模拟电子技术习题答案1

解:(1) Ri=R1=10kΩ

?vn?v4 0?v4v4?voR2?R ?R? R v??vi??5.1vi?4243R1(2) ?

v?vv?vn4?i?nvo?3v4??15.3vi?R2?R13(3) R??R1//?R2?R3//R4??R1//R2?8.84kΩ

22.电路如图所示,图中集成运放输出电压的最大幅值为±14V,试将计算结果填如表2.1中。

解:vO1=(-Rf /R) vI=-10 vI,vO2=(1+Rf /R ) vI=11 vI。 当集成运放工作到非线性区时,输出电压不是+14V,就是-14V。

表2.1

vI/V vO1/V vO2/V 0.1 -1 1.1 0.5 -5 5.5 1.0 -10 11 1.5 -14 14 3.求解图示电路中v与v之间的运算关系。

O

I

5

解:图示电路的A1组成同相比例运算电路,A2组成差动运算电路。先求解vO1,再求解vO。

?R3??vO1??1?vI1??R1???RR5??vO??5vO1??1?vI2 ??R4R4?? ??R5R4??R3?R5?????1?v?1?vI2 I1????R1?R4???

??R5?R5?????? ???1?v?v??1?vII1I2????R4?R4???4.一高输入电阻的桥式放大电路如图所示,试写出v= f (δ)的表达式(δ=ΔR/R)。

o

viRviv vo2?vB??i 22R??R2??解:

?RR2?R2R2?????vo??2vo1??1?v???R?Ro2R?4?2??viR1R?1?121??vo1?vA?5.图示电路中,A1,A2,A3均为理想运放。

(1)A1,A2,A3分别组成何种基本运算电路;

(2)列出vO1,vO2,vO的表达式。

6

解:(1)同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。

vo1?3vi1 vo2??vi2?2vi3 (2)

?100?100vo??2vo1??1?vo2??2(vo1?vo2)??2(3vi1?vi2?2vi3)?50150??I3 的运算结果:vO = f (vI1、vI2、vI3)。

6.试写出图示加法器对v、v、v

I1

I2

解:A2的输出vO2=-(10/5)vI2-(10/100)vI3=-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20)vI1-(100/100)vO2=-5vI1+2vI2+0.1vI3

7.在图示电路中,已知输入电压vi的波形如图(b)所示,当t=0时,电容C上的电压vC=0。试画出输出电压vo的波形。

7

1t2vidt?vC( t1)?tRC11当 v为常数时 v??vi( t2?t1)?vC( t1)?-100 vi( t2-t1)?vC( t1)io解:

RC若 t1?0, vC?0, t2?5ms 时 vo??100?5?5?10?3??2.5V vo??若 t1?5ms, vC?-2.5V, t2?15ms 时 vo?-100?(-5)?10?10?3?(?2.5)?2.5V

8.设计一反相放大器,电路如图所示,要求电压增益

Av?voR??2??10 R2?10R1viR1R1Av=vo/vi=-10,当输入电压vi=-1V

时,流过R1和R2的电流小于2mA,求R1和R2的最小值。

解:当 vi??1V 时,有 vi?2mA , R1?0.5kΩ, R2?5kΩ

取 R1?510Ω ,R2?5.1Ωk

第三章 二极管及其基本电路

一、填空题:

1.制作电子器件的常用材料主要采用 硅和锗 。 2.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3.本征半导体是指 完全纯净的、结构完整的半导体晶体 。P型半导体中的少子是 电子 ,多子是 空穴 , N型半导体中的少子是 空穴 ,多子是 电子 。

4.半导体中参与导电的有 两 种载流子,分别是 电子 和 空穴 ,导体中参与导电的有 一 种载流子,是 电子 。

5.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流IS将增大,这是因为此时PN结内部的 B 。

A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小

6.半导体PN结中内电场E,是由 空间电荷区 产生的,当将 反向 电压加在PN结两端时,其PN结内

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