 2 =80 ?V则差模输入电压uId = 20 ?V;共模输入电压uIc = 90 ?V。

12.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。

13.若三级放大电路中Au1,Au2 = 30dB,Au3 = 20dB,则其总电压增益为 80 dB,折合为 104 倍。

14.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ = 0 A 、静态时的电源功耗PDC = 0W 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。

15.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V。

16.由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 单向导电 性。

17、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏,集电结反偏 。

18.从信号的传输途径看,集成运放由 输入级 、 中间级 、 输出级 、 偏置电路 这几个部分组成。

19.某放大器的下限角频率?L,上限角频率?H,则带宽为

20.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 静态电阻小,交流电阻大 的特点以获得较高增益。

21.在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电 路的放大倍数要略大于 ??2n? 才能起振。

22.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的输出状态发生 1 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 1 次跃变。

23.直流稳压电源的主要组成部分是 电源变压器 、 整流电路 、 滤波电路 、稳压电路 。

三、解答题。

1. 二极管电路如图4(a)所示,设二极管为理想的。(10分)

(1) 试求电路的传输特性(vo~vi特性),画出vo~vi波形;(7分) (2) 假定输入电压如图4(b)所示,试画出相应的vo波形。(3分)

?H??L Hz。 2?

解:(1)当?12V?vi?10V时,D1、D2均截止,vo?vi(2分)

当vi?10V时,D1导通、D2截止 (2分) vo?10?(vi?10)?R251?10?(vi?10)??vi?5

R1?R25?52当vi??12V时,D1截止、D2导通 (2分) vo?(vi?12)?R3102?12?(vi?12)??12?vi?4

R1?R310?53 vo~vi波形如图(a)所示 (1分) (2)vo波形如图(b)所示 (3分)

2. 基本放大器如图5所示,已知晶体管的??100,VBE(on)?0.7V,rbb??300?,

rce可忽略,RE?2.3KΩ,I1?I2?10IBQ,C1,C2和Ce均可视为中频交流短

路(15分)

(1)欲使ICQ?1mA,VCEQ?6V,试确定RB1,RB2和RC的值;(6分)

v(2)设RL?4.3KΩ,计算该放大器的中频增益Av?ovi??;(4分)

(3)试求电容C1确定的下限截止频率fL1(设C1?10μF)。(5分)

解:(1)由(RC?RE)?ICQ?VCEQ?12 求得RC?3.7K? (2分)

IBQ?ICQ??0.01mA 故I1?I2?10IBQ?0.1mA

由I2RB2?0.7?REIEQ 求得RB2?30K? (2分)

由I1(RB1?RB2)?12 (2)rb?e 求得RB1?90K? (2分)

??1???v?(RC//RL)VT??67.9(3分) ?2.63K?(1分),Av?o=?virb?e?rbb?IEQ (3)fL1?1?6Hz,其中RB?RB1//RB2?22.5K?(5分)

2??RB//?rbb??rb?e??C13. 理想运放组成的电路如图6所示,已知输入电压vi1?0.6V,vi2?0.4V,

vi3??1V(13分)

(1) 试求vo1、vo2和vo3的值;(9分)

(2) 设电容的初始电压值为零,求使vo??6V所需的时间t=?(4分)