线性第1-3章习题

2.5 习题解答

2-1 试画出PNP型晶体三极管在放大模式下内部载流子传输过程示意图。 解:放大模式下PNP管内部载流子传输示意较如图LP2-1所示。 图中IE =IEp+IEn,IC=ICp+ICBO,IB=IEn+(IEp-ICp)-ICBO

由于IEn与ICBO很小,因此IB中的主要成分就是复合电流部分。

2-2 试指出如何使用三用表电阻挡判别双极型晶体管的三个电极和类型。

解:三用表有模拟三用表与数字三用表之分。当三用表置于电阻挡时,模拟三用表的“+”端——红表笔——相当于电压源负极,“-”端——黑表笔——相当于电压源正极。而数字三用表恰好相反。

(1)判断基极

无论PNP型还是NPN型,它的基极相对于发射极和集电极来说就是一个PN结,根据这一特点,可方便地判断出管子的基极。

先将三用表置于电阻档,然后用一只表笔与任一假定的基极相接,另一表笔分别与其它两个电极相接触,若两次测得的阻值都很大或都很小,则该假定的电极为基极。否则,另假定一个基极,重新测量。

(2)判断NPN型或PNP型(以模拟三用表为例)

用红表笔接三极管基极,黑表笔与其它任一电极相扫,若呈现的阻值都很小,则为PNP型管,反之为NPN型管。

(3)判断集电极与发射极(以模拟三用表判断NPN型管为例)

首先假定基极以外的任一电极为集电极,并将其与黑表笔相接,再将红表笔与假定的发射极相接。用一只手的拇指与中指捏住基极,同时用这只手的食指去接触假定的集电极(目的就是在集电极与基极之间入人体电阻,构成固定偏流电路),并观察接触前后指针的摆动情况;将上述假定的集电极与发射极反过来重新测试一遍,观察两次测试中哪一次的指针摆动大,摆动大的相当于管子正向运用,此时黑表笔所接的为集电极,红表笔所接的为发射极。

PNP管测试方法相同,但结论相反。指针摆动较大时,红表笔接集电极。

2-3 测得某型号晶体管的β值范围为50~150,试求α值的范围。 公式进行求解,得α值的范围为0.98~0.993。 解:利用β= 1?β2-4 两个晶体三极管的α值分别为0.99、0.985,试求各管的β值。若每管的集电极电流均为10mA,ICBO忽略不计,试求各管的IB值。

βα及I=I/β进行求解。 解:利用β= BC

1?α当α=0.99时,求得β=99,IB=100μA;当α=0.985时,β=66,IB=152μA。

2-5 一NPN型硅晶体三极管,已知ICBO=5pA,IB=14.5μA,IC=1.45mA,设VBE=0.7V,试求α、β、IS、ICEO。

ICIC?ICBO

解:β= ≈ ≈100,α=β/(1+β)=0.99

IB+ICBOIB

VBEV

BE

= 2.94×10-15A 利用公式IC=ISe V T ,求得IS≈IC eVT ICEO=(1+β)ICBO=505pA

5

2-6 在NPN型晶体三极管中,发射结正偏,集电结反偏。已知IS≈4.5×10-15A,α=0.98, ICBO忽略不计。试求温室时VBE=0.65V、0.7V、0.75V的IE、IC和IB值,并分析比较。

解:

2-7 一NPN型晶体三极管,已知温度为30℃时β1=150,50℃时β2=180,试计算在此温度变化范围。 内,β和α的相对变化率(相对于30℃)

解:△β/β=(β2-β1)=20%

利用α=β/(1+β)公式,当T为30℃、50℃时,α分别为0.9934、0.9945。 因此△α/α=(α2-α1)≈0.1%

2-8 已知某晶体三极管在室温(27℃)下的β=50,VBE(on)=0.2V,ICBO=10-8A,当温度升高至60℃时,试求β′、V′BE(on) 、I′CBO值。

解:设△β/(β△T)=1%,则△β/β=△T×1%=33% 当T=60℃时,β′=(1+33%)β=66.5

设△VBE(on)/△T=-2.5Mv,则V′BE(on)=-2.5×△T+VBE(on)=0.01175V

ΔT

10I′CBO=ICBO×2 = 9.85×10-8A

2-9 一NPN型晶体三极管的发射结和集电结上均加正偏电压,试画出管内载流子传输示意图,并指出基极电流IB由哪些电流成分组成。

解:发射结、集电结正偏时,载流子传输示意图如图LP2-9所示。此时基极电流IB=IEp+(IF-αFIF)+(IR-αRIR)+ICp。与放大模式相比,基极电流各成分中除IEp不变外,复合电流在原有基础上增大(IR-αRIR),更重要的是ICp的性质发生变化,它是由基区多子形成的电流,其数值在基极电流中占很大的比例。

2-10 试画出PNP型晶体三极管的埃伯尔斯-莫尔模型。

解:PNP管的埃伯尔斯-莫尔模型如图LP2-10所示。其中,IE=IF-αRIR,IC=αF-IF,而

V VBE

VBE

VT-1)IF=IEBS(e ,

IR=ICBS(eT-1)

2-11 已知晶体三极管静态工作点电流ICQ=2mA,β=80,│VA│=100V,rbb’=0,试画出器件的混合П型等效电路,并求其参数rb’e、gm和rce值。

解:混合П型等效电路如图LP2-11所示。

β由于α= =0.9876,则IEQ=ICQ /α=2.025mA

1+β

VAVT

因此rb’e=(1+β) =1040Ω,gm=β/rb’e=77mS, rce= =50kΩ

IEQ

I

CQ

6

2-12 试用图解法确定图LP2-12(a)所示电路的工作点IBO、VBEQ、ICQ、VCEQ。已知三极管的输入和输出特性曲线如图LP2-12(b)、(c)所示。

RB2VCC

解:已知RB=RB1//RB2=19kΩ,VBB= =1.22V,则

RB1+RB2

输入端直流负载线方程 VBE =VBB-IBRB (1) 输出端直流负载线方程 VCE =VCC-ICRC (2)

将负载线(1)画在输入特性曲线上,由交点得IBQ=27μA;将负载线(2)画在输出特性曲线上,与IB =IBQ相交,得ICQ=1.8mA,VCEQ=5.2V。

2-13 图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的 α1=0.99,α2=0.98。T2管的IB2=1.5mA,两管的ICBO

很小,均可忽略,│VA│→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式。(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;(2)计算电流IC1、IC2、IB1、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IB1)值。

解:(1)图LP2-13(a)所示电路的简化电路模型如图LP2-13(b)所示。

(2)利用β = ,计算得β1= 99,β2= 49

因此IC2=β2IB2=73.5mA,IC1=α1IE1=α1IB2=1.485mA,IB1=IC1/β1=15μA IC=IC1+IC2=74.98mA,VCE=VCE-ICR=7.5V (3)β =IC/IB1= 4999 ≈ β1β2 2-14 图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2mA,VBE(on)=0.7V。(1)若要求集电极电压Vo=(5~7)V,试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管,电源电压数值不变,试问晶体管与外电路应如何连接,为保持集电极电压│Vo│、电流IC不变,试计算R1、R2值。

解:(1)R1= CC O =(3.5~2.5)k?,R2=

ICV

?V

α1?α?VBE?VEE

=5.65k?

IC

(2)器件改为硅PNP管后,电路如图LP2-14(b)所示。

VCC?VBE(on)?V?VEER1= I =5.65k? ,R2 = O I =(3.5~2.5)k?

CC

2-15 图LP2-15所示电路中已知α =0.98,VBE(on)=0.7V,ICBO≈0。(1)试求IB、IC、ICE;(2)若RE=0,RB2开路,指出电路工作模式。

RB2VCC解:(1)β

IC=βIB=16.74mA,VCE=VCC-IC(RC+RE)=3.35V

(2)若RE=0,RB2开路,则IB= =0.565mA,Ic=

VCC?VBE(on)

RB1

RB1+RB2α= = 49,IB= =3。35V 1?αR//R+(1+β)R

B1

B2

E

?VBE(on)

βIB=27.695mA,VCE =VCC-ICRC

=-1.01V

2-16 某集成电路中的局部原理电路如图LP2-16所示,已知VBB=-13V,VBE(on)= 0.7V, β=100,RE1=50kΩ,RE2=100kΩ,试计算IC1、IC2值。

7

VBB?VBE(on)?VEE

解:通过电阻RE1上的电流I1= =26μA

RE1

IC2

VBB?2VBE(on)?VEE

由于IC2≈ =6mA,IB2=β=60μA

RE2因此 IC1=IE1=I1+IB2=86μA

2-17 在图LP2-17所示放大电路中,已知VBE(on)1=0.7V,VBE(on)2=-0.25V, β1=β2=100,试求T1

和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。

解:通过电阻RC3上的电流 RB2V

IRC3= =1.405mA

CC?V

BE(on)1RB1+RB2

RC3

解联立方程 IC1+IC2≈IRC3 得 IC1=522μA

IC2RE+VBE(on)2=IC1RC1 IC2=854μA

2-18 图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,│VBE(on)│=0.7V,ICBO≈0。

(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1、VC2; (2)若RB2改为3kΩ,试指出T1和T2管的工作模式;

(3)若RC2改为5.1kΩ,试求β2(sat)值,并与放大模式下β=100比较。 解:(1)由于(1+β)RE1>>RB1//RB2

CC?V BE(on)1RB1+RB2

因此IC1≈ =1.09mA,VC1≈VCC-IC1RC1=5.74V

RE1

VCC?VBE(on)2?VC1

IC2≈IE2= =1.28mA,VC2≈IC2RC2=2.82V

RE1

RB2VCC

(2)若RB2改为3kΩ,则VBB= =0.5V

RB1+RB2

(3)若RC2改为5.1 kΩ,则VCE2≈VCC-IC2(RC2+RE2)=-0.1V

VCC?VCE(sat)

T2管临界饱和电流IC2S= =1.23mA

RC2+RE2

IC2SRC2+VBE(on)2

由于IRC1= =1.05mA,因此IB2=IC1-IRC1= 40μA

RC1

则β2(sat)=IC2S/IB2=30.75,β/β2(sat)=3.25

2-19 在图LP2-19所示电路中,已知晶体三极管的β=200,VBE(on)=-0.7V,ICBO≈0。(1)试求IB、IC、VCE ;(2)若电路中元件分别作如下变化,试指出晶体三极管的工作模式:(a)RB2=2 kΩ(b)RB1=15 kΩ(c)RE=100Ω。

RB2V

解:(1)由于VBB= =-2.25V,RB=RB1//RB2=2.5kΩ

RB1+RB2

VBB?VBE(on) + ( 1 + β ) R =32.5μA,IC=βIB=6.5mA 则 IB= RB

E

RB2VCC

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