1. 如图3-5所示，这是一个存储系统，试回答RAM和EPROM的容量各是多少？它们的地址范围又是多少？
图3-5 存储器示意图 六． 综合应用题
分析：该系统存储器空间是由一片EPROM和两片RAM组成，采用74LS138作为片选地址译码器。解决这类问题，应从已知的图中得知各个芯片上的编址单元数，单元的长度和芯片的分组情况，从而可推算出各芯片或芯片组的容量；通过对片选译码器的分析，了解其输出与输入的关系，才可获知每芯片的片选地址，从而能推算出芯片的地址范围。
EPROM上有11条地址线，8条数据线，它可表示211×8个字节单元。 RAM上有10条地址线，4条数据线，所以用二片这样的RAM组成一个芯片组，用以表示210×8个字节单元。
74LS138译码器的输入为A19～A11，A、B、C端对应A11、A12、A13，仅当AS19～A14为全\时，G1=1，译码器才对A、B、C输入信号进行译码。所以各芯片片选信号的地址信号A19～A14必须为\，而A13、A12、A11用以区别不同的片选信号。这里要注意的是地址A10对RAM芯片没用到，即没有参加片选译码，所以不论A0为\或为\都不影响对RAM的片选，RAM有两个\重叠区\。
则EPROM的片选地址：A19A18A17A16A15A14A13A12A11 EPROM内部编址范围：00000000000～11111111111 EPROM的地址范围：FF800H～FFFFFH
RAM组的片选地址：A19A18A17A16A15A14A11 RAM组的内部编址范围：0000000000～1111111111
RAM组的地址范围：FD000H～FD7FFH，FD800H～FDFFFH
答：EPROM的存储容量为2K×8B，地址范围为FF800H～FFFFFH； RAM组的存储容量为1K×8B，地址范围为FD000H～FDFFFH。
4.如图3-6所示，它是存储器同8086的连接图，试计算该存储器的地址范围，并说明该片选译码电路的特点。
图3-6 存储器与CPU的连接
分析：该题的解决方法与题（2）类似，要求出存储器的地址范围，必须要得知编址单元数及片选地址。
61256芯片有15条地址线，可知有215=32K个编址单元。
A18～A15作为74LS138译码器的输入地址信号，其输出作为61256芯片的片选信号
则：61256芯片的内部编址范围：000000000000000～111111111111111。 61256芯片的片选地址：。 又因A19没参加译码，故A19为\或\均不影响对61256的片选，这样61256对应有4个片选地址：
。
61256的地址范围：10000H～17FFFH； 18000H～1FFFFH； 90000H～97FFFH； 98000H～9FFFFH。
答：61256存储器地址范围为10000H～1FFFFH或90000H～9FFFFH。该译码电路的特点是61256有4个片选信号，产生四个重叠区，即61256内的一个实际存储单元对应4个地址。
5.用4K×4B的EPROM存储器芯片组成一个16K×8B的只读存储器。试问： ①该只读存储芯片的数据线和地址线的位数？ ②根据题意需要多少个4K×4的EPROM芯片？
③各个芯片的片选信号地址表达式？ ④画出此存储器的结构图。
分析：已知存储芯片为4K×4B，显然单片是不能组成字节存储单元，将两片一组，组成4K个字节单元。要组成16K×8B的存储器，则需要4组这样的芯片。对4组芯片进行片选，若不考虑地址重叠区的问题，只需用2位地址作为片选译码地址就可以，不妨用A12、A13，采用2:4译码器。 答：①该只读存储器芯片有12条地址线、4条数据线。 ②需8个4K×4的EPROM芯片。
③
④该存储器的结构图如图3-7或如图3-8。
。
图3-7 存储器结构图
图3-8 存储器结构图
半导体存储器的基本知识
1．半导体存储器的分类
从应用角度可将半导体存储器分成两类：随机读写存储器RAM（Random Access Memory）和只读存储器ROM（Read Only Memory）。而根据它们的工作特点，RAM又分为静态RAM（Static RAM，SRAM）和动态RAM(Dynamic RAM ,DRAM)，只读存储器又分为ROM、PROM、EPROM、EEPROM，如图3-1所示：考生必须识记这几种类型的存储器的使用符号，工作特性和应用场合，分清它们的区别。 ROM只能读不能写，而PROM（可编程ROM）允许写一次，一但写入之后就变成永久性的ROM。二者多由厂家提供固化成熟的固定的程序或数据，其成本低，使用广泛，如IBM-PC机中的BIOS就是固化在ROM中。
EPROM和EEPROM都是可擦除的PROM，即存储芯片内的信息可以多次擦除和多次写入。它们常用以存放需要修改、升级的程序或数据。EPROM和EEPROM主
要的区别是它们采用不同的擦除方法，前者用光（紫外线照射）擦除，后者用电信号擦除。
SRAM和DRAM二者均是随机可读、写的存储器。SRAM其存储电路是以双稳态触发器为基础，只要不掉电，信息永不会丢失，不需要刷新电路。SRAM的主要性能是：存取速度快、功耗较大、容量较小。它一般适用于构成高速缓冲存储器（Cache）；DRAM是依靠电容来存储信息，电路简单集成度高，但电容漏电，信息会丢失，故需要专用电路定期进行刷新。DRAM的主要性能是：容量大、功耗较小、速度较慢。它被广泛地用作内存贮器的芯片。
图32．关于存储器的几个基本概念
①存储器性能——是指存储容量、存储速度和可靠性这三项指标。若容量大、速度快、可靠性高，则认为该存贮器性能好；反之，则认为该存贮器性能差。当然，用以选择一个存贮器芯片的指标很多，如速度、容量、可靠性、价格、功耗、易失性等，但从应用角度来看，最主要的指标就是芯片的性能。
②存储速度——存储器的存储速度是用存取时间来衡量的，它是指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需的时间。存取时间越小，则速度越快。
③存储容量——一般是指一个存储器芯片所能存储二进制位的个数。即存储容量=芯片的编址单元数×数据线位数。常用存贮器芯片的数据线有1位、4位、8位之分。一般给出一个芯片容量的表示形式是m×n，其中m就是该芯片的编址单元数，n是该芯片的数据线条数。如Intel 2114芯片容量为1024×4，6264芯片为8192×8，2164芯片为64K×1。
④内存条——将多个存贮器芯片安装在一块小型印刷电路板的存储模块。其特点是安装容易，便于用户进行更换，也便于增加或扩充内存容量，可直接插在主板上的内存条插槽中。