采用图腾柱方式驱动MOSFET的电路分析
1、 原理图
Vcc15VQ1R110kA0VR44k7R20REQ2R3100RCgs
上图为典型的图腾柱输出方式驱动MOSFET的电路。由于前端I/O口的对外驱动能力（一般为十几或者二十几mA）有限，为了提高对MOSFET的驱动能力，因此采用图腾柱电路。
由于MOSFET是压控型器件，则GS两端电压只要大于4.5V（导通时的阈值电压）时即可导通，为了使MOSFET可靠导通，则一般要求GS两端的电压要大于12V（不同型号的管子该电压不同），因此要求MOSFET的驱动电压幅值至少要大于12V。此外，由于MOSFET的GS两端存在寄生电容，驱动MOSFET的过程就是对该电容充放电的过程，充电的快慢反应MOSFET导通或关断的速度，而开关的速度又影响了MOSFET的开关损耗及EMI等内容，同时，充电的快慢又由充电电流的大小决定。
综上所述，要想驱动MOSFET正常导通和关断，则要考虑驱动幅值电压及对GS两端电容充电电流的大小。
因此，下面分别从驱动MOSFET的幅值电压及充电电流（驱动能力）的大小两个方面来分析该电路。而幅值电压及充电电流与图中的驱动方波的幅值、电源电压Vcc、电阻R2及电阻R3等有关。因此，以下主要通过改变这些参数来验证电路设计的合理性。
2、 电路分析
（1）驱动方波幅值为15V、电源电压为10V、电阻R2=0R。电路如下图所示：
10V15VR110k0VR44k7R20REQ2R3100RCgsQ1
下图为仿真测试波形：
流过R3的驱动电流波形放电波形充电波形E点驱动电压波形Q1饱和导通时，其E极电压为10VQ1的ce两端的电压波形最低0V:完全饱和导通R1两端有5V压降R1两端的电压波形从以上波形可知，在驱动波形为高电平（15V）时，Q1完全饱和导通，其ce间的压降为0V，此时电源电压直接加在点E处，即MOSFET的驱动电压幅值为10V，而不是驱动波形的射极跟随电压14.3V，这样存在的问题是，如果电源电压再小的话，则MOSFET的驱动电压幅值会更低。同时，在驱动波形刚变为高电平时，流过电阻R3有一个尖峰电流，该电流就是对MOSFET的GS端电容充电的电流波形，由于Cgs电容很小，因此充电时间很短，充满后就不存在充电电流，因此该电流波形在很短的时间内为尖峰。
（2）驱动方波幅值为15V、电源电压为15V、电阻R2=0R。电路如下图所示：
15V15VR110k0VR44k7R20REQ2R3100RCgsQ1
下图为仿真测试波形：
充电波形流过R3的驱动电流波形放电波形E点驱动电压波形Q1饱和导通时，其E极电压为15VQ1的ce两端的电压波形最低接近0V：饱和从以上波形可知，在驱动波形为高电平（15V）时，Q1完全饱和导通，其ce间的压降为0V，此时电源电压直接加在点E处，即MOSFET的驱动电压幅值为15V，能满足MOSFET的驱动要求。