第10章 存储器及其接口
典型试题 一． 填空题
1.只读存储器ROM有如下几种类型：＿＿＿＿。 答案：掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM
2.半导体存储器的主要技术指标是＿＿＿＿。
答案：存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比
3.在16位微机系统中，一个存储字占用两个连续的8位字节单元，字的低8位存放在＿＿＿＿、高8位存放在＿＿＿＿。 答案：低地址单元、高地址单元
4.SRAM芯片6116（2K×8B）有＿＿＿＿位地址引脚线、＿＿＿＿位数据引脚线。 答案：11 8
5.在存储器系统中，实现片选控制有三种方法，它们是＿＿＿＿。 答案：全译码法、部分译码法、线选法
6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端地址码为101时，输出端＿＿＿＿有效。
，当输入
答案：
7.半导体静态存储器是靠＿＿＿＿存储信息，半导体动态存储器是靠＿＿＿＿存储信息。
答案：触发器 电荷存储器件
8.对存储器进行读/写时，地址线被分为＿＿＿＿和＿＿＿＿两部分，它们分别用以产生＿＿＿＿和＿＿＿＿信号。
答案：片选地址 片内地址 芯片选择 片内存储单元选择 二． 单项选择题
1．DRAM2164（64K×1）外部引脚有（ ）。
A.16条地址线、2条数据线 B.8条地址线、1条数据线 C.16条地址线、1条数据线
D.8条地址线、2条数据线
分析：从芯片容量（64K×1B）来看，有64K个编址单元，应有16条地址线（216=64K）。但DRAM芯片集成度高、容量大、引脚数量不够，一般输入地址线采用分时复用锁存方式，即将地址信号分成二组、共用一组线，分两次送入片内。而2164却有二条数据线，一条作为输入，一条作为输出。答案：D 2．8086能寻址内存贮器的最大地址范围为（ ）。 A.64KB B.512KB C.1MB D.16KB
分析：8086有20条地址总线A0～A19，它可以表示220=1M个不同的状态。答案：C
3．若用1K×4的芯片组成2K×8的RAM，需要（ ）片。 A.2片 B.16片 C.4片 D.8片
分析：2片（1K×4）一组构成1K×8的RAM，所以需要4片。答案：C
4．某计算机的字长是32位，它的存储容量是64K字节，若按字编址，它的寻址范围是（ ）。
A.16K B.16KB C.32K D.64K
分析：因字长是32位，4个字节才能构成一字单元，若按字编址，则64KB÷4B=16K答案：A
5．采用虚拟存储器的目的是（ ）。
A.提高主存的速度 B. 扩大外存的存储空间 C.扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度
分析：虚拟存储器的作用是使编程人员在写程序时不用考虑机器的实际内存容量，可以写出比实际配置的物理存储器容量大很多的程序。答案：C 6．RAM存储器中的信息是（ ）。
A.可以读/写的 B.不会变动的 C.可永久保留的 D.便于携带的
分析：RAM是一种随机读/写存储器，一但掉电其存储的信息就会丢失。答案：A 7．用2164DRAM芯片构成8086的存储系统至少要（ ）片。 A.16 B.32 C.64 D.8
分析：8086的存储系统必须有两存储体，偶存储体和奇存储体，才能进行字操作。而2164的容量为64K×1，需要8片才能构字节单元，即一个存储体至少要8片2164。答案：A
8．8086在进行存储器写操作时，引脚信号A.00 B.01 C.10 D.11
和DT/
应该是（ ）。
分析：当8086CPU访问内存时，=1，进行写操作时DT/=1。答案：D 9．某SRAM芯片上，有地址引脚线12根，它内部的编址单元数量为（ ）。 A.1024 B.4096 C.1200 D.2K
分析：一般来说，SRAM芯片上的地址引脚线的数量就可反映出它内部的编址单元数量，计算方法：2n=编址单元数量，n为地址线数量。 答案：B 10．存储器的性能指标不包含（ ）项。 A.容量 B.速度 C.价格 D.可靠性
分析：存储器的性能一般是指容量、速度、可靠性这三项指标。答案：C 11．Intel2167（16K×1B）需要（ ）条地址线寻址。 A.10 B.12 C.14 D.16
分析：芯片2167有16K个编址单元，214=24·210=16K。答案：C
12．用6116（2K×8B）片子组成一个64KB的存贮器，可用来产生片选信号的地址线是（ ）。
A.A0～A10 B.A0～A15 C.A11～A15 D.A4～A19
分析：用来产生片选信号的地址线只能是剩余的高位地址线。答案：C 13．计算一个存储器芯片容量的公式为（ ）。
A.编址单元数×数据线位数 B.编址单元数×字节 C.编址单元数×字长 D.数据线位数×字长
分析：所谓芯片的容量是指芯片所能存贮二进制位的数目。 答案：A 14．与SRAM相比，DRAM（ ）。
A.存取速度快、容量大 B.存取速度慢、容量小 C.存取速度快，容量小 D.存取速度慢，容量大 答案：D
15．半导本动态随机存储器大约需要每隔（ ）对其刷新一次。 A.1ms B.1.5ms C.1s D.100μs
分析：一般动态随机存贮器需要每隔1～2ms对其刷新一次。 答案：B
16．对EPROM进行读操作，仅当（ ）信号同时有效才行。 A.
、
B.
、
C.
、
D.
、
分析：在EPROM芯片上，为片选信号，为允许输出信号。答案：B 三． 多项选择题
1．DRAM的特点是（ ）。
A.可读 B.可写 C.信息永久保存 D.需要刷新 E.一旦关机，其信息丢失
分析：DRAM是一种动态随机存储器，可以读或写，但每隔1～2ms要刷新一次。答案：A、B、D、E
2．一般所说存贮器的性能指标是指（ ）。 A.价格 B.容量 C.速度 D.功耗 E.可靠性 答案：B、C、E
3．8086对存储器进行访问所涉及到的信号有（ ）。 A.
B.
C.DT/
D.
E.
/
分析：仅当8086 CPU响应中断请求INTR时，才发出信号。答案：A、C、D、E
4．哪些地址译码方式会产生地址重叠区？（ ） A.与非门 B.或非门 C.线译码 D.部分译码 E.全译码 分析：与非门和或非门只是作为一个译码电路，不能说明是否产生重叠区问题，而地址重叠区与参加的地址信号有关。答案：C、D 5．8086访问内存可能执行（ ）总线周期。 A.一个 B.二个 C.三个 D.四个 E.五个
分析：8086 CPU每次可以和内存进行8位或16位数据交换；若是8位（一个字节）CPU需执行一个总线周期；若是16位(一个奇地址字单元)CPU需执行二个总线周期。答案：A、B
6．HM6116芯片上哪些引脚信号控制其工作方式？（ ） A.
B.
C.
D.
E.
分析：SRAM芯片6116不含有和两个引脚。答案：A、B、D 7．8086/8088不论是访问内存还是访问外设,在所发出的控制信号中相同的部分是（ ）。 A.
B.
/
C.
D.DT/
E.ALE
信号，但电平是不同的，
分析：8086/8088 CPU访问内存和外设虽都发出
访问内存=1，访问外设=0 答案：B、C、D、E 四． 判断说明题
（1）PROM是可以多次改写的ROM。
答案：×说明：PROM只能写入一次，不能再次改写。
（2）E2PROM、PROM、ROM关机后，所存信息均不会丢失。 答案：√
（3）8086/8088一个字占用两个字节单元。
答案：×说明：8086一个字占用二个字节单元，而8088一个字占用一个字节单元。
（4）存储器芯片的片选信号采用部分译码方式不一定会产生地址重叠区。
答案：×说明：所谓部分译码就是用高位地址中的一部分，而没用的地址线不论为什么状态对片选信号都不会产生影响，所以必然有地址重叠区出现。 （5）RAM存储器需要每隔1～2ms刷新一次。
答案：×说明：RAM分为两种SRAM和DRAM，前者是静态RAM，是不必刷新，而后者是动态RAM要刷新。
（6）在8086系统中，其存贮器系统中的奇存储体和偶存储体总是对称的，拥有的存储空间是相等的。 答案：√
五． 简答题
1.存储器与CPU连接时，应考虑哪些问题？
答：存储器与CPU连接主要是：地址线的连接、数据线的连接、控制线的连接。在连接中主要应考虑以下四个方面的问题：
a.CPU总线的带负载能力，即CPU总线能不能带得动。 b.CPU的时序和存储器的存取速度之间的配合问题。 c.存贮器的地址分配和选片问题。 d.控制信号的连接问题。
2.什么叫“地址重叠区”？什么情况下会产生重叠区？为什么？
答：若存在一个实际存储单元对应二个或二个以上的地址，或者说，有多个地址可以访问同一个存储单元，这种现象就称为重叠区。当采用线选法或部分译码法产生片选信号时就会产生重叠区。这是因为没有参加译码的地址线不论为什么状态，对产生片选信号无影响。 3.简述DRAM芯片的接口特点。
答：DRAM芯片通常存储容量比较大，引脚数量不够用，所以地址输入一般采用分时复用地址线，把地址分为两组，两组地址信号分别由行地址选通信号
和
列地址选通信号控制，送入芯片内锁存。
4.下列容量的存贮器，各需要多少条地址线寻址？若要组成32K×8位的内存，各需要几片这样的芯片？ a．Intel 1024(1K×1B) b．Intel 2114(1K×4B) c．Intel 2167(16K×1B) d．Zilog 6132(4K×8B)
答：地址线（条） 需要片子（片） a. 10 256 b. 10 64 c. 14 16 d. 12 8
5.什么叫“对准字”和“未对准字”，CPU对二者的访问有何不同？
答：当一个16位字的低8位存放在偶存储体，高8位存放在奇存储体，则该字称为“对准字”；反之低8位存放在奇存储体、高8位存放在偶存储体，则该字称为“未对准字”。CPU访问“对准字”只用一个总线周期，一次性的在内存上读/写16位数据。而CPU访问“未对准字”时，要用两个总线周期，第一个周期在奇存储体上读/写数据的低8位，第二个周期在偶存储体上读/写数据的高8位。
六． 综合应用题
1.为某8位微机（地址总线为16位）设计一个12KB容量的存储器要求EPROM区为8KB，从0000H开始，采用2716芯片；RAM区为4KB，从2000H开始，采用
6116芯片。试求： ①对各芯片地址分配。
②指出各芯片的片内选择地址线和芯片选择地址线。 ③采用74LS138，画出片选地址译码电路。
分析：首先应清楚每种型号芯片的容量，是否需要几片才能构成字节存储单元。因2716容量为2K×8B、6116容量为2K×8B，所以各个芯片可以单独成组。根据设计存储器的容量，则需要4片2716、2片6116。每种芯片片内均有2K个编址单元，211=2K，需要11条地址线，剩余的高位地址线A15～A11可用以片选地址译码。
答：①、②如表3-3所示。③如图3-3所示。
表3-3 地址分配表
图3-3 74LS138片选译码电路 六． 综合应用题
2.已知高位地址译码如图3-4所示，译码器为3:8译码器74LS138，试判断译码器输出端分别对应的地址。
图3-4 译码器连接图