45. 简单说明Contact(CT)的形成步骤有那些?
答：Contact是指器件与金属线连接部分，分布在poly、AA上。
① Contact的Photo（光刻）；
② Contact的Etch及光刻胶去除(ash & PR strip)；
③ Glue layer（粘合层）的沉积； ④ CVD W（钨）的沉积 ⑤ W-CMP 。
46. Glue layer（粘合层）的沉积所处的位置、成分、薄膜沉积方法是什幺？
答：因为W较难附着在Salicide上,所以必须先沉积只Glue layer再沉积W
Glue layer是为了增强粘合性而加入的一层。主要在salicide与W(CT)、
W(VIA)与metal之间, 其成分为Ti和TiN, 分别采用PVD 和CVD方式制作。
47. 为何各金属层之间的连接大多都是采用CVD的W-plug(钨插塞)?
答：① 因为W有较低的电阻；
② W有较佳的step coverage(阶梯覆盖能力)。
48. 一般金属层(metal layer)的形成工艺是采用哪种方式?大致可分为那些步骤?
答：① PVD (物理气相淀积) Metal film 沉积
② 光刻(Photo)及图形的形成；
③ Metal film etch 及plasma(等离子体)清洗（此步驺为连序工艺，在同
一个机台内完成，其目的在避免金属腐蚀） ④ Solvent光刻胶去除。
49. Top metal和inter metal的厚度，线宽有何不同?
答：Top metal通常要比inter metal厚得多，0.18um工艺中inter metal为4KA,
而top metal要8KA.主要是因为top metal直接与外部电路相接，所承受负载较大。一般top metal 的线宽也比 inter metal宽些。
在量测Contact /Via（是指metal与metal之间的连接）的接触窗开的好不好50.
时, 我们是利用什幺电性参数来得知的?
答：通过Contact 或Via的 Rc值，Rc值越高，代表接触窗的电阻越大, 一
般来说我们希望Rc 是越小越好的。
51. 什幺是Rc? Rc代表什幺意义？
答：接触窗电阻，具体指金属和半导体（contact）或金属和金属(via)，在相
接触时在节处所形成的电阻，一般要求此电阻越小越好。
52. 影响Contact (CT) Rc的主要原因可能有哪些?
答：①ILD CMP 的厚度是否异常；
②CT 的CD大小；
③CT 的刻蚀过程是否正常；
④接触底材的质量或浓度（Salicide，non-salicide)； ⑤CT的glue layer（粘合层）形成； ⑥CT的W-plug。
53. 在量测Poly/metal导线的特性时, 是利用什幺电性参数得知?
答：可由电性量测所得的spacing & Rs 值来表现导线是否异常。
54. 什幺是spacing?如何量测?
答：在电性测量中，给一条线(poly or metal)加一定电压，测量与此线相邻但
不相交的另外一线的电流，此电流越小越好。当电流偏大时代表导线间可能发生短路的现象。
55. 什幺是 Rs?
答：片电阻（单位面积、单位长度的电阻），用来量测导线的导电情况如何。
一般可以量测的为 AA(N+,P+), poly & metal. 56. 影响Rs有那些工艺?
答：① 导线line（AA, poly & metal）的尺寸大小。(CD=critical dimension)
② 导线line（poly & metal）的厚度。
③ 导线line (AA, poly & metal) 的本身电导性。（在AA, poly line 时可
能为注入离子的剂量有关）
57. 一般护层的结构是由哪三层组成?
答：① HDP Oxide(高浓度等离子体二氧化硅)
② SRO Oxide（Silicon rich oxygen富氧二氧化硅） ③ SiN Oxide
58. 护层的功能是什幺?
答：使用oxide或SiN层, 用来保护下层的线路，以避免与外界的水汽、空气
相接触而造成电路损害。
59. Alloy 的目的为何?
答：① Release 各层间的stress（应力），形成良好的层与层之间的接触面
② 降低层与层接触面之间的电阻。
60. 工艺流程结束后有一步骤为WAT，其目的为何?
答：WAT(wafer acceptance test), 是在工艺流程结束后对芯片做的电性测量，
用来检验各段工艺流程是否符合标准。（前段所讲电学参数Idsat, Ioff, Vt, Vbk(breakdown), Rs, Rc就是在此步骤完成）
61. WAT电性测试的主要项目有那些?
答：① 器件特性测试；
② Contact resistant (Rc)； ③ Sheet resistant (Rs)；
④ Break down test； ⑤ 电容测试；
⑥ Isolation (spacing test)。
62. 什么是WAT Watch系统? 它有什么功能?
答：Watch系统提供PIE工程师一个工具, 来针对不同WAT测试项目,设置不同
的栏住产品及发出Warning警告标准, 能使PIE工程师早期发现工艺上的问题。
63. 什么是PCM SPEC?
答：PCM (Process control monitor) SPEC广义而言是指芯片制造过程中所有工
艺量测项目的规格,狭义而言则是指WAT测试参数的规格。
64. 当WAT量测到异常是要如何处理?
答：① 查看WAT机台是否异常,若有则重测之
② 利用手动机台Double confirm
③ 检查产品是在工艺流程制作上是否有异常记录 ④ 切片检查