24. 源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?
答：①LDD的离子注入（Implant）；
②Spacer的形成；
③N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：Rapid Thermal Anneal)。
25. LDD是什幺的缩写? 用途为何?
答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺。
①②LDD离子植入PN-WellPPN-WellP
③形成Spacer④N+/P+高浓度离子植入PN-WellPP+N-WellP+26. 何谓 Hot carrier effect (热载流子效应)?
答：在线寛小于0.5um以下时, 因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,
导致载流子在移动时被加速产生热载子效应, 此热载子效应会对gate oxide造成破坏, 造成组件损伤。
27. 何谓Spacer? Spacer蚀刻时要注意哪些地方？
答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由 Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer 时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，
及remain oxide(残留氧化层的厚度) 28. Spacer的主要功能?
答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域; ②作为Contact Etch时栅极的保护层。
29. 为何在离子注入后, 需要热处理( Thermal Anneal)的工艺?
答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤; ②使注入离子扩散至适当的深度;
③使注入离子移动到适当的晶格位置。 30. SAB是什幺的缩写? 目的为何？
答：SAB：Salicide block, 用于保护硅片表面，在RPO (Resist Protect Oxide)
的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide)
31. 简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?
答：①SAB 光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。要
确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。
②remain oxide (残留氧化层的厚度)。
32. 何谓硅化物( salicide)?
答：Si 与 Ti 或 Co 形成 TiSix 或 CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻
值（Rs, Rc）。 33. 硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些? 答：①Co(或Ti)+TiN的沉积；
②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。
③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。
④第二次RTA (用来形成Ti的晶相转化, 降低其阻值)。 34. MOS器件的主要特性是什幺？
答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其
开关特性。
35. 我们一般用哪些参数来评价device的特性？
答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、 Vbk (breakdown)值尽量大， Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计
值. 36. 什幺是Idsat?Idsat 代表什幺意义？
答：饱和电流。也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的
最大电流.
37. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?
答：Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide T