模拟电子技术习题答案1

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五、二极管电路如下图(a)所示,设输入电压波形如图(b)所示,试画出相应的输出电v波

O

形。设二极管为理想器件。

六、二极管电路如图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压V。设二极管为

AO

理想器件。

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解:(a)D导通,VAO=-6V (b)D截止,VAO=-12V (c)D1导通,D2截止,VAO=0V (d)D1截止,D2导通,VAO=-6V

七、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。

稳压管要稳压需满足 解:? (a) RLUI?UZRL?R2 ?10V?8V?UZ?6V, 可稳压,UO1?6V2?0.52 (b) ?10V?5V?UZ, 不可稳压,管子处于反偏截止状态, UO2?5V2?2

八、 图示电路中,稳压管2CW16具有下列特性:稳定电压9V,耗散功率允许值250mW,稳压管电流小于1mA时不能稳压,且动态电阻不大于20Ω。试按电路图中所给参数计算: (1) 当RL=1kΩ 时,电流IR、IZ、IL的大小;

(2) 当电源电压UI变化±20%时,UO最多变化几伏?

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(3) 稳压管在UI和RL变化至何值时功耗最大?其值是否已超过允许值?(U1的变化围不超过±20%,RL

可任意变化。)

(4) 按照图中的参数,分析该电路在IL大于何值时将失去稳压能力?

解:(1) IR?20?99V?21.6mA,IL??9mA,IZ=12.6mA。 5101kΩ20Ω//1000Ω?(?4V)??0.15V

510Ω?(20Ω//1000Ω)(2) ΔUO?(3) 当U变化+20%和RL→∞时稳压管的功耗最大。

PZ(max)?24?9?9?265mW?PZ,超过允许值。 510UImax-UZ?IZmin?28.4mA时,失去稳压能力。 R(4) 当IL?ILmax ?

九、有两只稳压二极管DZ1、DZ2,其稳定电压分别为VZ1=6V、VZ2 =10V,两管正向导通电压降均为0.7V。如果将它们以不同方式串联后接入电路,可能得到几种不同的电压值?试画出相应的电路图。

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十、二极管电路如图所示,设二极管均为理想二极管,vs=10sinωt(V)。 (1)画出负载RL两端电压vo的波形。 (2)若D3开路,试重画vo的波形。 (3)若D3被短路,会出现什么现象?

(3)若D3被短路,则在输入电压的正半周将使电源短路,烧坏电源。

第四章 三极管及其放大电路

§4.1

一、问答题:

1. 能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT?

答:不能,因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外,还需满足三个部条件。 2. BJT 的e极、c极能否交换使用?

答:不能,因为e极、c极所对应区域的掺杂浓度和横截面积均不相同。 二、填空题:

1. 三极管实现放大的三个部条件是(发射区掺杂浓度最高)、(基区最窄)、(集电区横截面积最大)。 2. 三极管具有放大作用的外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 3. 三极管工作在饱和区时,发射结(正偏),集电结(正偏); 工作在截止区时,发射结(反偏),集电结(反偏)。

4. 工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为( 100 )。

5. 工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是(多子的扩散流),流过集电结的电流主要是(漂移电流)。(扩散电流/漂移电流)

6. 反向饱和电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

7.测得某放大电路中三极管的三个电极A、B、C对地点的电位分别为-11、-6、-6.7,则A电极为( 集电 ) 极,B电极为( 发射 )极,C电极为( 基极 )极。

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三、

1.从下图所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型以及它在电路中所处的工作状态。 (1) 是锗管还是硅管? (2) 是NPN型还是PNP型?

(3) 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断还是短路?)

提示:注意在放大区,硅管UBE?UB?UE?0.7V,锗管UBE?0.3V,且

UCE?UC?UE>0.7V;而处于饱和区时,UCE?0.7V。

解: (a) NPN硅管,工作在饱和状态;

(b) PNP锗管,工作在放大状态; (c) PNP锗管,管子的b-e结已开路; (d) NPN硅管,工作在放大状态; (e) PNP锗管,工作在截止状态; (f) PNP锗管,工作在放大状态; (g) NPN硅管,工作在放大状态; (h) PNP硅管,工作在临界饱和状态。

2.测得放大电路中的两只晶体管的各电极直流电位如图3.2所示。试在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

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