的取样都必须极其小心。所有的取样、储存与操作装置都必须远离或者隔绝Hg。在室温下以50％的硝酸浸泡所有的玻璃器具24小时，然后以18 M－ohm ASTM Type 1型水彻底清洗 j） 烧瓶容积：如25ml、250ml等； k） 滴管：1ml、2ml、5ml、10ml等； l） 微量滴管：200μL、500μL、1000μL等； m） 厄特曼过滤器；

n） 玻璃纤维过滤器0.45μm（用于消解金属及电子材料） o） 用于标准溶液及消解溶液的塑料容器；

11.5 试剂

a） 水：ISO 2696：1987确定的一级，用于制备及溶解所有的样品溶液 b） 硝酸：ρ（HNO3）1.4g/ml,65%,痕量金属等级； c） 盐酸：ρ（HCl）1.16g/ml,37%,痕量金属等级；

d） 高锰酸钾：G.R.5%水溶液（w/v）每100ml水溶液溶解5g高锰酸钾； e） 氯化钠－羟胺盐酸溶液：每100ml水溶液溶解12g氯化钠及12g羟胺盐酸； f） 四氢氟硼酸盐溶液：HBF4 50％； g） 双氧水：H2O2（30％）； h） 氢氧化钠：薄片 NaOH薄片； i） 四氢硼酸钠：NaBH4；

j） 硼酸钾，NaOH，在0.05％NaOH中添加1％G.R.：在容积为1升的烧瓶中添加0.05克NaOH，

然后加入大约1000毫升水，加10.0克硼酸钾并搅拌溶解。水稀释； k） 含Hg1000μg/ml的标准溶液；

11.5.1 污染

使用这些装置在9～10g的范围内工作时主要的误差来自于污染。在使用各种方法或者器具时必须十分小心从而把这种污染降到最低。以下的预处理可以在一定程度上避免样品的污染： a） 只用蒸馏水或者去离子水。所有的这些材料在与水接触时都必须在中性的不活泼的塑料容

器中。纯水即使储存于聚四氟乙烯（PTFE）也能在很短的时间内滤去杂质； b） 制备样品的化学药品是污染的主要来源。所以只能使用隔绝于Hg的试剂；

c） 强列建议使用还原剂及化学药品之前测量其空白值；

d） 烧杯、滴管及定容烧瓶是金属污染的主要来源。所以处理样品时最好使用中性的惰性塑料；

e） 使用ICP－AES（－OES）和ICP-MS时，如果Hg的浓度很高，容易发生记忆效应。所以含

高浓度Hg的溶液必须稀释。如果通过稀释不能减小记忆效应，则必须清洗仪器。

11.6 样品制备

11.6.1测试部分

可以根据该标准选择性的使用不同的分析过程。为了保证分析结果的可靠需要不同量的样品。如果是电子元器件，样品在化学消解之前，首先应该选用恰当的方法进行机械处理（如研磨、球磨或者球磨－切割）成粉末。为了确保样品的代表性，颗粒的尺寸应与样品实际用量成函数关系（见样品制备的相关标准）。

这种方法制备出的浓溶液可以直接用于AFS、ICP－AES（－OES）和ICP-MS，消解液可以直接进行分析。使用CVAAS（冷气相原子吸收光谱）时，分析之前必须将Hg还原成元素状态。 11.6.2湿消解（用于消解金属材料与电子材料） a)试样制备的一般方法

—称大约1g的样品放入反应皿，加30ml浓硝酸。反应皿装有回流冷却装置及配有10ml 0.5M 硝酸溶液的吸收装置。在程序升温之前，在室温下消解一小时，程序升温至90℃，在90℃下消解两小时，然后室温冷却。吸收管的容量被计入反应装置。获得的溶液（如果试样被彻底消解）转入250ml容积的烧瓶中并注入5％的HNO3至刻度。

—如果没有被完全消解（如印刷线路板、CCFL等），样品应该用0.45μm的纤维过滤。固相残留物用15mL 5% HNO3清洗四次。获得的溶液被导入250ml容积的烧瓶中并加5％的硝酸至刻度。。

—如果过滤器上有样品残留物，必须使用恰当的方法（如X射线嫩光谱仪（EDXRF））检测以便确定其不含目标元素

b)含有锆（Zr）、铪（Hf）、钛（Ti）、铜（Cu）、银（Ag）、钽（Ta）、铌（Nb）或钨（W）的材料的消解

—称出大约1g的样品放入干净的干燥的反应容器中，加入20ml浓盐酸和10ml浓硝酸。反应装置装有回流冷却装置及含有10ml 0.5M 硝酸溶液的吸收装置。在温度图开始之前，在95℃±5℃下消解15分钟。把样品从热的消解器中取出，在室温下冷却。

—如果样品未被完全消解。反复加王水及加热，直到样品被完全消解。每次加酸之后，都应清洗容器的壁以便使粘在上面的样品重新回到溶液中。

—样品被完全消解之后，向反应容器中加入20ml水与15mlKMnO4溶液。彻底混合并在95℃±5℃

加热30分钟。冷却到室温之后，溶液通过过滤器，然后定量导入100ml容积的烧瓶中。溶液被导入漏斗时必须使用玻璃棒导流以免滴落或者飞溅。用水清洗反应容器、冷凝器和吸收器管路。将清洗获得的溶液导入250ml容积的烧瓶中。加6ml氯化钠－羟胺盐酸溶液还原多余的KMnO4。用水稀释消解样品溶液并彻底混合一直到标记。 11.6.3用HNO3/HBF4/H2O2 微波消解

称大约100mg的塑料材料置于聚四氟乙烯－四氟乙烯（PTFE－TFE）的容器中，加入5ml浓硝酸、1.5ml浓度50％的HBF4溶液、1.5ml浓度30％的H2O2和1ml水。然后将容器封闭，并按照前面提到的程序在微波炉里进行消解。附录里给出了使用的微波炉。

容器冷却到室温后（大约需要1小时），打开容器。溶液用厄特曼过滤器导入25ml容积的烧瓶中，用蒸馏水稀释至刻度，充分混合。如果过滤器上有样品残留物，必须使用恰当的方法（如X射线嫩光谱仪（EDXRF））检测以便确定是否含有目标元素。

11.7测定过程

11.7.1标准溶液制备/储备液制备 a）ICP－AES（OES）和AFS：

—储备液：1ml标准汞溶液13.5.K(对应1000 μg汞)配制成100ml，为了长期储备，汞标液中应该添加1～2滴KMnO4示踪液。 b)CVAAS和ICP-MS： — 储备液：标准汞溶液13.5.K — 标准溶液

— 1μg/ml的 Hg（含在1.5％的HNO3中，加入几滴5% KMnO4溶液以使其稳定） — 校准梯度体积：100μl、200μl、500μl — 对应于100ng、200ng、500ng Hg — 稀释剂：1.5％硝酸 — 校准体积：10ml

— 还原剂：3％NaBH4（溶于1%的NaOH溶液中）：把NaOH片和NaBH4粉末溶于去离子水中

并过滤

标准溶液应储存于内壁为塑料的容器中。浓度为1000μg/ml或更高的储备液应该在至少一年内是稳定的。浓度小于1μg/L溶液应由每天制备。

储存容器的内壁对溶液的吸附对汞标准溶液的稳定性有较大的影响。因而，建议加入几滴5％的KMnO4溶液以稳定该标准溶液。

11.7.2 校准

a） 检查并确定仪器能正常运行

b） 仪器在正常工作状态下，设置仪器参数，产生一个直线回归，并确定校准系数（R2）不小

于0.9995

c） 用空白校准溶液校准仪器（这里要确保空白度低于该方法的检测限MDL）。如果空白校准

溶液的测试结果是高于MDL，应检查仪器及操作过程直到解决问题

d） 用由汞标样制备的三种标准溶液校准仪器，校准溶液的范围不应该高于两个量级。如果分

析结果在真实值的±10％范围内，则认为仪器是正常的。否则应重新分析。如果分析结果仍然超过真实值±10％，应检查仪器直到问题解决 e) 对于CVAAS 按照以下步骤建立标准曲线：

— 使用合适的微升滴管，分别将100μL，200μL，500μL的标准溶液（对应于100ng、200ng、500ng Hg）滴加到10ml 1.5％的硝酸溶液中，测量并建立校准图。

11.7.3仪器性能

注意：对于CVAAS操作，必须将标准溶液或消解溶液移至氢化物系统的烧杯中。按照说明书的指示进行操作。对于AFS、ICP－AES（－OES）和ICP-MS，可以直接测量消解溶液。 a) 在最初的校准之后，用质量控制材料校准仪器。如果分析结果在真实值的±10％范围内，可以进行样品分析；否则检查分析过程、仪器操作及其本身直到解决问题。

b) 在分析的过程中，对每批或者每十个样品（进行空白溶液测试。该方法的空白溶液分析结果应该低于MDL，否则重新分析。如果结果仍然高于MDL，应该停止分析过程，然后重新校准仪器，并分析前十个样品。

a) 在分析的过程中，对每批或者每十个样品（用较大者）进行标准溶液的分析。如果分析结果在

真实值的±10％的范围内，则仪器正常；否则重新进行标准溶液的分析，如果仍然超过±10％，应重新校准仪器并分析前十个样品。