《微电子技术综合实践》
设计报告
题目： n阱CMOS芯片的设计 院系： 自动化与信息工程学院 专业班级： 微电122 学生学号： 学生姓名： 指导教师姓名： 职称： 起止时间： 2015.***---*** 成绩：
目 录
一． 设计指标要求..........................................................................................2
1.任务.........................................................................................................2 2.特性指标要求.........................................................................................2 3.结构参数参考值.....................................................................................2 4设计内容.................................................................................................2 二． MOS器件特性分析................ ................................................................3 1.NMOS的参数设计与计算 .................................................................3 2.PMOS的参数设计与计算.... ...............................................................4
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三． 工艺流程分析......................................................................... ................5 1.工艺流程框图.......................................................................................5 2具体工艺流程分析...............................................................................5 四． 掺杂工艺参数计算.................................................................................14 1.形成N阱的工艺参数计算.................................................................14 2.NMOS源漏区掺杂的工艺方法和工艺条件..........