第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（ √ ）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ × ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ √ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ × ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ √ ）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ × ）
解：
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏
（4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C
第一章题解－1
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
图T1.3
解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V， UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图T1.4
解：(a)图能击穿稳压，UO1＝6V；(b)图不能击穿，靠电阻分压，UO2＝5V。
第一章题解－2
五、电路如图T1.5所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？ （2）若T临界饱和，则Rb≈？ 解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
IB?
VBB?UBE?26μA RbIC?? IB?2.6mAUCE?VCC?ICRC?2V
所以输出电压UO＝UCE＝2V。 图T1.5 （2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
ICmax?VCC?UCES?2.86mARcICmax I??28.6?ABmax?
Rb?VBB?UBE?45.4k?IBmax 六．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表T1.7
管 号 T1 T2 T3
解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。
解表T1.7
第一章题解－3
UGS（th）/V 4 －4 －4 US/V －5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态