基于AT89C51单片机的电机控制系统设计_课程设计报告

功能:读取

F C6 C5 C4 C3 C2 C1 AC0 忙碌状态(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出位址计数器(AC)的值

10、写资料到RAM

CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0

功能:写入

资料到内部的 RAM(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)

11、读出RAM 的值

CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0

功能:从内

部 RAM 读取资料(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)

12、待命模式(01H)

CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0

功能:进入待命模式,执行其他命令都可终止待命模式

13、卷动位址或IRAM 位址选择(02H/03H)

CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0

L L L L L L L L H L L L L L L L L L H H H 7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 DD0 L H 7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 DD0

功能:SR=1;允许输入卷动位址 SR=0;允许输入IRAM 位址 14、反白选择(04H\\05H)

SR CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0

功能:选择 4 行中的任一行作反白显示,并可决定反白的与否 15、睡眠模式(08H/0CH)

CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0

功能:SL=1;脱离睡眠模式 SL=0;进入睡眠模式 16、扩充功能设定(36H/30H/34H)

CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0

功能:RE=1;扩充指令集动作 RE=0;基本指令集动作 G=1;绘图显示ON G=0;绘图显示OFF

17、设定IRAM 位址或卷动位址(40H-7FH)

CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0

L L L H AAAAA L L L L L H /C S/L RX X L L L L H H X RE 1G L L L L L L L L H 1 RR0

功能:SR=1;

C5 C4 C3 C2 C1 AC0 AC5~AC0 为垂直卷动位址 SR=0;AC3~AC0 写ICONRAM 位址

18、设定绘图RAM 位址(80H-FFH)

CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 功能:设定 GDRAM

位址到位址计数器(AC)

L L H C6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AAC0 2.2.5显示坐标关系

X 坐标

Line1 80H 81H 82H 83H 84H 85H 86H 87H Line2 90H 91H 92H 93H 94H 95H 96H 97H Line3 88H 89H 8AH 8BH 8CH 8DH 8EH 8FH Line4 98H 99H 9AH 9BH 9CH 9DH 9EH 9FH

3 硬件电路设计

3.1 LCD控制电路原理

3.2电机控制电路

电机H桥控制电路如下图3.2所示。当DCMotorA为高电平时,NPN型三

极管Q4导通,则PNP型三极管Q2和NPN型三极管Q6会同时导通;同时DCMotorB为低电平,NPN型三极管Q5关闭,则PNP型三极管Q3和NPN型三极管Q7会同时关闭。此时,电流将从MOTOR B经过电机向MOTORA方向流动,如此驱动电机正向转动。反之,DCMotorA为低电平,DCMotorB为高电平,电机为反向转动。如此可以实现电机的正反转控制。调节DCMotorA或DCMotorB的导通时间,可以实现电机的调速控制。

图4速度反馈电路 3.3速度反馈电路

速度反馈电路如上图3.3所示。当光耦Optoisolator1导通时,PNP型三极管Q1导通,指示灯LED1发光,此时DCMotorSpeed端口为低电平。当光耦Optoisolator1不导通时,指示灯LED1不发光,此时DCMotorSpeed端口为高电

联系客服:779662525#qq.com(#替换为@) 苏ICP备20003344号-4