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良好绝缘的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随试验电压的升高而明显增加。图5表示了几种典型的情况：
曲线1是绝缘良好的情况，其tgδ几乎不随电压的升高而增加，仅在电压很高时才略有增加。
曲线2为绝缘老化时的示例。在气隙起始游离之前，tgδ比良好绝缘的低；过了起始游离点后则迅速升高，而且起始游离电压也比良好绝缘的低。
曲线3为绝缘中存在气隙的示例。在试验电压未达到气体起始游离之前，tgδ保持稳定，但电压增高气隙游离后，tgδ急剧增大，曲线出现转折。当逐步降压后测量时，由于气体放电可能已随时间和电压的增加而增强，故tgδ高于升压时相同电压下的值。直至气体放电终止，曲线才又重合，因而形成闭口环路状。
曲线4是绝缘受潮的情况。在较低电压下，tgδ已较大，随电压的升高tgδ继续增大；在逐步降压时，由于介质损失的增大已使介质发热温度升高，所以吃 不能与原数值相重合，而以高于升压时的数值下降，形成开口环状曲线。
从曲线4可明显看到，tgδ与湿度的关系很大。介质吸湿后，电导损耗增大，还会出现夹层极化，因而tgδ将大为增加。这对于多孔的纤维性材料（如纸等）以及对于极性电介质，效果特别显著。
综上所述，tgδ与介质的温度、湿度、内部有元气泡、缺陷部分体积大小等有关，通过tgδ的测量发现的缺陷主要是：设备普遍受潮，绝缘油或固体有机绝缘材料的普遍老化；对小电容量设备，还可发现局部缺陷。必要时，可以作出tgδ与电压的关系曲线，以便分析绝缘中是否夹杂较多气隙。对tgδ值进行判断的基本方法除应与有关“标准”规定值比较外，还应与历年值相比较，观察其发展趋势。根据设备的具体情况，有时即使数值仍低于标准，
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但增长迅速，也应引起充分注意。此外，还可与同类设备比较，看是否有明显差异。在比较时，除tgδ值外，还应注意Cx值的变化情况。如发生明显变化，可配合其他试验方法，如绝缘油的分析、直流泄漏试验或提高测量tgδ值的试验电压等进行综合判断。
7. 交流耐压试验 7.1 该项目适用范围
电流互感器的交接、大修后和预防性试验 7.2 试验时使用的仪器 工频耐压装置一套 7.3 测量步骤
试验设备及仪器和试验方法参照变压器工频交流耐压试验。二次绕组的交流耐压试验电压为2Kv，各用2500V兆欧表代替。耐压试验时，被试绕组的端头短接加压，非被试绕组均短路与底座一起接地；在试验过程中，若由于空气湿度、温度、表面脏污等影响，引起被试品表面滑闪放电或空气放电，不应认为被试品的内绝缘不合格，需经清洁、于燥处理之后，再进行试验；升压必须从零开始，不可冲击合闸。升压速度在40％试验电压以内可不受限制，其后应均匀升压，速度约为每秒3％的试验电压；耐压试验前后均应测量被试品的绝缘电阻；高压试验变压器有测量绕组的，在不使用时，低端必须接地，注意绕组不能短路；耐压试验接线必须实行“三检制”。（自检、互检、工作负责人检）；加压过程中，必须有人呼唱、监护；加压部分对非加压部分的绝缘距离必须足够，并要防止对运行设备及非加压部分的伤害。
8. 电压互感器空载电流试验 8.1 该项目适用范围
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电磁式电压互感器的交接、大修后试验 8.2 试验时使用的仪器 电压表、电流表、调压器等 8.3 测量步骤
试验接线见图6。试验时，从低压侧加压，高压侧低端（X端）必须接地，逐渐升至额定电压，读取电流表读数，即为在额定电压下的空载电流。
对于三相电压互感器，可在低压侧加三相100V试验电源。若三相电源不平衡时，可取三相电压的算术平均值作为所加电压的数值。当各相电压差不超过2％时，可用UAC代表平均电压，然后读取各相的空载电流值。
试验测得的空载电流值与制造厂数据比较，应基本接近。若相差太大，说明互感器有问题。对于串级式电压互感器，如果刚加电压，空载电流就大大增加，可能是连耦绕组极性接反；如果连耦绕组断开，则其空载电流较正常值小得很多。
9. 测量一次绕组对地的tgδ值 9.1 该项目适用范围
20kV及以上电磁式电压互感器交接、大修后和预防性试验 9.2 试验时使用的仪器
介损测试仪或QS19型电桥等。
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9.3 测量步骤
试验方法以QS19型电桥为例，自动抗干扰一体化电桥根据使用说明书可参照QS19型电桥进行。
9.4.1反接线法
35kV及以上的电压互感器一次绕组连同套管一起对外壳的tgδ值，可用西林电桥的反接线法进行测定。对于全绝缘的一次绕组，其试验方法和注意事项与变压器绕组的试验相同（参见第五章第四节），试验电压为10kV。
对于分级绝缘的电压互感器以及串级式电压互感器，因为绕组接地端的绝缘水平低，试验电压只能加至2～3kV，并需查看制造厂说明书的规定后方可加压。此时，若用西林电桥反接线法，接线时电桥的“Cx”端必须和被试互感器一次绕组的接地端X相接，或者A与X短后和“Cx”相接。如仅将一次绕组出线端A与电桥的“Cx”连接，测量结果会出现误差。近年来对串级式电压互感器，为了提高检测的灵敏度，采用自激法和末端屏蔽法测量tgδ值。
9.4.2 高压标准电容器自激法测量
采用高压交流电桥高压标准电容器自激法测量串级式电压互感器的电 值接线，如图7所示。图中A-X为两元件铁芯串接高压测绕组的出线端，a-x为低压侧绕组出线端，ad-xd
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为低压侧辅助绕组出线端，图中其他符号含义同图4-3、图4-5，所不同的是利用电压互感器本身作为试验变压器，以套管和绕组的对地电容作为Cx。这种线路的电压分布与电压互感器工作时一致，所以避免了高压侧绕组靠近低压端的容量大，而造成主要反映低压端介质损耗的缺点。如能采用更高电压的标准电容器就更接近实际，如国产的250kV六氟化硫标准电容器，就能够满足110kV及220kV的电压互感器在工作电压下用自激法测tgδ的试验。试验方法和第四章中用QS19型电桥对角接线法测量tgδ的方法完全一样，由于桥体处于低压端，所以标准电容器可以选用更高的电压等级，以满足电压互感器的测量要求。
9.4.3低压标准电容器自激法
如图8所示，利用QSI型桥体内的标准电容作为电桥的标准臂，对串级式互感器进行自激测量tgδ值。电桥的标准电容供电是取自辅助绕组ad-xd端子上所感应的电压，标准电容桥臂承受的电压较低，此时辅助绕组的负荷很小，ù1和ù2相量基本上是重合的，经试验证明它们之间的角差影响可以忽略不计。
不管用高压标准电容器自激法，还是用低压标准电容器自激法，在测量串级式电压互感器的tgδ值时，仍然避免不了强电场的干扰影响。其干扰源一个来自互感器高压侧外界电场（附近的高压带电设备），另一个来自二次侧激磁系统。前者可采用高压屏蔽的办法消除，