有一直流电桥，如图，桥臂由R1，R2,R3,R4组成。求a,b两端开路电压和内阻 答：e?UR4R1?R2R3
(R3?R4)(R1?R2)R?R1R2(R3?R4)?R3R4(R1?R2)
(R1?R2)(R3?R4)14. 直流电桥的特性方程的推导 答P27 10
15. 设E=18V,光电三极管采用3DU13，他在照度100LX时的电流IL=0.7MA.晶体
管采用3DG6B, β=30求RL,RC 答p78，10
16. 求一阶系统的频率响应的求导。幅频特性，相频特性 答P11，11
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不定项选择
1、反射式光纤位移传感器属于振幅型光纤传感器的一种，其测量位移与输出有如下关系（）
A.位移与输出信号成线性关系。
B.在一定范围内位移与输出信号成线性关系。 C.位移与输出信号成反比关系。
D.在一定范围内位移与输出信号成反比关系 E.输出信号存在一种峰值。
2、 下列哪些是半导体应变计的优点（ABD） A、灵敏度高 B、体积小、耗电省 C、横向效应小
D、机械滞后小，可测量静态应变、低频应变等。
3、 因环境温度改变而引起的附加电阻变化或者造成的视应变，与下列哪些因素有关（ABC） A、环境温度变化
B、应变计本身的性能参数κ、α、β C、被测构件的线膨胀系数βg D、应变丝的长度l
4、 在应变式传感器应用中，温度的补偿方法主要有（ABCD） A、应变计自补偿法 B、电桥补偿法
C、辅助测温元件微型计算机补偿法 D、热敏电阻补偿法
5、 光电器件的温度特性可以是下列哪些元素与温度的关系（BCD） A、入射辐射通量 B、灵敏度 C、暗电流 D、光电流
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6、半导体式应变计的主要特征有哪些（A B D ）
A:测量应变的灵敏度和精度高 B:测量范围大 C:尺寸大
D:能适应各种环境 E:价格高
7、金属式应变计的主要缺点有哪些（A D ）
A：非线性明显 B：灵敏度低 C：准确度低
D：抗干扰能力差 E：响应时间慢
8、应变式传感器的温度误差产生的主要原因：（C E）
A：应变式温度传感器件的温度系数变化。
B：应变式温度传感器件的测量部分引起的。 C：敏感栅金属丝电阻本身随温度发生变化。
D：应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起的。
E：试件材料与应变丝材料的线膨胀系数不一, 使应变丝产生附加变形而造成的电阻变化。
9、设计光纤微弯传感器时，下面说法正确的是（ A D ）
A：在光纤微变传感器中的变形器前后一定要有模式除去器。 B：暗视场光纤传感器比明视场的灵敏度高。 C：暗视场光纤微弯传感器的背景光噪声大。
D：暗视场信号放大倍数比亮视场的放大倍数大。 E：暗视场光纤微变传感器信号不易受到温度影响。
10、
下面的哪些传感器属于内光电传感器（C D E） A:光电管; B:光电倍增管 C:光敏电阻 D:光电二/三极管 E:光电池 11、
下列属于按传感器的工作原理进行分类的传感器是（ ACD）
A、应变式传感器 B、化学型传感器 C、压电式传感器 D、热电式传感器 12、
传感技术的研究内容主要包括（ABC）
A、信息获取 B、信息转换
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C、信息处理 D、信息传输 13、
影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是（B）
A、导电材料电阻率的变化 B、导电材料几何尺寸的变化 C、导电材料物理性质的变化 D、导电材料化学性质的变化 14、
电感式传感器可以对（ABCD）等物理量进行测量
A、位移 B、振动
C、压力
D、流量
15、
光纤传感器中常用的光探测器有以下哪几种（ABC）
A、光敏二极管 B、光电倍增管 C、光敏晶体管 D、固体激光器 16、
下面基于外光电效应的光电器件有（ＡＢ）
A:光电管; B:光电倍增管 C:光敏电阻 D:光电二/三极管 E:光电池 17、
下列不属于传感器静态特性的是（ C ）
A、灵敏度 B、线性度 C、频率响应 D、迟滞性 18、
制作应变计敏感元件的金属材料应有如下要求（A D E）
A、k0大，并在尽可能大的范围内保持常数。 B、灵敏度高 C、机械滞后小 D、电阻率ρ大 E、电阻温度系数小 19、
应变式传感器与其他类型传感器相比有以下特点（B C E）
A、受温度影响不大。 B、测量范围广、精度高。
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C、频率响应特性较好。 D、结构相对较复杂，体积大。 E、能在恶劣的环境条件下工作。 20、
下列关于热释电效应说法正确的是（ A B C）
A、利用热释电效应的光电传感器包含光-热、热-电，两个阶段的信息变换过程。
B、热-电阶段是利用某种效应将热转变为电信号。 C、光-热阶段是吸收了光以后温度升高。 D、热释电材料有晶体、陶瓷、塑料和金属等。 21、
对于光电管的基本特性，下面说法正确的是（ A D ）
A、当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。 B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。
C、在零偏压时，二极管和三极管都没有光电流输出。
D、温度变化对光电管的光电流影响很小，而对暗电流影响很大。 E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。 22、
在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物
体电阻率的变化，这种现象称为（D ）。
A.磁电效应 B.声光效应 C.光生伏特效应 D.光电导效应 23、
应变片绝缘电阻是指已粘贴的（ B ）应变片的之间的电阻值。
A.覆盖片与被测试件 B.引线与被测试件 C.基片与被测试件 D.敏感栅与被测试件 24、
电阻应变片的线路温度补偿方法有( A.B.D ).
A.差动电桥补偿法
B.补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法 C.补偿线圈补偿法 D.恒流源温度补偿电路法 25、
通常用应变式传感器测量(BCD).
B.速度
C.加速度
D.压力
A.温度 26、
在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于(BD).
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