淮南师范学院电气信息工程学院2014届电子信息工程专业课程设计报告
图1.1
2)选用三极管
因设计要求fH?100kHz，fH的指标要求较高。一般来说，BJT的fT愈大，Cb'e、
Cb'c愈小，
fH愈高。故选定BJT为2N222，其
ICM?600mA ,V(BR)CEO?20V,PCM?625mW.fT?300MHz，ICEO?0.01μA,hFE(?)为60-300。对于小信号电压放大电路，工程上通常要求?的数值大于AV的数值，故取?=60。
3）设置静态工作点并计算元件参数
由设计要求Ri(Ri?rbe)>1k?,取rbb'=200?有rbe?rbb'?rb'e?rbb'??26mV26?60??1.95mA,取ICQ?2.0mA
Ri?rbb'1000?200VBQ?VBEQICQ?3.7?0.7?1.5kΩ，取E24系列2.026mA ICQ(mA)ICQ(mA)??取VBQ?3.7V，VBEQ?0.7V有Re?（?5%）标称值，Re?1.0kΩ 由图3.1有
Rb2?VBQI1??VBQ(5?10)ICQ60?3.7??（12~24）kΩ （5~10）?2取E34系列标称值，Rb2?30K?
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VBQ?VCC
Rb2
Rb1?Rb2VBQ?30?(12?3.7)?60KΩ
3.7Rb1?Rb2VCC?VBQ 取E24系列标称值，Rb1?57K?
rbe?rbb'??由
26mV26?200?60??980?
ICQ(mA)2R'L?Rc//RL，有
AVrbeR'L???40?0.98?0.65KΩ
60RLR'L3?0.65Rc???1.14KΩ
RL?R'L3?0.65取E24系列标称值，Rc?2KΩ
放大电路的通频带主要受电路中存在的各种电容的影响，fH主要受BJT结电容及电路中分布电容的限制;fL主要受耦合电容Cb1、Cb2及旁路电容Ce的影响。 要严格计算Cb1、Cb2及Ce同时作用对fL的影响，计算较为复杂。通过分析可知，
Cb1、Cb2、Ce愈大，fL愈低，因此，在工程设计中，为了简化计算，通常采用以Cb1或Cb2或Ce单独作用时的转折频率作为基本频率，再降低若干倍作为下限频率的方法，电容Cb1、Cb2、Ce单独作用时对应的等效回路分别如图4.3（a）、（b）、（c）所示。如果设计要求中，fL为已知量，则可按下列表达式估算：
Cb1?(3?10)
1 （a）
2?fL(Rs?rbe)第 5 页
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Cb2?(3?10)
1 （b）
2?fL(Rc?RL)Ce?(1?3)12?fL(ReRs?rbe//)1?? （c）
一般常取Cb1?Cb2，可在式中选用回路电阻较小的一式计算。 由于(Rs?rbe)?(Rc?RL)，故取Cb1?Cb2，有
Cb1?Cb2?(3~10)
1(3~10)?1??(2.6~8.6)?F2?fL(RS?rbe)2??100?(600?1240)取Cb1?Cb2?10?F/25V，有
Ce?(1~3)12?fL(