武汉大学电子信息学院
2012—2013学年度 第一学期 期末考试试题
低频电子线路（A卷）
一．不定向选择题（每小题2分，共16分）
1． 半导体的性质正确的说法有（ ）
A、本征半导体在绝对零度时是绝椽体。 B、温度升高导电能力增强。 C、N型半导体的多子是电子。 D、掺入杂质导电能力提高。 2． PN结在外加较大正向电压时（ ）
A、直流电阻大于交流电阻。 B、直流电阻小于交流电阻。 C、扩散电流大于漂移电流。 D、漂移电流大于扩散电流。 3． 温度升高时，共发射极放大器的描述中正确的有（ ） A、β值升高。 B、VBE（ON）下降。
C、集电极电流将下降。 D、饱合压降VCES降低。 4． 差分放大器的特点有（ ）
A、放大倍数与输入方式无关。 B、可抑制零点漂移。 C、共模输入电阻很小。 D、共模放大倍数小。 5． 负反馈放大器性能的影响或改善正确的说法有（ ）
A、 电压反馈使输出电阻减小。 B、电流反馈使输出电阻增大。 C、负反馈使放大器性能稳定。 D、负反馈可以减小放大器的失真。 6． 关于电流源的说法中正确有
A、具有较小的直流电阻和较大的交流电阻。 B、可作为负载使用。 C、具有较大的直流电阻和较小的交流电阻。 D、可用作偏置电路使用。 7． 放大器的非线性失真主要有：（ ） A、频率失真 。 B、截止失真。 C、饱合失真。 D、幅度失真。 8．图示为输出与输入信号电压的波形。问该电路为（ ） A、过零比较器。 B、积分器。 C、微分器。
D、滞回电压比较器。
二、填空题（每空1分，共14分）
1．在N型半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ；少数载流子的浓度主要取决于 。
2．已知晶体管的α值为0.98，则晶体管的β＝ ；若要得到9.8mA的集电极电流，基极电流IB＝ 。
3．晶体三极管用来放大信号时，应使发射结处于 偏置，集电结处
于 偏置。
4．为了抑制共模信号，运算放大器的输入级大多采用 ，为了减少输出电阻并提高效率，运放的输出级大多采用 。 5． 乙类功率放大器特有的非线性失真是 ，理想时的效率可达 。 6．在双端输入的差分放大电路中，已知两个输入信号分别为0.5V和0.3V，则其差模输入信号为 ，共模输入信号为 。 7．某单极点的有源低通滤波器的转折点为100KHz，当输入端加入1KHz的10mV的正弦信号时，输出信号为10V，当加入10MHz的10mV的正弦信号时，输出为 。 8．为了提高放大器的带负载能力同时也提高输入电阻可以引入 负反馈。 三、（8分）如图所示的硅二极管电路中，输入交流信号υi有效值为30mV，试问（设电容C对交流信号的容抗可忽略不计，外加的直流电源为1V，两个电阻分别为52欧和510千欧，如图所示） 1. 画出该电路的小信号模型电路图； 2. 求输出电压υ0的有效值。 四、（15分）如题图所示的共射放大电路中，已知三极管的rbb?＝200Ω，β＝50，Rb1＝47kΩ，Rb2＝10kΩ，RC=3kΩ，RL=3kΩ，VCC＝12V， Re=1.2kΩ，VBEQ＝0.7V，在室温T＝300k的条件下（CC、Cb、Ce对交流信号短路），试求： 1. 放大器的静态工作点。 2. 画出小信号等效电路。
求放大器的输入电阻Ri以及中频电压放大倍数AV。
五、（15分）差分放大电路如图所示，已知三极管β1＝β2＝β3＝100，三个管的三极管的导通电压VBE＝0.7V，rbb?＝200Ω，RS＝150Ω，RC1＝RC2＝10kΩ， Rb1＝28kΩ，Rb2＝20kΩ，Re＝4.3KΩ，RW＝100Ω，且设其滑动端位于中点，VCC＝VEE＝12V。
1. 估算T1、T2的静态工作点IC、VCE； 2. 画出其差模信号的微变等效电路图； 3. 计算双端输出的差模放大倍数AVD； 4. 求差模输入电阻Rid。
六、（12分）如题所示的反馈放大电路，判断题图中电路的反馈类型，划出反馈拆环后的基本放大器，估算其为深度负反馈时电路的源电压增益的表达式。 七、（10分）如图所示电路，已知电阻R=10KΩ，电容C=0.022uF，其中、运算放大器视为理想放大器。
1、求电路对应的传递函数； 2、画出其幅频波特图。
八、（10分）如图所示电路，已知电阻R1= R2=10KΩ，稳压二极管的稳压值是5.3V，三极管的导通电压为VBE=0.7V，电容C=220uF，可调电阻RW为10KΩ 。三级管的饱和压降为0.3V。
1、求输出电压的可调范围，并求其在可调范围内输入电压的最小值； 2、简述电容C的作用。