3、uo1的频率f1=
1?316Hz uo2的频率f2=158Hz
0.7?45?01.4—6 （a)是由555定时器构成的单稳态触发电路。
1、工作原理（略）； 2、暂稳态维持时间tw=1.1RC=10ms(C改为1?F)； 3、uc和uo的波形如下图：
uiuc5 10 25 30 45 50t(ms)3.33Vuot(ms)t(ms)
4若ui的低电平维持时间为15ms，要求暂稳态维持时间tw不变，可加入微分电路 4--7由555定时器构成的施密特触发器如图4.8(a)所示 1、电路的电压传输特性曲线如左下图； 2、uo的波形如右下图；
uo(V)42ui4V2V6 uo 2 4 6tt
ui(V) 3、为使电路能识别出ui中的第二个尖峰，应降低555定时器5脚的电压至3V左右。 4、在555定时器的7脚能得到与3脚一样的信号，只需在7脚与电源之间接一电阻。
第五章 习题
5--1电路如图5.1(a)所示，假设初始状态Q2Q1Q0=000 1、试分析由FF1和FF0构成的是几进制计数器；
2、说明整个电路为几进制计数器。列出状态转换表，画出完整的状态转换图 和CP作用下的波形图。
3CPQ0Q1Q26547012
图5.1(a) (b) 5－1 1、由FF1和FF0构成的是三进制加法计数器 写出驱动方程
J0?Q1nK0?1
nJ1?Q0K1?1
状态转换表 CP 0 1 2 3 0 1 Q1 Q0 J1 K1 KJ0 K0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1
2、整个电路为六进制计数器。状态转换表（略），完整的状态转换图 和CP作用下的波形图如下图。
3CPQ0Q1Q26547012
5--2采用J-K触发器组成电路，得到如图5.2所示的输出波形 1、试问需要几个触发器；
2、设计该电路（要求步骤完整）；
CPQ0Q1 Q2
图5.2
5－2 1、根据题中给出的波形，要设计的计数器为六进制，故需要三个触发器； 2、状态转换表及转换条件表 CP 0 1 2 3 4 5 Q2 Q1 Q0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 Q’2 Q’1 Q’0 J2 K2 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 X 1 X X 1 1 X X 1 0 X J1 K1 0 X 0 X 1 X X 1 1 X X 1 J0 K0 1 X X 1 1 X X 0 X 1 0 X n?J0?K0?Q1?n?J1?Q2驱动方程 ?
n?J2?Q0?K?K?12?1
5--3分析图5.3所示由74LS161构成的电路 1、画出完整的状态转换图；
2、画出Qd相对于CP的波形，说明是几分频，Qd的占空比是多少。
\EPETCPQdQcQbQa74LS161CBALDCrD\
图5.3
\
1015956141347812321110
第6章 D/A 和 A/D 转 换 器(51讲中有答案)
6--1填空
1、8位D/A转换器当输入数字量只有最高位为高电平时输出电压为5V,若只有最低位为高电平，则输出电压为 。若输入为10001000，则输出电压为 。 2、A/D转换的一般步骤包括 、 、 和 。
3、已知被转换信号的上限频率为10kHZ，则A/D转换器的采样频率应高于 。完成一次转换所用时间应小于 。
4、衡量A/D转换器性能的两个主要指标是 和 。 5、就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言， 抗干扰能力强； 转换速度快。
6--1填空
1、8位D/A转换器当输入数字量只有最高位为高电平时输出电压为5V,若只有最低位为高电平，则输出电压为 40mV 。若输入为10001000，则输出电压为 5.32V 。 2、A/D转换的一般步骤包括 采样 、 保持 、 量化 和 编码 。
3、已知被转换信号的上限频率为10kHZ，则A/D转换器的采样频率应高于20kHZ。完成一次转换所用时间应小于50?s。
4、衡量A/D转换器性能的两个主要指标是 精度 和 速度 。
5、就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言， 双积分型抗干扰能力强； 逐次逼近型 转换速度快。
第7章 习题(51讲中有答案)
7--1 填空
1、按构成材料的不同，存储器可分为磁芯和半导体存储器两种。磁芯存储器利用 来存储数据；而半导体存储器利用 来存储数据。两者相比，前者一般容量较 ；而后者具有速度 的特点。
2、半导体存储器按功能分有 和 两种。
3、ROM主要由 和 两部分组成。按照工作方式的不同进行分类，ROM可分为 、 和 三种。 4、某EPROM有8数据线，13位地址线，则其存储容量为 。
7--2图7.2是16×4位ROM，A3A2A1A0为地址输入，D3D2D1D0为数据输出，试分别写出D3，D2，D1和D0的逻辑表达式。
7--1 填空
1、按构成材料的不同，存储器可分为磁芯和半导体存储器两种。磁芯存储器利用 正负剩磁 来存储数据；而半导体存储器利用 器件的开关状态 来存储数据。两者相比，前者一
般容量较 大 ；而后者具有速度 快 的特点。
2、半导体存储器按功能分有 ROM 和 RAM 两种。
3、ROM主要由 地址译码器 和 存储矩阵 两部分组成。按照工作方式的不同进行分类，ROM可分为 固定内容的ROM 、 PROM 和 EPROM 三种。
4、某EPROM有8数据线，13位地址线，则其存储容量为 213×8 。
?D0?A0?D??m(3,6,9,12,15) 7--2 ??1??D2?A1?A0?D??m(0,5,9,13)??3