习题答案
2.1 已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。
0.7V -0.7V 4V 4V 0V
(a)
8V
0V
(b)
-8V
3.7V
(c)
1V
9V
(d)
4.3V
题图2.1
解：
8V
题图（a）：
0.7V
硅NPN 0V
题图（b）：
-0.7V
-8V 硅PNP 0V
1V
题图（c）：
3.7V
锗PNP 4V
题图（d）：
4.3V
9V 锗NPN 4V
2.2 某个晶体管的β＝25，当它接到电路中时，测得两个电极上的电流分别为50 mA和2mA，能否确定第三个电极上的电流数值?
解：不能。因为第三个电极上的电流与管子的工作状态有关。当管子处于放大状态时，第三个电极上的电流为52mA；而当管子处于饱和状态时，则电流为48mA。
1
2.3 已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。
-5V 2.5V -0.3V
3AX81 3BX1 3V
0V (a)
(b) 题图2.3
解：题图（a）3AX为PNP锗管，UBE??0.3V（正偏），UCE??4.7V（反偏），放大状态
题图（b）：e结反偏，c结反偏，截止状态 题图（c）：e结正偏，c结正偏，饱和状态 题图（d）：e结开路，晶体管损坏
2.4 NPN型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图2.4所示，其中nb0表示平
?8V
6.3V
6.6V 3CG21 12V
3V 3DG8 0V
7V (c)
(d)
衡时自由电子的浓度。
（1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。 （2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。
np(x)N? P N np(x)N? P N nb0nb0 O O x1（a） x x1（b） x 2
np(x)N? P N np(x)N? P N nb0O nb0O x1（c） ?x 题图2.4 x1（d） x
解：（1）对于NPN晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注入了非平衡少子电子，所以x?0(x?x1)处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度nb0，当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此，可以判别：
（1）图 (a)：发射结反偏，集电结反偏。图 (b)：发射结正偏，集电结反偏。图 (c)：发射结正偏，集电结正偏。图 (d)：发射结反偏，集电结反偏。
（2）图 (a)：截止。图 (b)：放大。图 (c)：饱和。图（d）：反向放大。
o2.5 某晶体三极管在室温25C时的??80V，UBE(on)?0.65V，ICBO?10pA。试求
70oC的?，UBE(on)和ICBO的数值。
解：?(70oC)??(25oC)?(0.005~0.01)?80?(70?25)?98~116
UBE(70oC)?UBE(25oC)???2.5??70?25??527.5(mV)
ICBO(70oC)?ICBO(25oC)270?2510?226.3pA
2.6 某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示 （1） 求IBQ=0.3mA时，Q1、Q2点的β值。 （2） 确定该管的U(BR)CEO和PCM。
3
题图2.6
解：（1）Q1点：??50,Q2点：??0。 （2）U(BR)CEO?40V,PCM?330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图2.7所示。设晶体管的UBE(on)工作状态。
9V RB 1V D 0.3V （a）
（b） 题图2.7
（c）
RE 1k? RC T 470k? 2k? 15V RB RC T RE 1k? 100k? 2k? 15V ?0.7V，??100。判别电路的
?a?中，由于UBE?0,因而管子处于截止状态。UC?UCC?12V。解：在题图
题图（b）：
IBQ?15?0.7?25?ARB?(1??)RE
ICQ??IBQ?2.5mAUCEQ?15?2.5?3?7.5(V)处于放大状态
4
题图（c）：IBQ?71?A，ICQ?7.1mA
UCEQ?15?7.1(2?1)??6.3(V)
不可能，表明晶体管处于饱和状态。
2.8 题图 2.8(a)、(b)所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同，UBE(on)=0.6V。在20oC时晶体管的β=50，55oC时，β=70。试分别求两种电路在20oC时的静态工作点，以及温度升高到55oC时由于β的变化引起ICQ的改变程度。
UCC(12V)
RB1 30k? RB2 RC 1.8k? T RE UCC(12V)
RB 246k?
RC 2.8k? T 10k? 1k?
(a)
题图2.8
解：题图2.8（a）为固定偏流电路。 （1）20C时
o(b)
IBQ?UCC?UBE?on?12?0.6??0.046mA
RB246 ICQ??IBQ?50?0.046?2.32mA
UCEQ?UCC?ICQRC?12?2.32?2.8?5.5（V） （2）55C时
o??50?50?1%?(55?20)?67.5
ICQ??IBQ?67.5?0.046?3.105mA
UCEQ?UCC?ICQRC?12V?3.105?2.8V?3.306V
ICQ的变化为
?ICQ3.105?2.32 ??33.8%
ICQ2.32
5