第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B.
ISeUUT C. IS(eUU－1)
T （3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
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A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝。
解：UO1≈，UO2＝0，UO3≈－，UO4≈2V，UO5≈，UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
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解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝ （2）若T临界饱和，则Rb≈ 解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
VBB?UBE?26Rb
IB?μA
IC?? IB?2.6mAUCE?VCC?ICRC?2V
所以输出电压UO＝UCE＝
2V。
（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝，所以
IC?IB?Rb?VCC?UCES?2.86mARcIC??28.6?A
VBB?UBE?45.4k?IB
七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表
管 号 T1 T2 UGS（th）/V 4 －4 US/V －5 3 3
UG/V 1 3 DU/V 3 1工作状态 0 T3 －4 6 0 5 解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表所示。
解表
管 号 T1 T2 T3 UGS（th）/V 4 －4 －4 US/V －5 3 6 UG/V 1 3 0 0 DU/V 3 15 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区 习 选择合适答案填入空内。
题
（1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小
（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100
（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小
解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A
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能否将的干电池以正向接法接到二极管两端为什么
解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为时，管子会因电流过大而烧坏。
电路如图所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
解：ui和uo的波形如解图所示。
电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
解：波形如解上图所示。
电路如图5（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。
解：uO的波形如解图所示。
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