265 275 -7.1 -5.11 7.05 5.03 3.878 -8 -5.74 7.93 5.54 -7.52 -5.355 -0.00163 0.00377 -6.418983565 -0.001161 0.00364 -6.758518999 -0.000883 0.00351 -7.03247682 285 -3.895 295 -3.048 296.5 -2.957
-4.29 4.224 -4.07175 3.006 -3.309 3.282 -3.16125 2.958 -3.216 3.218 -3.08725 -0.000685 0.00339 -7.285582184 -0.000669 0.00337 -7.309268976 实验数据的整理并画出P型半导体lnRH?1/T曲线图5
此曲线包括四个部分：
第一部分为T?83.7K至T?150K，这是杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。P型半导体中p??n，在这段区域内有RH?0。本实验中测得到的杂质电离饱和区的霍耳系数为RH?0.00149m/C。
第二部分为T?150K至T?180K（即反转点），这时，随着温度逐渐升高，价带上的电子开始激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，即b?1，当温度升高到p?nb时，有RH?0，如果取对数就会出现图中凹陷下去的奇异点。
第三部分为T?180K至T?215K，即当温度再升高时，更多的电子从价带激发到导带，
23p?nb2而使RH?0，随后RH将会达到一个极值RHM。此时，价带的空穴数p?n?NA（其
中NA表示受主杂质提供的空穴数），实验中测得的RHM??0.008008m/C（此时的温度
3
为T?215K）。
第四部分为T?215K至T?296.5K，即当温度继续升高时，到达本征激发范围内，载流子浓度远远超过受主的浓度，霍耳系数与导带中电子浓度成反比。因此，随着温度的上升，曲线基本上按指数下降。 五：实验结论及误差分析 5.1实验结论：
本实验采用范德堡测试方法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随温度的变化，得到了实验上的lnRH??理意义。 5.2误差分析：
1：爱廷豪森效应引起的误差不可消除；
2：调节温度过程中读取某一温度值时刻的电压时存在误差； 3：转动磁铁改变方向的时候存在小误差； 4：仪器本身精度有限引起误差
虽然这些误差对于实验的结果可能会有微小的影响，但是从整体上来说，这次实验的误差不算很大，在正常的范围之内。 参考文献：
熊俊主编《近代物理实验》，北京师范大学出版社，2007年8月版
?1?，并结合理论分析了曲线中各区间的物?曲线（图5）
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