电子技术总复习
一、填空
1．P型半导体中的多数载流子是（空穴）；N型半导体中的多数载流子是（自由电子）。
2．半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V，死区电压为（ 0.5 ）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V，死区电压为（ 0.1 ）V。
3．半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反）向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V。
4．某稳压管的稳定电压UZ=5V，最大耗散功率PZM=100mW，则其最大稳电流IZM=（20）mA。 5．某稳压管的稳定电压UZ=6V，最大稳定电流IZM=20mA，则其最大耗散功率PZM=（120）mW。 6．晶体管有（集电 ）极、（ 基 ）极和（ 发射 ）极三个电极，分别用字母（ C ）、（ B ）和（E ）表示。
7．晶体管的输出特性曲线可分为（ 放大 ）区、（ 截止 ）区和（ 饱和 ）区。晶体管处于放大区的条件是发射结（ 正 ）向偏置，集电结（ 反 ）向偏置。
8．电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝a﹞、﹝b﹞、﹝c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝a﹞工作于（饱和）状态，晶体管﹝b﹞工作于（截止）状态，晶体管﹝c﹞工作于（放大）状态。
9．放大电路如图﹝a﹞所示，其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示，图中Q为静态工作点。则晶体管β=（50），静态IC=（2mA），UCE=5V，电阻RB≈（250kΩ），RC=（2.5kΩ），最大不失真输出电压Uom=（3V）。
10．理想运算放大器的理想化条件是Auo→（∞ ），rid→（∞ ），rod→（ 0 ），KCMRR→（ ∞ ）。 11．负反馈放大电路有（串联电压 ）负反馈、（ 串联电流 ）负反馈、（ 并联电压 ）负反馈和（ 并联电流 ）负反馈四种类型。
12．正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是：（1）（相位 ）条件，即必须是（ 正 ）反馈；（2）（幅度 ）条件，即
Au F?（ 1 ）。
13．在单相半波整流电路中，设整流变压器副边电压有效值为10V，则整流电压的平均为（ 4.5 ）
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V，二极管承受的最大反相电压为（ 14.1 ）V，若负载电流平均值为2A，则流过二极管的电流平均值为（4.44 ）A。
14．设整流变压器副边电压有效值为U。单相半波整流电路整流电压的平均值为（ 0.45 ）U，二极管承受的最大反相电压为（ √2 ）U；单相全波整流电路整流电压的平均值为（ 0.9 ）U，二极管承受的最大反相电压为（ 2 √2 ）U；单相桥式整流电路整流电压的平均值为（ 0.9 ）U，二极管承受的最大反相电压为（ √2 ）U。157页
15．在图1.1（a）的串联型稳压电路中，已知UZ=5V，晶体管T的UBE=0.7V，则UO=（ 4.3 ）V。在图1.1（b）的串联型稳压电路中，已知UZ=5V，UXX=5V，则UO=（ 10）V。
16．有0出1，全1出0是（ 与非 ）门的逻辑特点。 17．将逻辑式Y?A?AB化简后的结果为Y=（ A ）。 18．将十进制数（27）10转换为二进制数为（ 11011 ）。
19．在决定一件事情的条件中，全部条件满足结果才发生的逻辑关系称为（ 与门 ）逻辑。
20．在决定一件事情的条件中，只要有一个条件满足结果就发生的逻辑关系称为（ 或门 ）逻辑。
21．测得某逻辑电路的输入变量A、B和输出变量Y的波形如图1.2所示，则Y=（ AB ）。
22．触发器有单稳态触发器、双稳态触发器和无稳态触发器之分。D触发器属于（ 双稳态 ）触发器，JK触发器属于（ 双稳态 ）触发器，时钟脉冲发生器属于（ 无稳态 ）触发器。 二、选择
1．对半导体而言，其正确的说法是（ C））。
A．P型半导体由于多数载流子为空穴，所以它带正电； B．N型半导体由于多数载流子为自由电子，所以它带负电； C．P型半导体和N型半导体本身都不带电。 2．附图所示电路的二极管是理想器件，AO两端的电压UAO为（ C ）。 A．4V； B．-4V； C．-10V； D．14V。
D 4V 5kΩ 10V O A 2
3．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ B ）。
A．D1、D2截止，D3导通 B．D1导通，D2、D3截止 C．D1、D2、D3均导通 D．D1、D2、D3均截止
4．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ A ）。
A．D1、D2截止，D3导通 B．D1导通，D2、D3截止 C．D1、D2、D3均导通 D．D1、D2、D3均截止
5．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，稳压管的正向压降忽略不计，则UO=（ A ）。
A．5V B．7V C．0V
6．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，正向压降忽略不计，则UO=（ A ）。 A．5V B．7V C．0V
7．NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位（ A ）。
A．VC＞VB＞VE B．VC＜VB＜VE C．VC＞VB＜VE
8．PNP型晶体管处于放大状态的条件是（ B ）。 A．VC＞VB＞VE B．VC＜VB＜VE C．VC＞VB＜VE
9．测得某放大电路中某PNP晶体管三个极的电为分别为-9V，-6.2V，-6V，则-6.2的那个极为（ B ）极。
A．集电极； B．基极； C．发射极；
10．测得某放大电路中的某NPN晶体管三个极的电位分别为9V，2.5V，3.1V，则这三个极分别为（D ）。
A．C，B，E； B．E，B，C； C．E，C，B； D．C，E，B。
11．对某电路中一个NPN晶体管进行测试，测得UBE＞0，UBC＜0，UCE＞0，则该管工作在（A ）。
A．放大区； B．饱和区； C．截止区。 12．晶体管的控制方式为（D ）。
A．输入电压控制输出电压； B．输入电压控制输出电流； C．输入电流控制输出电压。 D．输入电流控制输出电流。 13．在固定偏置共发射极放大电路中，当减小RB时，（ C ）。
A．集电极静态电流减小，集电极与发射极之间的静态电压减小； B．集电极静态电流减小，集电极与发射极之间的静态电压增大； C．集电极静态电流增大，集电极与发射极之间的静态电压减小； D．集电极静态电流增大，集电极与发射极之间的静态电压增大。
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